微結構,半導體,半導體設備,半導體封裝最新技術匯編(168元/全套)
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[8137-0035-0001] 光電元件
[摘要] 本發明提供了一種光電元件，包括p型半導體層和由氧化銦錫構成的透明導電層，它們以面對面的方式結合在一起，其中，透明導電層的氧化錫含量與錫含量之和在層厚方向上變化，并在p型半導體層與透明導電層的結合面處達到最小值。由此提供的光電元件具有較高的光電轉換效率，即使長時間暴露于強烈的光照之下，其光電轉換效率的下降也極小。
[8137-0149-0002] 電路裝置提供系統和服務器計算機
[摘要] 本發明的電路裝置提供系統和服務器計算機，可以高效率地提供由絕緣性樹脂覆蓋并支撐的沒有支撐基板的電路元件組成的電路爸謾ｓ沒е斬?設備制造商)(10)和用戶終端(部件制造商)(12)通過因特網(14)與isb服務器(16)連接。用戶(設備制造商)從用戶終端(10)輸入希望的isb應滿足的條件，通過因特網(14)發送到isb服務器(16)。isb服務器(16)將接收到的條件依次存儲到數據庫(18)，而且根據接收到的條件向isb安裝工廠(20)提供用于制造isb的制造數據，例如掩膜數據和部件配置數據。在isb安裝工廠(20)，根據提供的制造數據制造isb提供給用戶。部件制造商通過因特網(14)可提供用于isb的部件數據，注冊到數據庫(18)。
[8137-0185-0003] 半導體裝置
在半導體基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在該硅氧化膜(8)上形成溝(8a)。在溝(8a)內隔著阻擋層金屬(10)形成作為隔斷層的銅反射層(12a)。形成硅氧化膜(14)，以覆蓋該銅反射層(12a)。在該硅氧化膜(14)上設置含多個熔絲(16a)的熔絲形成區(15)。在銅反射層(12a)上形成為使激光光線反射而向下方凹入的凹狀反射面。銅反射層(12a)被平面地配置，大致重疊在熔絲形成區的整個區域上。抑制熔絲熔斷時激光光束的影響波及熔絲形成區近旁，獲得可實現小型化的半導體裝置。
[8137-0019-0004] 用于射頻集成電路的電感器
[摘要] 本發明公開了一種用于射頻集成電路的電感器。該電感器包括多個單元電感器，每個單元電感器都具有豎向螺旋結構，其中，從多個單元電感器中選出的至少一個單元電感器的豎向截面是倒置的梯形。
[8137-0137-0005] 具有氮化物系異質結構的器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供了一種容易實現具有在一個分子層水平上的平坦性的外延的氮化物系異質結構的器件及其制造方法。本發明的器件具有：表面氮化的c面蘭寶石基片1，gan緩沖層2，n極性gan層3，n極性aln層4，n極性inn/ingan多重層器件結構5，al極性aln6和gan蓋層7。
[8137-0083-0006] 芯片在薄膜上的半導體器件及其制造方法
[摘要] 按照本發明，cof半導體器件的制造方法包括：步驟(a)，對在其表面上設置了多個布線圖形的絕緣帶的表面涂敷絕緣樹脂成分；步驟(b)，在絕緣樹脂成分尚未固化的條件下可通過加壓使半導體元件與布線圖形接觸；以及步驟(c)，借助于使絕緣樹脂成分固化，將半導體元件固定到布線圖形上，從而進行電連接，其中，cof半導體器件的制造方法還包括步驟(d)，在涂敷絕緣樹脂成分之前、之中和/或之后，從背面一側對絕緣帶進行預熱。
[8137-0214-0007] 用于通過局部氣流增強來生成超凈微環境的設備和方法
[摘要] 提供了一種用于在機械性活動傳輸接口的局部區域中產生減少了微粒的環境的方法。氣流的增強產生了掃氣氣流，以去除所希望的區域中或周圍的微粒。增強的氣流將消除靜態或紊流氣流區域，從而有助于從基板的附近去除潛在的微粒。這將防止微粒淀積在基板上，從而提升合格率并改進質量。
[8137-0097-0008] 切割/沖模-結合膜，固定碎片機件和半導體設備的方法
[摘要] 一種切割/沖模-結合膜，其包括在支撐基底材料(1)上的壓敏粘合劑層(2)和在壓敏粘合劑層(2)上的迥?結合粘合劑層(3)，其中壓敏粘合劑層(2)和沖模-結合粘合劑層(3)之間界面的剝離性在對應于沖模-結合粘合劑層(3)中機件-附著區(3a)的界面(a)和對應于部分或全部其他區域(3b)的界面(b)之間是不同的，而界面(a)的剝離性高于界面(b)的剝離性。這種切割/沖模-結合膜在切割機件過程中的保持力和將切割的碎片機件連同沖模-結合粘合劑層一起剝離過程中的剝離性之間的平衡方面極優異。
[8137-0172-0009] 結構強化的開窗型半導體封裝件
[摘要] 一種結構強化的開窗型(window-type)半導體封裝件，是在一開設有開孔的基板上接置至少一芯片，使芯片的作用表面覆蓋住、并部分外露于開孔中，從而形成在開孔中的焊線電性連接至基板；然后，敷設一不具導電性的材料至芯片上除作用表面外的部位；接著，在基板上形成一上封裝膠體以包覆芯片及不具導電性的材料，并形成一下封裝膠體，使下封裝膠體填充至基板的開孔中且包覆住焊線。使用不具導電性的材料，在形成上封裝膠體前包覆芯片，能夠避免芯片(尤其在經歷較大熱應力的角落或邊緣部位)在后續制程中，如上封裝膠體固化或熱循環中，產生裂損，確保半導體封裝件的品質及可靠性。
[8137-0062-0010] 氟對于半導體工作室的低于一個大氣壓供給
[摘要] 本發明針對用于工藝設備，尤其是半導體工作室清洗設備，從真空到正好小于一個絕對大氣壓范圍的任何壓力水平的多方面操作的工藝和系統。本發明的系統提供了能夠在低于一個大氣壓的壓力下貯存氣體的貯存容器以及真空泵。通過使用真空泵，該容器在沒有加壓至大氣壓之上的情況下貯存適量的氣體。因此，由于真空泵將容器中的內容物抽出低至大約1乇，該容器的整個容量能夠供給工藝過程。另外，當提供一個安全的氣體貯存容器時，由于供給氣體決不貯存在超過一個絕對大氣壓的壓力條件下，氣體能夠以恒定的壓力供給。結果，容器中的任何漏氣會使容器的內容物保持在容器中，周圍大氣中的空氣會進入容器中。
[8137-0173-0011] 高度濕敏電子器件元件及其制造方法
[8137-0002-0012] 制造帶有錐形平頂側壁膜的半導體設備的方法
[8137-0195-0013] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0027-0014] 具有側向偏移存儲節點的動態隨機存取存儲器單元及其制造方法
[8137-0174-0015] 一種防止翹曲現象發生的基板
[8137-0052-0016] 有機半導體器件
[8137-0201-0017] 功率半導體元件
[8137-0029-0018] 分子器件和陣列、整流器件和方法、傳感器件及相關器件
[8137-0054-0019] 半導體裝置、退火方法、退火裝置和顯示裝置
[8137-0038-0020] 發光裝置的制造方法
[8137-0088-0021] 當用引線鍵合器鍵合時確定最佳鍵合參數的方法
[8137-0156-0022] 濕蝕刻裝置
[8137-0001-0023] 微結構之制造方法及微結構之排列
[8137-0034-0024] 用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜和使用該多晶硅薄膜的器件
[8137-0043-0025] 發光二極管
[8137-0081-0026] 電路裝置的制造方法
[8137-0178-0027] 傳導葉片
[8137-0155-0028] 半導體制造過程的清洗裝置及海綿輥子
[8137-0065-0029] 工藝余量的評價方法、測定條件的設定方法和程序
[8137-0073-0030] 半導體裝置的制造方法
[8137-0206-0031] 半導體器件及其制造方法
[8137-0014-0032] 半導體器件及其制造方法
[8137-0100-0033] 用于例如集成電路的薄層的制造方法
[8137-0129-0034] 鐵電存儲晶體管及其形成方法
[8137-0089-0035] 圖形計測方法、使用其的半導體器件制造方法和圖形計測裝置
[8137-0217-0036] 制造高電容極間電介質的方法
[8137-0197-0037] 根據集成電路的溫度變化實施的操作控制
[8137-0199-0038] 罩幕式只讀存儲器的結構及其制造方法
[8137-0190-0039] 電子裝置
[8137-0212-0040] 膜形成方法
[8137-0146-0041] 用于有機發光二極管制造的激光熱轉移間隙控制
[8137-0175-0042] 半導體裝置
[8137-0074-0043] 具有不對稱邊緣輪廓的半導體晶片及其制造方法
[8137-0138-0044] 發光二極管與背景光裝置
[8137-0037-0045] 微機電系統裝置
[8137-0032-0046] 用自對準硅化物工藝形成的mosfet及其制造方法
[8137-0104-0047] 電路基板、帶凸塊的半導體元件的安裝結構和電光裝置
[8137-0060-0048] 用于半導體工作室的氟氣熱活化
[8137-0072-0049] 等離子體摻雜方法及等離子體摻雜裝置
[8137-0036-0050] 光電轉換元件
[8137-0139-0051] 用于車輛使用的波長轉換元件
[8137-0046-0052] 發光裝置及顯示裝置
[8137-0168-0053] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0161-0054] 集成電路封裝基板的金屬電鍍方法
[8137-0092-0055] 故障分析方法
[8137-0042-0056] 發光裝置
[8137-0125-0057] 背面入射型攝像傳感器
[8137-0090-0058] 表面檢查的方法和設備
[8137-0049-0059] 壓電體膜的制造方法、壓電體元件和噴墨式記錄頭
[8137-0110-0060] 用于裝載半導體芯片的封裝及半導體器件
[8137-0148-0061] 硅薄膜結晶方法、用該方法的薄膜晶體管及其平板顯示器
[8137-0079-0062] 制造使用雙重或多重柵極的薄膜晶體管的方法
[8137-0078-0063] 照射激光的方法、激光照射系統和半導體器件的制造方法
[8137-0018-0064] 集成電路設備及用于該設備的系統
[8137-0020-0065] 共享的易失和非易失存儲器
[8137-0135-0066] 光電變換裝置
[8137-0171-0067] 雙自行對準硅化物制造方法
[8137-0006-0068] 半導體器件的制造方法
[8137-0126-0069] 固體攝像器件
[8137-0207-0070] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0120-0071] 半導體存儲裝置以及裝載它的電子裝置
[8137-0004-0072] 集成電路布線設計裝置和方法
[8137-0084-0073] 電路裝置的制造方法
[8137-0130-0074] 半導體器件及其制造方法
[8137-0085-0075] 電路裝置的制造方法
[8137-0070-0076] 發熱體cvd裝置及發熱體cvd裝置中的發熱體與電力供給機構之間的連接構造
[8137-0047-0077] 半導體發光器件
[8137-0101-0078] 用以解決集成電路實體設計中時序違反問題的方法和系統
[8137-0087-0079] 用于載帶自動焊的載帶
[8137-0180-0080] 用于小型電子設備的照相機組件
[8137-0113-0081] 半導體器件及其制造方法
[8137-0154-0082] 具有不同厚度柵極絕緣膜的半導體器件的制造方法
[8137-0181-0083] 一種可改善阻抗匹配的打線墊結構
[8137-0162-0084] 用于集成電路的線夾
[8137-0209-0085] 以無機鹽為前驅物制備隔離層的方法
[8137-0063-0086] 半導體晶片及其制造方法
[8137-0067-0087] 抗蝕劑填入方法和半導體器件的制造方法
[8137-0158-0088] 多晶硅的蝕刻方法
[8137-0164-0089] 集成電路封裝測試設備
[8137-0203-0090] 半導體襯底及其制造方法和半導體器件及其制造方法
[8137-0091-0091] 半導體晶片的檢驗方法
[8137-0005-0092] 薄膜半導體集成電路及其制造方法
[8137-0127-0093] cmos圖像傳感器
[8137-0193-0094] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0114-0095] 封裝半導體器件
[8137-0140-0096] 半導體發光器件以及制造半導體發光器件的方法
[8137-0218-0097] 拋光狀態監視方法、拋光狀態監視裝置、拋光設備、加工晶片、半導體器件制造方...
[8137-0030-0098] 雙極晶體管及其制造方法
[8137-0208-0099] 發光二極管及其制造方法
[8137-0121-0100] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0106-0101] 電路裝置及其制造方法
[8137-0107-0102] 半導體器件及其制造方法
[8137-0099-0103] 制造自對準交叉點存儲陣列的方法
[8137-0119-0104] 半導體集成電路裝置
[8137-0053-0105] 噴嘴清掃裝置以及具備該噴嘴清掃裝置的基板處理裝置
[8137-0023-0106] 磁存儲裝置及其制造方法
[8137-0056-0107] 襯底處理方法、加熱處理裝置和圖形形成方法
[8137-0186-0108] 熔絲裝置以及應用該裝置的集成電路裝置
[8137-0077-0109] 裝有包括多孔結構電介質薄膜的半導體器件及其制造方法
[8137-0015-0110] 光耦合半導體器件及其制造方法
[8137-0093-0111] 圖案復制掩模、半導體裝置制造方法及掩模圖案制作用程序
[8137-0108-0112] 半導體封裝阻燃環氧樹脂組合物以及半導體器件
[8137-0192-0113] 具有多個穩定存儲狀態的單電子存儲器及制法
[8137-0160-0114] 半導體裝置的制造方法
[8137-0044-0115] 使化合物半導體層激活成為p-型化合物半導體層的方法
[8137-0167-0116] 在半導體基底之中形成淺溝槽隔離物的方法
[8137-0076-0117] 等離子體處理方法
[8137-0010-0118] 具有導管的高性能被動冷卻裝置
[8137-0211-0119] 容性動量傳感器
[8137-0163-0120] 基于增強型的參數化引用定值鏈的可觀測性覆蓋評估方法
[8137-0026-0121] 自對準分離柵極與非閃存及制造方法
[8137-0205-0122] 半導體器件及其制造方法
[8137-0169-0123] 在硅基底中形成絕緣膜的方法
[8137-0011-0124] 半導體散熱裝置的組合件
[8137-0055-0125] 防止電子器件氧化的裝置及方法
[8137-0196-0126] 半導體裝置及其制造方法
[8137-0194-0127] 半導體器件結構及其制造方法
[8137-0143-0128] 磁感應器及其制作方法
[8137-0094-0129] 半導體器件及其制造方法
[8137-0198-0130] 半導體存儲器件及其控制方法
[8137-0071-0131] 半導體器件及其制造方法以及等離子加工裝置
[8137-0131-0132] 半導體器件及其制造方法
[8137-0184-0133] 半導體器件及其制造方法、電路板、電子裝置和半導體器件制造裝置
[8137-0115-0134] 用于判定主塊優先權的參數產生電路及產生參數的方法
[8137-0182-0135] 半導體器件
[8137-0123-0136] 基于電編程三維存儲器的集成電路自測試方法
[8137-0141-0137] 白光發光裝置
[8137-0028-0138] 非易失性存儲裝置
[8137-0200-0139] 光檢測電路
[8137-0187-0140] 靜電放電保護電路及其設計方法
[8137-0152-0141] 半導體器件的制造方法
[8137-0021-0142] 半導體器件
[8137-0009-0143] 電子部件裝設方法和電子部件裝設工具
[8137-0105-0144] 鋁-陶瓷組合構件
[8137-0191-0145] 基于庫侖阻塞原理設計的單電子三值存儲器及其制備方法
[8137-0075-0146] 使用樹脂粒子的半導體襯底上的有機膜的研磨方法和料漿
[8137-0069-0147] 半導體膜及其制造方法及使用它的半導體器件與顯示設備
[8137-0059-0148] 等離子處理裝置
[8137-0116-0149] 開關電路裝置
[8137-0128-0150] 雙極型晶體管
[8137-0179-0151] 平板傳熱裝置及其制造方法
[8137-0051-0152] 構造有機發光顯示器電極的方法和裝置
[8137-0061-0153] 高壓處理方法及高壓處理裝置
[8137-0109-0154] 帶有改進的散熱器結構的半導體裝置
[8137-0145-0155] 具有改進的光輸出的有機發光二極管器件
[8137-0124-0156] 非易失性半導體存儲器
[8137-0024-0157] 半導體器件及其制造方法
[8137-0098-0158] 半導體記憶組件的設計及制造方法
[8137-0170-0159] 半導體器件和其制造方法
[8137-0039-0160] 發光裝置
[8137-0122-0161] 電編程三維集成存儲器
[8137-0096-0162] 埋入式配線結構的制造方法
[8137-0048-0163] 用于形成壓電體膜的組合物、壓電體膜的制造方法、壓電體元件和噴墨式記錄頭
[8137-0188-0164] 半導體設備
[8137-0007-0165] 半導體內存埋入式位線之制造方法
[8137-0012-0166] 集成電路裝置與電子裝置
[8137-0003-0167] 在集成電路的設計中使用的供電路徑的結構
[8137-0025-0168] 半導體存儲器、半導體器件以及半導體器件的控制方法
[8137-0176-0169] 電子器件散熱器及裝備該件的電路板和等離子顯示器面板
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[8137-0136-0174] led器件
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[8137-0166-0189] 淺溝槽隔離結構的形成方法
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