半導體泵浦激光器采用半導體發光二極管作為激光晶體的能量來源(激勵源),用波長808nm半導體發光二極管泵浦Nd:YAG介質,使介質產生大量的反轉粒子,在Q開關的作用下形成波長為1064nm的巨脈沖激光輸出,因為半導體激光器的電光轉換率較燈泵浦激光器有瞭較大提高,因而避免瞭由於發熱高所造成的輔助設備體積龐大、激光束品質欠佳等問題,是第二代激光器的代表。
1.獨特的“V”字型激光腔設計,使激光在相同功率輸出質量更高;
2.直腔半導體機型專用於配合生產流水線及自動化生產線的設備;
3.激光品質更優(M2≤6),光斑更小,能量更集中;
4.免維護設計,無需要換耗材,平均無故障工作時間更長;
5.安裝紅光定位系統,打標操作時更方便;
6.使用新型改良水冷系統,體積更小巧,冷卻效果更佳。
廣泛應用於電子元器件激光打標、集成電路(IC)激光打標、電工電器激光打標、手機通訊激光打標、五金制品激光打標、工具配件激光打標、精密器械激光打標、眼鏡鐘表激光打標、首飾飾品激光打標、汽車配件激光打標、塑膠按鍵激光打標、建材激光打標、食品及藥品包裝激光打標、PVC管材激光打標、醫療器械激光打標等行業。可標記金屬及多種非金屬,更適合應用於一些要求更精細、精度更高的場合
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