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[8133-0046-0001] 大有機器件及其制造方法
[摘要] 大而輕的有機器件(32)及其制備方法。具體來說提供軟(20)和硬(10)的重量輕的塑料器件。軟塑料(20)可以由卷來設置。在軟塑料(20)上制造金屬網格(22)，以在大面積上提供電流傳導性。在金屬網格(22)設置透明氧化物層(24)，形成有機器件(32)的底部電極。在透明氧化物層(24)上設置發光或聚光有機層(26)。在有機層(26)上設置第二電極(28)。電極(34)與金屬網格(22)和第二電極(28)偶聯，提供通向或來自有機層(26)的電流。根據用于有機層(26)的材料類型，有機器件(32)可以包括區域照明器件或光電器件。
[8133-0198-0002] 用于沉積含硅薄膜的前體及其方法
[摘要] 使用下式的肼基硅烷作為氮化硅、氧化硅和氮氧化硅在基材上的硅電介質沉積的前體的方法：[r12n-nh]nsi(r2)4-n其中各r1獨立選自c1-c6的烷基；各r2獨立選自氫，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1-4。這些肼基硅烷的一些是新型前體。
[8133-0121-0003] 導電材料的印刷裝置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序
一種導電材料的印刷裝置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序，通過一邊使搬送清洗用棉紗薄片(37)的未使用面與印刷掩膜(31)的轉印面接觸，一邊使卷出輥(32)、吸引輥(33)、卷取輥(34)、溶劑供給部(36)、以及鼓風機(35)在與帶狀基板(21)的搬送方向相垂直的方向上一體水平移動，而沿著帶狀基板(21)的寬度方向對印刷掩膜(31)進行清洗。從而使焊錫軟膏的印刷中所使用的印刷掩膜的清洗時間縮短。
[8133-0132-0004] 電容器及其制備方法
[摘要] 本發明關于一種半導體裝置用電容器的制造方法，包含下列步驟：于基板上形成層間絕緣層；通過蝕刻層間絕緣層以形成局部露出部分基板的儲存節點接觸孔；形成儲存節點接觸點使埋入接觸孔內并具有與層間絕緣層表面相同的平面位準；在層間絕緣層上形成儲存節點氧化物層；通過蝕刻儲存節點氧化物層而形成一露出儲存節點接點的儲存節點孔；通過下凹或通過局部地移除露出儲存節點接點的上部部分而形成沿著向下方向呈中空形式的支撐孔；以及形成一個具有圓柱體結構且與儲存節點接點電連接的儲存節點。
[8133-0218-0005] 非易失性存儲元件
[摘要] 本發明提供一種非易失性存儲元件，其包含于一n型阱上形成共用一p摻雜區的一第一pmos晶體管包含一控制柵極及一第二pmos晶體管包含一源極、一漏極、及一浮置柵極，該方法還包含提供該第一pmos晶體管一第一偏壓以使該第一pmos晶體管得以導通、提供該第二pmos晶體管一第二偏壓以使該第二pmos晶體管產生一柵極電流、以及依據該第二pmos的浮置柵極與漏極之間的電位差來調整該浮置柵極與該漏極、該源極、該控制柵極、及該n型阱之間的耦合電容。
[8133-0117-0006] 激光能量自動控制系統與方法
[摘要] 本發明公開一種激光能量自動控制系統與方法。該方法包括：首先，提供一襯底。接著，測量襯底的氫含量值。然后，評估氫含量值是否小于一氫含量臨界值。若氫含量大于氫含量臨界值，則發出一警示信號。若氫含量不大于氫含量臨界值，則測量襯底的厚度值。另外，建立各襯底厚度值與各激光能量值的一個對比表。接著，藉由對比表評估對應厚度值的一個激光能量值。最后，以激光能量值為依據施加一對應激光能量于襯底。本發明還提供實行該方法所需的系統。
[8133-0139-0007] 封裝光學半導體元件的樹脂，含該封裝元件的設備及其制法
[摘要] 該樹脂封裝的光學半導體元件的一種光學半導體設備；和生產光學半導體設備的方法，用于光學半導體元件的封裝的樹脂，它包括具有特定結構的聚碳化二亞胺；包括用它包括將樹脂放置在光學半導體元件上和加熱該樹脂的兩個步驟。該樹脂能夠使光學半導體元件保持高亮度，當它是發光元件時，和保持高的光檢測敏感性，當它是光檢測器時，并能夠使光學半導體元件容易地封裝。
[8133-0195-0008] 等離子體處理裝置及聚焦環
[摘要] 本發明提供可以在被處理基板的整個面上實施均勻的等離子體處理，與目前相比可以提高等離子體的面內均勻性的等胱猶宕磣爸靡約熬勱夠貳ｔ詿鈐匕氳繼寰?w)而兼作下部電極的基座上，按照包圍半導體晶片(w)的周圍那樣設置聚焦環(6)。聚焦環(6)由薄板狀的環形部件(6a)和下側環形部件(6b)組成，前述薄板狀的環形部件(6a)按照從前述被處理基板的外周邊緣部設置一定間隔而包圍半導體晶片(w)的周圍那樣配置，前述下側環形部件(6b)按照位于半導體晶片(w)和薄板狀的環形部件(6a)之間且位于半導體晶片(w)和薄板狀的環形部件(6a)下側那樣配置。
[8133-0118-0009] 具有平臺式隔離的應變通道場效應晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明提出一種具有平臺式隔離的應變通道場效應晶體管及其制造方法。本發明的具有平臺式隔離的應變通道場效應晶體管包括一絕緣層和多個島狀的應變硅主動層。其中，島狀的應變硅主動層設于絕緣層之上，且島狀的應變硅主動層彼此分隔。
[8133-0208-0010] 使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置
[摘要] 使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置，在沒有特別處理的軟件系統中，通過改變為存儲單元測試而調節的基準電壓和計時，能夠對存儲單元陣列特性進行精確測試。在實施例中，通過使用非易失性鐵電體存儲器，對測試模式和數據引線分配進行了編程，并且根據所編制的編碼，在軟件系統中，調節地址、控制信號和數據引線分配。結果，不需要特別處理，就可精確地測試單元陣列的特性。
[8133-0045-0011] 壓電器件及其方法
[8133-0211-0012] 具有多柵極絕緣層的半導體裝置及其制造方法
[8133-0153-0013] 集成電路器件及其制造方法
[8133-0049-0014] 清潔氣和蝕刻氣
[8133-0143-0015] 半導體器件及其制造方法
[8133-0136-0016] 半導體集成裝置及其制造方法
[8133-0036-0017] 漏極開路電路的mosfet及其半導體集成電路器件
[8133-0177-0018] 發光光源、發光光源陣列和采用該發光光源的設備
[8133-0031-0019] 一種有機發光顯示裝置
[8133-0190-0020] 半導體襯底、其制造方法以及半導體器件的制造方法
[8133-0209-0021] 布線圖形埋入檢查方法、半導體器件制造方法及檢查裝置
[8133-0096-0022] 填膠組合物
[8133-0210-0023] 在同一層次處制造金屬絕緣體金屬電容器和電阻器的方法
[8133-0038-0024] 埋入柵型半導體器件
[8133-0013-0025] pmos管解決cslic1b01集成電路失效的方法
[8133-0088-0026] 氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體元件
[8133-0076-0027] 處理裝置和處理方法
[8133-0171-0028] 半導體器件及其制造方法
[8133-0048-0029] 電阻加熱式單晶片腔室中的摻雜的硅沉積工藝
[8133-0149-0030] 半導體器件、電子設備及它們的制造方法和電子儀器
[8133-0113-0031] 在半導體裝置中形成阻擋金屬的方法
[8133-0098-0032] 接觸連接電組件至具導體結構基板的方法
[8133-0148-0033] 半導體器件、電子設備及它們的制造方法和電子儀器
[8133-0003-0034] 硅化鈷膜形成方法和具有硅化鈷膜半導體裝置的制造方法
[8133-0064-0035] 具氫陰障層的微電子結構
[8133-0156-0036] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法和半導體集成電路及系統
[8133-0173-0037] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜
[8133-0214-0038] 半導體器件及其制造方法
[8133-0091-0039] 具儲存效應的開關裝置
[8133-0071-0040] 制造發光裝置的方法
[8133-0193-0041] 粘性帶的施加方法及設備
[8133-0202-0042] 電子元件封裝結構及其制造方法
[8133-0119-0043] 具有由氨氣中側氮化處理的多金屬柵結構的柵電極的半導體器件
[8133-0204-0044] 引線接合方法及引線接合裝置
[8133-0012-0045] 熔絲結構的形成方法
[8133-0044-0046] 一種制備釔鋇銅氧高溫超導膜的方法
[8133-0002-0047] 側壁阻擋結構及制造方法
[8133-0131-0048] 形成金屬導線的板及使用該板形成金屬導線的方法
[8133-0168-0049] 改善主動式有機發光二極管的顯示均勻度的方法
[8133-0170-0050] 具有存儲功能的單電子晶體管及其制造方法
[8133-0163-0051] 集成電路裝置
[8133-0185-0052] 半導體晶片的處理裝置
[8133-0066-0053] 高頻集成電路(hfic)微系統組件及其制作方法
[8133-0092-0054] 基板處理方法和裝置、半導體裝置的制造裝置
[8133-0122-0055] 尤其用于半導體裝置之殼體、半導體裝置腳及腳制造方法
[8133-0033-0056] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[8133-0085-0057] 橫向pin二極管及其處理方法
[8133-0082-0058] 用于判定加工層膜均勻性的方法及裝置
[8133-0151-0059] 半導體器件及其制作方法
[8133-0166-0060] 半導體晶片，固態成像器件和光學器件模塊及二者的制造方法
[8133-0180-0061] 元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
[8133-0141-0062] 半導體器件及其制造方法
[8133-0029-0063] 具有冗余功能的半導體裝置
[8133-0093-0064] 蝕刻液組合物
[8133-0062-0065] 沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半導體集成電路
[8133-0001-0066] 鐵電薄膜及其形成方法
[8133-0137-0067] 覆晶封裝結構
[8133-0147-0068] 半導體芯片及其制作方法
[8133-0019-0069] 負熱膨脹系統器件及微電子封裝中的導電彈性體互連
[8133-0133-0070] 半導體裝置的制造方法
[8133-0157-0071] 鐵電電容器及其制造方法
[8133-0217-0072] 集成半導體裝置及其制造方法
[8133-0199-0073] 激光輻照方法，用于制造半導體器件的方法，以及激光輻照系統
[8133-0120-0074] 具有出色抗水能力的半導體器件
[8133-0067-0075] 無焊劑倒裝芯片互連
[8133-0175-0076] 硅光電器件及其制造方法以及圖像輸入和/或輸出設備
[8133-0176-0077] 表面粘著型發光二極管的制造方法
[8133-0069-0078] 具鉛直mos晶體管之dram胞元排列及其制造方法
[8133-0102-0079] 電氣元件的基片及其制造方法
[8133-0158-0080] 具有拼合頂板結構的鐵電記憶體裝置及其制造方法
[8133-0056-0081] 半導體集成電路
[8133-0135-0082] 具有在位線方向延伸以接觸存儲節點的接觸體的半導體器件的制造方法
[8133-0053-0083] 以沉積工藝將互連區域選擇性合金化的方法
[8133-0154-0084] 半導體電路裝置以及該電路仿真方法
[8133-0015-0085] 用于校驗受研究系統的完整模型的屬性的方法和系統
[8133-0112-0086] 拋光墊及制造半導體器件的方法
[8133-0017-0087] 制造帶有納米點的存儲器的方法
[8133-0059-0088] 用于雙柵極邏輯器件的中間制品
[8133-0034-0089] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8133-0107-0090] 半導體裝置的制造設備的清潔方法
[8133-0041-0091] 高晶格匹配性的發光元件
[8133-0130-0092] 具有多層布線層的半導體器件及其制造方法
[8133-0070-0093] 寬光譜含鋱石榴石磷光體及其結合構成的白色光源
[8133-0109-0094] 硅化鐵和光電換能器的制造方法
[8133-0138-0095] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8133-0115-0096] 用于改善銅金屬層對勢壘層的粘附性的半導體器件制造方法
[8133-0178-0097] 一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
[8133-0024-0098] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0083-0099] 具有電鍍電阻器的印刷電路板的制造方法
[8133-0111-0100] 濕式處理裝置
[8133-0124-0101] 半導體集成電路裝置及其檢查方法和制造方法
[8133-0167-0102] 固體攝像元件及其驅動方法
[8133-0042-0103] 氮化鎵基ⅲ-ⅴ族化合物半導體led的發光裝置及其制造方法
[8133-0023-0104] 電路裝置及其制造方法
[8133-0150-0105] 高品質因子的電感和制造方法
[8133-0161-0106] 半導體內存組件及其制造方法
[8133-0073-0107] 第ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
[8133-0095-0108] 強電介體薄膜的制造方法
[8133-0187-0109] 半導體晶片的覆晶凸塊制造方法
[8133-0216-0110] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
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[8133-0079-0112] 化學機械拋光裝置用晶片定位環
[8133-0165-0113] 光器件的制造方法
[8133-0169-0114] 電荷傳送元件
[8133-0159-0115] 強電介質薄膜及其制造方法、強電介質存儲元件、強電介質壓電元件
[8133-0186-0116] 應用于集成電路的圖案化的方法
[8133-0104-0117] 半導體裝置及其制造方法
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[8133-0183-0119] 半導體器件的制造方法以及半導體器件
[8133-0022-0120] 半導體器件及其制造方法
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[8133-0129-0128] 有布線連接結構的電子器件的制造方法
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[8133-0192-0134] 壓印制造方法、其制造裝置、磁記錄媒體的制造方法及其制造裝置
[8133-0140-0135] 半導體器件及其制造方法、電路基板和電子設備
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[8133-0181-0139] 半導體器件及其制造方法
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