品牌: | INFINEON/英飛凌 | 型號: | SPW52N50C3 |
種類: | 絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型: | N溝道 |
導電方式: | 增強型 | 用途: | MOS-ARR/陳列組件 |
封裝外形: | P-DIT/塑料雙列直插 | 材料: | GE-N-FET鍺N溝道 |
開啟電壓: | 570(V) | 夾斷電壓: | 25(V) |
低頻跨導: | 10(μS) | 極間電容: | 6800(pF) |
低頻噪聲系數: | 10(dB) | 最大漏極電流: | 2.7(mA) |
最大耗散功率: | 10(mW) |
供應SPW52N50C3 分離式半導體產品
進口原裝 優勢熱賣 量大可申請特價
型號:SPW52N50C3
廠家:Infineon
類別:分離式半導體產品 |
FET 特點:標準型 |
家庭:MOSFET,GaNFET - 單 |
系列:CoolMOS™ |
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫歐 @ 30A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss):560V |
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:52A |
Id 時的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 2.7mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs:290nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :6800pF @ 25V |
功率 - 最大:417W |
安裝類型:通孔 |
封裝/外殼:TO-247-3 |
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Winne(張文清)
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