品牌:砷化鎵電池芯片 | 型號:10w | 化學類型:砷化鎵太陽電池 |
輸出功率:10(W) | 工作電壓:2.6(V) | 轉化效率:40(%) |
工作電流:6.6(A) | 類型:層壓太陽能電池板/組件 | 最大功率:15 |
加工定制:是 |
35%-39。2%轉換效率,5*5 10*10 以及各種不同封裝形式的加工。
一、砷化鎵電池基本介紹
近年來,基於矽材料的太陽能電池價格起伏不定,光伏產業巨大的泡沫由於經濟危機而破裂,對產業的健康發展產生瞭較大影響。
聚光型太陽電池可以減小對原料在量上的依賴程度,進而對降低光伏系統建造成本和產業多元化發展起到積極作用。較之薄膜電池和普通
晶體矽電池,聚光型太陽電池的光電轉化率較高,因此受到研究者的高度重視[1]。
聚光太陽電池是用凸透鏡或拋物麵鏡把太陽光聚焦到幾倍、幾十倍,或幾百倍甚至上千倍,然後投射到太陽電池上。這時太陽電池可能產生
出相應倍數的電功率。它們具有轉化率高,電池占地麵積小和耗材少的優點。高倍聚光電池具有代表性的是砷化鎵(GaAs)太陽電池。
二、砷化鎵電池與矽光電池的比較[3]
1、光電轉化率:
砷化鎵的禁帶較矽為寬,使得它的光譜響應性和空間太陽光譜匹配能力較矽好。目前,矽電池的理論效率大概為23%,而單結的砷化鎵電池理論效率達到27%,而多結的砷化鎵電池理論效率更超過50%。
2、耐溫性
常規上,砷化鎵電池的耐溫性要好於矽電池,有實驗數據表明,砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作,但是矽電池在200℃就已經無法正常運行。
3、機械強度和比重
砷化鎵較矽質在物理性質上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,目前常把其制成薄膜,並使用襯底(常為Ge [鍺]),來對抗其
在這一方麵的不利,但是也增加瞭技術的復雜度。
三、砷化鎵電池的技術發展現狀
1、歷程
GaAs 太陽電池的發展是從上世紀50年代開始的,至今已有已有50多年的歷史。1954 年世界上首次發現GaAs 材料具有光伏效應。在1956 年,Loferski J. J.和他的團隊探討瞭制造太陽電池的最佳材料的物性,他們指出Eg 在1.2~1.6 eV 范圍內的材料具有最高的轉換效率。(GaAs 材料的Eg = 1.43 eV ,在上述高效率范圍內,理論上估算,GaAs單結太陽電池的效率可達27%)。20世紀60 年代,Gobat等研制瞭第1個摻鋅GaAs 太陽電池,不過轉化率不高,僅為9 %~10 %,遠低於27 %的理論值。20 世紀70年代,IBM公司和前蘇聯Ioffe 技術物理所等為代表的研究單位,采用LPE(液相外延)技術引入GaAlAs 異質窗口層,降低瞭GaAs 表麵的復合速率,使GaAs 太陽電池的效率達16%。不久,美國的HRL(Hughes Research Lab)及Spectro lab 通過改進瞭LPE 技術使得電池的平均效率達到18%,並實現瞭批量生產,開創瞭高效率砷化鎵太陽電池的新時代[4]。從上世紀80 年代後,GaAs 太陽電池技術經歷瞭從LPE 到MOCVD,從同質外延到異質外延,從單結到多結疊層結構的幾個發展階段,其發展速度日益加快,效率也不斷提高,目前實驗室最高效率已達到50%(來自IBM公司數據),產業生產轉化率可達30%以上。
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