生長方法

　Growth Method

　DSS

　導電型號

　Conductive Type

　P

　摻雜劑

　Dopant

　B

　電阻率

　Resistivity（ρ）

　1.0 -3.0Ω·cm 

　少子壽命

　Minority Carrier Lifetime

　≥2μs(brick 矽塊)

　氧含量

　Oxygen Content(oi)

　≤1.0*1018 at/cm3

　碳含量

　Carbon Content(c)

　≤1.0*1017 at/cm3

　矽片尺寸

　Size

　156*156±0.5mm

　倒角線角度

　Bebel Edge Angle

　45°± 10°

　倒角線寬度

　Bebel Edge Width

　0.5-2mm

　矽片厚度

　Thickness

　200±20 μm

　總厚度變化

　TTV

　≤30μm

　線痕

　Saw Mark

　≤15μm

　彎曲度/翹曲度

　Bow/Warp

　≤75μm

　崩邊

　chip

　深度<0.3mm；長度<0.5mm。

　微裂紋

　Crack

　不允許

　外觀

　Appearance

　目視檢查無污點,缺口,孔洞和裂紋

　晶粒尺寸

　Crystal Grain

　≥1cm2