| ±1%以下(相對於最大刻度時間的比例)(1.2s范圍±1%±10ms以下) * |
| ±10%以下(相對於最大刻度時間的比例)±0.05s以下 * |
| 50ms *(起動輸入) |
| ±0.7%(相對於最大刻度時間的比例)以下(1.2s范圍±0.7%±10ms以下) |
| ±5%(相對於最大刻度時間的比例)以下(1.2s范圍±5%±10ms以下) |
| 100MΩ以上(DC500V兆歐表) |
| AC2,000V 50/60Hz 1min(充電金屬部與非充電金屬部之間) AC2,000V 50/60Hz 1min(控製輸出與操作回路之間) AC1,000V 50/60Hz 1min(非連續接點之間) |
| 3kV(電源端子之間)、4.5kV(導電部端子與外露的非充電金屬部之間) |
| 噪聲模擬器生成的方波噪聲(脈沖寬度100ns/1μs、上升沿1ns)±1.5kV |
| 4kV(誤動作)、8kV(毀壞) |
| 10～55Hz 單振幅0.75mm 3個方向 各2h |
| 10～55Hz 單振幅0.5mm 3個方向 各10min |
| 1,000m/s2 6個方向 各3次 |
| 100m/s2 6個方向 各3次 |
| 1,000萬次以上(無負載、開關頻率1,800次/h) |
| 10萬次以上(AC250V、5A、電阻負載、開關頻率360次/h) |
| (EMI) ；EN61812-1 放射妨害電場強度；EN55011 Group 1 class B 雜音端子電壓；EN55011 Group 1 class B 高諧波電流；EN61000-3-2 電壓變動、閃爍；EN61000-3-3 (EMS)； EN61812-1 靜電放電抗擾性；EN61000-4-2： 6kV接觸、8kV 大氣中 射頻電磁場輻射抗擾(AM調頻)； EN61000-4-3： 10V/m(80MHz～1GHz) 脈沖群抗擾性；EN61000-4-4： 2kV 電源線、1kV I/O信號線 浪湧抗擾性；EN61000-4-5： 2kV大地間、1kV線間 |
| IP30(端子部IP20) |
| 約100g |
| 詳情請參見“標準認證機型一覽表”。 |
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