培訓方式:線下 |
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La萬
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14 200480006874 Ⅲ-V族單晶半導體化合物平衡壓力生長裝置與方法:
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18-BG61458 化合物半導體單晶及其生長用容器和制造方法1
19-BG61458 一種含氧金屬無機化合物單晶納米材料的低溫堿熔液合成方法8
20-BG61458 化合物單晶的制造方法和用于該制造方法的制造裝置3
21-BG61458 多元化合物半導體單晶的制備方法與生長裝置5
22-BG61458 一種化合物半導體GaAs單晶的改進型坩堝下降法生長方法6
23-BG61458 立方體形亞微米Ni基金屬間化合物單晶粒子的制備方法
24-BG61458 制備鉛的硫族化合物半導體單晶的裝置
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