品名:單晶銅 | 牌號:occ | 產地:金川 |
銅含量≥:99.9995(%) | 雜質含量:0.0005(%) | 硬度:180-230(HV) |
高純單晶銅主要用於電子化工材料和特殊合金材料,隨著大規模集成電路的發展,計算機等電子、電器制品市場的迅速擴展,高純金屬的市場需要量不斷增長。高純銅作為一種新興材料日益被重視,除用於制備高純分析標準試料、電子工業各種連接線、電子封裝用鍵合線、高品質音頻線及集成電路、液晶顯示器濺射靶材及離子鍍膜等高技術領域外,高純銅還是原子能、火箭、導彈、航空、宇宙航行以及冶金工業中不可缺少的寶貴材料。隨著高新技術的發展及作為戰略物資的需要,高純金屬對於純度的要求越來越高,高純、超高純金屬在現代材料科學和工程領域中逐漸被廣泛應用。
優克公司擁有國際領先真空熔煉設備,熔煉過程真空度達到10-4Pa,極限真空高達10-5Pa,能夠有效去除銅液中的氣體和低熔點雜質。
高純銅純度達到99.9995%以上,其中高純銅的雜質元素主要有18種,即Ag、Fe、Ni、Zn、Co、Bi、Cr、Mn、Sb、Cd、Pb、Sn、Te、Se、As、P、S、Si等總含量不超過5ppm,檢測方法為國際領先的輝光放電質譜(GD-MS),可以實現數ppb和亞ppt的定量分析。
金屬的電阻主要來自於由於晶格熱振動和雜質原子的存在所導致的偏離周期性勢場,這種勢場導致金屬中電子的散射,改變金屬晶體中電子的運動方向,從而造成電子運動過程中的阻力,形成金屬的電阻,優克高純銅線純度高於99.9995%,減少瞭雜質原子所導致的偏離周期性勢場,提高瞭導電率,導電率≥104.0%IACS。
高純銅具有極低的殘餘電阻率,6N銅和4N銅在42k下的電阻率分別為2.3×10-12Ωm和1.1×10-10Ωm,作為純度主要指標的殘餘電阻率(RRR=ρ293K/ρ42K)分別為7500和160,6N銅在8K時的最大導熱系數是3.0×104W/(m·k),而4N銅在18K時的最大導熱系數是3.0×104W/(m·k),其軟化溫大約是350K,比4N銅的低90K。可以作為超導芯線的熱穩定體,在過冷超流氦中具有較低的熱耗散,能通過很強的電流密度。
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