| 種類：元素半導體 | 特性：光伏 | 用途：供生產太陽能電池片用 |
156*156多晶硅片規格標準：
生長方法 | Growth Method | DSS |
| 導電型號 | Conductive Type | P |
| 摻雜劑 | Dopant | B |
| 電阻率 | Resistivity（ρ） | 1.0 -3.0Ω·cm |
| 少子壽命 | Minority Carrier Lifetime | ≥2μs(brick 硅塊) |
| 氧含量 | Oxygen Content(oi) | ≤1.0*1018at/cm3 |
| 碳含量 | Carbon Content(c) | ≤1.0*1017at/cm3 |
| 硅片尺寸 | Size | 156*156±0.5mm |
| 倒角線角度 | Bebel Edge Angle | 45°± 10° |
| 倒角線寬度 | Bebel Edge Width | 0.5-2mm |
| 硅片厚度 | Thickness | 200±20 μm |
| 總厚度變化 | TTV | ≤30μm |
| 線痕 | Saw Mark | ≤15μm |
| 彎曲度/翹曲度 | Bow/Warp | ≤75μm |
| 崩邊 | chip | 深度<0.3mm；長度<0.5mm。 |
| 微裂紋 | Crack | 不允許 |
| 外觀 | Appearance | 目視檢查無污點,缺口,孔洞和裂紋 |
| 晶粒尺寸 | Crystal Grain | ≥1cm2 |
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