| 品牌 | 國產 | 型號 | MCR606 |
| 應用範圍 | 功率 | 功率特性 | 中功率 |
| 頻率特性 | 低頻 | 極性 | PNP型 |
| 結構 | 點接觸型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封裝形式 | 直插型 | 封裝材料 | 塑料封裝 |
| 截止頻率fT | 0（MHz） | 集電極最大允許電流ICM | 1.5（A） |
| 集電極最大耗散功率PCM | 0（W） | 營銷方式 | 廠家直銷 |
| 產品性質 | 熱銷 |
我以NPN三極管為例為你說明三極管的原理：
首先三極管是由兩個P-N結夠成，NPN三極管就是兩頭是N型，中間是P型。N端為電子端，P端為空穴端
在製造三極管時，要把發射區的N型半導體電子濃度做的很大，基區P型半導體做的很薄，當基極的電壓大於發射極電壓（硅管要大0.7V，鍺管要大0.3V）而小於集電極電壓時，這時發射區的電子進入基區，進行復合，形成IE；但由於發射區的電子濃度很大，基區又很薄，電子就會穿過反向偏置的集電結到集電區的N型半導體裡，形成IC；基區的空穴被復合後，基極的電壓又會進行補給，形成IB。
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