加工定制:是 | 種類:元素半導體 | 特性:氧化膜,單晶矽基 |
用途:刻蝕,器件,MEMS |
直徑 100 +/- 0.3mm
型號 P or N
晶向 100
矽片厚度 525um
氧化層厚度 200nm 300nm 500nm
單麵拋光/雙麵拋光
雙拋,厚度請與我們聯系,具體價格請咨詢。
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加工定制:是 | 種類:元素半導體 | 特性:氧化膜,單晶矽基 |
用途:刻蝕,器件,MEMS |