1． 半導體激光治療無創傷、無痛苦；激光的發散角為35°～45°，加上在組織內發生折射和漫反射，當光束垂直照射時,作用的有效直徑為光斑的5～10倍。
2． 與紫外線、紅外線、微波治療等機器不一樣，對生物體有益無害、安全、無副作用。
3． 與He-Ne激光、氬激光相比，性能穩定，不需要高電壓因此工作壽命長，平均無故障工作達1萬小時。
4． 波長810nm的半導體激光，對人體有較強的穿透力，皮下7～10cm，能有效作用於人本深部組織，迅速產生止痛、消炎、脫敏和修復作用。
5． 損傷閾值大於20W/cm²,CO2激光為0.3W/cm²,He-Ne激光為1.0W/cm²,因此安全性好.
6． 低劑量半導體激光表現為消炎鎮痛、消除充血和水腫的作用，功率增加後修復組織損傷、解痙和松解粘邊作用增強。
1.激光媒介：GaAlAs半導體。
2.終端輸出功率：每個激光器激光終端輸出最大功率為500mW±10%，出口處光斑直徑不大於10mm。
3.激光輸出波長：(810±30)nm。
4.光束發散角：φx=0.26 rad，φy=0.78 rad。
5.激光器輸出功率不穩定度St：≤10%。
6.探頭指示光波長：650nm±30nm。
7.定時范圍及精度：定時范圍0～30分鐘，分檔可調，步進30秒，定時誤差不大於±3%。
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