品牌:國產 | 型號:103/2KV | 介質材料:陶瓷(瓷介) |
應用范圍:高壓 | 外形:圓片形 | 功率特性:小功率 |
頻率特性:低頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:同向引出線 |
損耗:13 | 絕緣電阻:0.01(mΩ) |
陶瓷電容的基本知識
4.1.一類瓷:也叫做溫度補償型(Temperature Compensating Type),是專門設計並用在低損耗、電容量穩定性高或要求溫度系數有明確規定的諧振電路中的一種電容器,例如,在電路中作溫度補償之用。該類陶瓷介質是由標稱溫度系數(α)來確定。其溫度系數有:NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。
4.2.二類瓷:也叫做高介電常數型(High Dielectric Constant Type),是適用於作旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中的具有高介電常數的一種電容器。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有:Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。
4.3.三類瓷:也叫做半導體型(Semiconductor Type),是一種具有半導體特征的陶瓷電容器。該類電容器適用於作旁路和耦合之用。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有:Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。
4.4.電容量(Nominal Capacitance,簡寫為Cap.或C或CR):是指電容器設計所確定的和通常在電容器上所標出的電容量值;其單位為法拉(Farad,簡寫F),由於F太大,故常用微法(UF)、微微法拉(PF),其等式為:
1UF=103NF=106PF=10-6F
4.5.容量誤差(Tolerance,簡寫成Tol.):是指在設計與制造過程時,允許電容器的容量在標稱容量的某一些范圍內。在國際上,圓板陶瓷電容器常用的幾種誤差值如下:
CR<10pF:±0.25PF;±0.5PF。
CR≥10pF:±5%;±10%;±20%與+80/-20%。
4.6.額定電壓(Rated Voltage,簡寫成R.V.或UR):也稱之為工作電壓(Working Voltage),是指在下限類別溫度和額定溫度之間的任一溫度下,可以連續施加在電容器上的最大直流電壓或最大交流電壓有效值或脈沖電壓的峰值。
本承認書所講述之電壓均為直流電壓,除非有特別註明。
貴公司若在使用或測試中有應用到交流電壓時,請事先通知我公司業務部或品管部。
4.7.耐電壓:也叫試驗電壓(Test Voltage,簡寫成T.V.),它是以額定電壓的幾倍,加壓多少時間來表示供試驗電容的耐電壓的高低。
4.8.損耗角正切:也叫做散逸因素(Dissipation Factor,簡寫成D.F.或tanδ,簡稱損耗);是指在規定頻率的正弦電壓下,電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。損耗的倒數稱之為品質因素,即Q值(英文名為Q Value,簡寫為Q)
4.9.溫度特性(Temperature Characteristic,簡寫成T.C.):是指在規定溫度范圍內,所出現的電容量最大可逆變化,一般此變化表示為相對25℃時電容量的百分比。
電容量的溫度系數英文為Temperature Coefficient of Capacitance;是指在規定的溫度范圍內測量的電容量隨溫度的變化率,通常用10-6/℃或ppm/℃來表示。
電容量溫度循環漂移英文為Temperature Cyclic Drift of Capacitance;是指在規定的溫度循環次數完成期間或結束之後,在室溫下所觀測到的電容量的最大不可逆變化,這種不可逆變化通常是用與基準溫度有關的電容量的百分比,基準溫度通常是25℃。
4.10.類別溫度范圍:是指電容器在設計時所確定的能連續工作的環境溫度范圍,這裡規定上限類別溫度和下限類別溫度,如下表:
類別 | 一類瓷 | 二、三類瓷 |
下限類別溫度 | -25℃ | X:-55℃;Y:-25℃;Z:+10℃ (X、Y及Z均為各溫度特性前第一碼) |
上限類別溫度 | +85℃ | 5:+85℃;7:+125℃ (5和7為各溫度特性前第二碼) |
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