| 產品類型：高頻三極管 | 是否進口：否 | 品牌：北京鼎霖電子 |
| 型號：BFP182R絲印RGs封裝SOT143R | 材料：矽(Si) | 封裝：SOT143R |
| 工作溫度范圍：150（℃） | 功耗：0.175 | 針腳數：4 |
BFP182B/RNPNTRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
1. 簡述：
本芯片采用矽外延工藝制造，具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性，較大的動態范圍，理想的電流線性；
主要應用於超高頻微波、VHF、UHF和CATV高頻寬帶低噪聲放大器中，
如衛星電視調諧器、CATV放大器、模擬數字無繩電話、雷達探測器、射頻模塊和 光纖傳輸中的中繼放大器等產品；
集電療-發射極擊穿電壓：BVCEO=12V，最大集電療電流：IC=35mA,集電療耗散功率：PC=175mW，特征頻率：fT=9GHz；
采用4引腳（寬集電療引腳與雙發射極引腳）的SOT143B和SOT143R表麵
3. 極限參數（Tamb=25℃）： | |||
參數名稱 符號 額定值 單位 | |||
集電療-基極擊穿電壓 | BVCBO | 20 | V |
集電療-發射極擊穿電壓 | BVCEO | 12 | V |
發射極-基極擊穿電壓 | BVEBO | 2 | V |
集電療電流 | IC | 35 | mA |
耗散功率 | PT | 175 | mW |
最高結溫 | TJ | 150 | ℃ |
儲存溫度 | Tstg | -65～+150 | ℃ |
4. 電參數及規格（Tamb=25℃）： | ||||||
參數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 | ||||||
集電療截止電流 | ICBO | VCB=6V,IE=0 | - | - | 0.05 | μA |
直流電流放大系數 | hFE | VCE=6V,IC=20mA | 60 | 100 | 250 |
|
特征頻率 | fT | VCE=6V,IC=20mA | - | 9 | - | GHz |
反饋電容 | Cre | IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz | - | 0.3 | - | pF |
集電療電容 | CC | IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz | - | 0.6 | - | pF |
發射極電容 | Ce | IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz | - | 1.0 | - | pF |
插入功率增益 | ∣S21∣2 | IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz | 17 | 18 | - | dB |
IC=20mA,VCE=6V,f=1.8GHz | - | 13 | - | dB | ||
噪聲系數 | NF | VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz | - | 1.1 | 1.6 | dB |
VCE=6V,IC=20mA,f=900MHz | - | 1.6 | 2.1 | dB | ||
VCE=8V,IC=5mA,f=2GHz | - | 1.9 | - | dB | ||
最大單邊功率增益 | GUM | IC=20mA,VCE=6V,f=900MHz | - | 19 | - | dB |
IC=20mA,VCE=6V,f=2GHz | - | 13 | - | dB | ||
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