半導體,半導體結構,氮化物半導體器件,半導體集成類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8130-0174-0001] 具有形成凹凸的基板的半導體發光元件
[摘要] 本發明提供一種具有形成凹凸的基板的半導體發光元件。在基板(10)的表面部分上形成使發光區域(12)產生的光散射或繞射的至少一個凹部(20)和/或凸部(21)。凹部及/凸部形成使半導體層(11，13)上不產生結晶缺陷的形狀。
[8130-0010-0002] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：半導體芯片，該芯片形成有半導體元件或集成電路，在表面上形成低介電常數絕緣膜，并且以突出該低介電常數絕緣膜的形態在該表面上形成多個凸點電極；布線基板，該基板具有與所述凸點電極電連接的多個連接電極；以及樹脂密封體，填充作為所述半導體芯片和所述布線基板之間的空間，并且填充排列了電連接的所述凸點電極和所述連接電極的該空間；其中，所述樹脂密封體具有助熔劑功能，由在所述凸點電極和所述連接電極連接時所述凸點電極為熔融狀態時從液體狀態變為固體的樹脂構成。
[8130-0007-0003] 用于防止集成電路過熱的故障保護機制
這里描述了用于防止集成電路(IC)過熱的技術。根據一個實施例，示例過程包括獨立于集成電路(IC)的工作狀態，檢測IC的溫度是否超過閾值，以及如果IC的溫度超過閾值，則從IC去掉至少一部分電源。本發明還描述了其他方法和裝置。
[8130-0146-0004] 通過ILD柱結構性加強多孔隙、低K介電薄膜
[摘要] 機械加強多孔隙、低k介電材料，使得能夠使用這些低k材料作為高級集成電路中的層間電介質，例如那些在Cu大馬士革互連技術中加入多孔隙ILD材料的集成電路。使用這種機械加強的ILD的集成電路通常包括具有在其中互連的電氣元件的基底、放置在基底上方的第一介電層、放置在第一介電層上方的多個電絕緣結構和放置在第一介電層上方的第二介電層，第二介電層環繞多個結構。制造機械加強的、多孔隙、低k的ILD的處理通常包括在基底上形成第一介電層、給第一介電層構圖，從而形成多個結構，結構各具有一個上表面、在結構上方和周圍形成第二介電層，第二介電層具有一個上表面、以及拋光第二介電層，使其上表面與結構上表面大致一般齊。結構可以是矩形柱體或更復雜的幾何形狀。結構可以是相同的或各種形狀的組合。
[8130-0162-0005] 半導體工藝用的具有遠程第二陽極的電鍍系統
[摘要] 本發明提供一種用于半導體晶片(66)的電鍍系統(50)，該系統包含通過循環系統(52、56、58)連接至電鍍溶液儲存槽(60)的電鍍腔體(52)。該半導體晶片(66)和惰性主陽極(64)用于陰極并在電鍍腔體(52)中。在電鍍溶液儲存槽(60)內的可消耗式遠程次陽極(75)提供用于電鍍的金屬離子。
[8130-0173-0006] 光源連接件、發光裝置、圖案化導體以及用于制造光源連接件的方法
[摘要] 本發明提供了一種無需使用印刷電路板以低成本制造而成的光源組件，即使在少量生產的情況下也是如此，這種光源組件的特征在于，包括多個光源和一個沿著光源排列方向進行延伸的連接導體結構，用以連接這些光源，并且這種連接導體結構通過根據需要切除一個具有預定圖案的大體平整導體上的必要部分而形成。因此，通過改變圖案化導體上的切除部分，可以利用同一種圖案化導體在一條生產線上成形具有任意光源連接圖案的光源組件。因此，這種光源組件以低成本高效地制造而成，即使在少量生產的情況下也是如此。
[8130-0137-0007] 光電池
[摘要] 一種制造光電池的方法，包括使交聯劑與半導體粒子接觸，并將半導體粒子摻入光電池。
[8130-0026-0008] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種樹脂密封型半導體裝置及其制造方法，即使將發熱量大的第一半導體芯片和發熱量小的第二半導體芯片一體地由樹脂密封，也沒有影響。由在各外引線25A、25A…上引線接合外部電極引出用的焊盤16、16的發熱量大的第一半導體芯片15和在各外引線25B、25B…上引線接合外部電極引出用焊盤18、18的比第一半導體芯片放發量小的第二半導體芯片17形成，利用高導熱性樹脂28模制所述第一半導體芯片15，并利用非高導熱性樹脂31一體地模制第二半導體芯片17和由高導熱性樹脂模制的第一半導體芯片15。
[8130-0089-0009] 具有輸入輸出端子可配置功能的芯片及其方法
[摘要] 本發明涉及一種具有輸入輸出端子可配置功能的芯片，包括芯片內核部分，可控輸入輸出驅動電路組，芯片端子組；其特點在于，還包括多個映射轉換單元和一個映射控制單元，所述芯片內核的每一需要支持可配置的輸入端口通過一個映射轉換單元與多個輸入輸出驅動電路的輸入端連接，所述芯片內核的多個輸出端口通過一個映射轉換單元與一需要支持可配置的芯片端子所對應連接的輸入輸出驅動電路的輸出端連接，所述映射控制單元與映射轉換單元的控制端相連，并對其進行控制。利用本發明所述芯片可以和管腳位置不兼容的多個芯片有效互連，從而大大降低器件的體積，提高信號完整性，降低元件互連之間的復雜度，同時減少布線所占空間，降低設計和加工成本。
[8130-0058-0010] 半導體鰭式元件的接觸窗及其制造方法
[摘要] 一種半導體鰭式元件的接觸窗(Fin Device Contact)及其制造方法，此半導體鰭式元件的接觸窗位于半導體鰭的上表面、兩側壁表面及/或至少一端表面上，而與半導體鰭式元件的源極/漏極之間具有相當大的接觸面積。
[8130-0210-0011] 存儲器胞元,存儲器胞元排列及制造方法
[8130-0055-0012] 硅基微機械微波/射頻開關芯片的制備方法
[8130-0067-0013] 防止阻擋層被過度蝕刻的方法與結構及其應用
[8130-0151-0014] 用于集成電路的冷卻裝置
[8130-0053-0015] 具高效率散熱的發光二極管模塊
[8130-0074-0016] 靜電吸盤的制造方法
[8130-0130-0017] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[8130-0116-0018] 處理裝置和處理方法
[8130-0043-0019] 半導體器件及其形成方法
[8130-0101-0020] 光接收裝置及其制造方法和包括該裝置的光電集成電路
[8130-0207-0021] 引線框架及其制造方法
[8130-0206-0022] 具有高密度互連的電子封裝件和相關方法
[8130-0104-0023] 活化P-型半導體層的方法
[8130-0139-0024] 磁性傳感器及其制造方法
[8130-0192-0025] 垂直結型場效應半導體二極管
[8130-0091-0026] 半導體器件及其制造方法
[8130-0175-0027] 半導體霍爾傳感器
[8130-0085-0028] 感光元件封裝材料組合物及其使用方法
[8130-0188-0029] 具有提升的非本征基極的雙極晶體管
[8130-0042-0030] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0154-0031] 具有較低柵極電荷結構的溝槽MOSFET
[8130-0044-0032] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0093-0033] 半導體集成器件及用于設計該半導體集成器件的設備
[8130-0066-0034] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[8130-0144-0035] 生產硅絕緣體材料的方法
[8130-0073-0036] 半導體元件的錫焊方法與半導體裝置
[8130-0169-0037] 磁性存儲器及其驅動方法、以及使用它的磁性存儲器裝置
[8130-0102-0038] 增加信道載子流動性的結構
[8130-0147-0039] 具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
[8130-0171-0040] 溝槽式肖特基勢壘整流器及其制作方法
[8130-0155-0041] 具有增強的亮度和優先視角的平面板彩色顯示器
[8130-0203-0042] 探測器裝置和探測器測試方法
[8130-0052-0043] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[8130-0117-0044] 包括具有不同結晶度的半導體薄膜的半導體器件及其基片和制作方法、以及液晶顯...
[8130-0149-0045] 氮氧化合物淺溝槽隔離及其形成方法
[8130-0158-0046] 發光顯示器及其制造方法
[8130-0197-0047] 基板的處理裝置及運送裝置調整系統
[8130-0090-0048] 半導體器件及其制造方法
[8130-0069-0049] 不具有小凸起的柵層及其制造方法
[8130-0196-0050] 光電子器件集成
[8130-0204-0051] 液體冷卻的功率半導體器件熱沉
[8130-0119-0052] 用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
[8130-0143-0053] 可拆除基片或可拆除結構及其生產方法
[8130-0011-0054] 有機發光二極管顯示器的薄膜電晶體導線結構以及制程
[8130-0039-0055] 側面擴散金屬氧化半導體晶體管的結構及其制作方法
[8130-0001-0056] 電路裝置及其制造方法
[8130-0129-0057] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[8130-0111-0058] 制造有機發光二極管的方法和有機發光二極管
[8130-0113-0059] 抬升及支撐裝置
[8130-0106-0060] 氮化物半導體器件
[8130-0127-0061] 半導體集成電路器件的制造方法
[8130-0062-0062] 等離子體處理裝置及靜電吸盤的制造方法
[8130-0092-0063] 電子電路裝置
[8130-0124-0064] 硅化釕處理方法
[8130-0195-0065] 容納盤狀物體的裝置和該物體的搬運裝置
[8130-0082-0066] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
[8130-0080-0067] 制造高壓雙柵裝置的方法
[8130-0157-0068] 用于電氣部件的鈍化材料及多層結構的壓電部件
[8130-0108-0069] 發光二極管光源組件
[8130-0122-0070] 等離子體處理裝置
[8130-0079-0071] 溝槽式電容及其形成方法
[8130-0194-0072] 含有連接髮光金屬配合物的聚合物和由這種聚合物制成的裝置
[8130-0088-0073] 半導體器件
[8130-0008-0074] 半導體封裝結構及其電路板的電性軌跡
[8130-0218-0075] 選擇制造光掩模的掩模制造商的方法
[8130-0140-0076] 由記憶效應電致發光單元矩陣構成的圖像顯示面板
[8130-0084-0077] 布線基板
[8130-0181-0078] 用于洗滌顯像光阻層的方法和揮發溶液
[8130-0135-0079] 半導體裝置
[8130-0095-0080] 設有浪涌保護電路的半導體裝置
[8130-0163-0081] 一種切割裝置
[8130-0202-0082] 多種材料在電子器件的氣穴封裝中的應用
[8130-0125-0083] 通過離子注入產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅結構的方法
[8130-0123-0084] 用于控制摻碳氧化物薄膜的蝕刻偏差的方法
[8130-0060-0085] 第三族氮化物半導體器件和其生產方法
[8130-0190-0086] 用中心點加載直接在管芯上連接熱管
[8130-0072-0087] 利用無引線電鍍工藝制造的封裝基片及其制造方法
[8130-0115-0088] 用于安裝襯底操作系統的基準板
[8130-0178-0089] 降低制造過程中表面張力的襯底制備設備和方法
[8130-0059-0090] 溝渠電容器氧化物頸圈之制造方法
[8130-0160-0091] 插入組件和方法
[8130-0051-0092] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[8130-0176-0093] 用于半導體處理系統的功率分配印刷電路板
[8130-0022-0094] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[8130-0064-0095] 半導體器件的制造方法和半導體器件的制造設備
[8130-0023-0096] 半導體裝置、電子設備及它們制造方法，以及電子儀器
[8130-0016-0097] 具有共通源極導線的半導體結構
[8130-0214-0098] 氣相淀積設備
[8130-0056-0099] 基板處理裝置和基板處理方法
[8130-0045-0100] 半導體裝置
[8130-0153-0101] 聚焦離子束(FIB)傳感器電路
[8130-0076-0102] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0128-0103] 互連的摻雜劑界面的形成
[8130-0159-0104] 包括熱分布板和邊緣支撐的組合裝置
[8130-0136-0105] 裝備有電極的透明基片
[8130-0187-0106] 采用回蝕工藝的低缺陷SiGe的層移植
[8130-0030-0107] 半導體基板中增加儲存電容之電容器排列
[8130-0033-0108] 非易失性半導體存儲器
[8130-0132-0109] 相變存儲器單元的雙溝槽隔離結構及其制造方法
[8130-0141-0110] 在減低壓力的情況下摻雜、擴散及氧化硅片的方法和裝置
[8130-0184-0111] 改變漿料中氧化劑的濃度進行化學機械拋光(CMP)的方法
[8130-0046-0112] 薄膜晶體管及其生產方法
[8130-0201-0113] 清除由形成通孔的處理所產生的蝕刻殘余物的方法
[8130-0097-0114] 具有雙字線結構的半導體存儲器件
[8130-0172-0115] 采用單晶SiC檢測電磁輻射
[8130-0077-0116] 三維結構存儲器的制造方法及使用方法
[8130-0107-0117] 發光二極管光源組件
[8130-0199-0118] 等離子體清洗氣體和等離子體清潔方法
[8130-0009-0119] 電子裝置及其制造方法
[8130-0186-0120] 在圓片和儀器上形成半導體器件的光刻方法
[8130-0087-0121] 布線基板
[8130-0063-0122] 晶片干燥方法和裝置
[8130-0068-0123] 相對于摻雜的碳化硅選擇蝕刻有機硅酸鹽玻璃的方法
[8130-0057-0124] 用于處理晶片的設備和方法
[8130-0014-0125] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0177-0126] 擴散器和快速循環腔室
[8130-0142-0127] 超小間距毛細管
[8130-0179-0128] 熱處理裝置和熱處理方法
[8130-0070-0129] 具有抬升的源極和漏極結構的金氧半晶體管及其制造方法
[8130-0200-0130] 氣相生長裝置
[8130-0126-0131] 具有集成器件的數據載體
[8130-0209-0132] 生產燈的方法
[8130-0217-0133] 用于半導體制造的雙層光阻制造方法
[8130-0006-0134] 低密度低膨脹系數高熱導率硅鋁合金封裝材料及制備方法
[8130-0191-0135] 利用犧牲材料的半導體構造及其制造方法
[8130-0054-0136] 氮化鎵基發光二極管管芯的制作方法
[8130-0208-0137] 包含多個集成電路器件的單個封裝件
[8130-0100-0138] 硅光電器件和使用該器件的光信號輸入和/或輸出裝置
[8130-0031-0139] 內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
[8130-0020-0140] 半導體裝置及其制造方法、電子設備及其制造方法
[8130-0198-0141] 外延生長基座與外延生長方法
[8130-0041-0142] 具有使用凹切柵極的局部SONOS結構的閃存及其制造方法
[8130-0019-0143] 半導體器件
[8130-0211-0144] 用于集成電路裝置的集成式環形線圈電感器
[8130-0032-0145] 具有溝渠絕緣的半導體電路裝置及其制造方法
[8130-0078-0146] 超大規模集成電路驗證的可滿足性問題的解決方法
[8130-0013-0147] 具遲延組件之集成模塊
[8130-0015-0148] 插入器、插入器組件及使用這種插入器的裝置組件
[8130-0168-0149] 具有能量吸收結構的集成電路
[8130-0112-0150] 電鍍裝置
[8130-0017-0151] 半導體保護元件、半導體器件及其制造方法
[8130-0105-0152] 氮化鎵基發光二極管N型層歐姆接觸電極的制作方法
[8130-0164-0153] 有機絕緣膜的蝕刻方法和雙波紋處理方法
[8130-0004-0154] 電子元件裝置及其制造方法
[8130-0145-0155] 用于清洗襯底表面的晶片清洗組件及其方法
[8130-0002-0156] 電子裝置及其制造方法
[8130-0156-0157] 第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
[8130-0180-0158] 用于改進碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管中反向層遷移率的方法
[8130-0050-0159] 封裝結構及其制作方法
[8130-0024-0160] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[8130-0012-0161] 降低應力遷移的多重金屬內連線布局及其制造方法
[8130-0205-0162] 經過改良的表面固定包裝
[8130-0071-0163] 薄膜晶體管的制造方法
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[8130-0152-0165] 倒裝芯片的高性能硅接觸
[8130-0034-0166] 有帶集成濾色層的微透鏡的圖像傳感器及其制造方法
[8130-0131-0167] 免焊接印刷電路板組合
[8130-0161-0168] 半導體器件及其制造方法
[8130-0134-0169] 量子裝置
[8130-0189-0170] 汽化器、使用汽化器的各種裝置以及汽化方法
[8130-0213-0171] 晶體管和包括該晶體管的顯示器件
[8130-0038-0172] 場效應晶體管
[8130-0120-0173] 切割方法、集成電路元件的檢查方法、基板保持裝置和粘接薄膜
[8130-0133-0174] 電路制作方法
[8130-0182-0175] 利用在氫氣環境中退火在碳化硅層上制備氧化物層的方法
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[8130-0098-0178] 半導體器件及其制造方法
[8130-0166-0179] 淺結半導體器件的制造方法
[8130-0029-0180] 局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅結構及其制造方法
[8130-0103-0181] 高耐電壓場效應型半導體設備
[8130-0193-0182] 用于場致發光顯示裝置的襯底和所述襯底的制造方法
[8130-0165-0183] MOS晶體管柵角的增強氧化方法
[8130-0109-0184] 光源組件
[8130-0036-0185] 具增加擊穿電壓的半導體結構及制造該半導體結構的方法
[8130-0075-0186] 靜電吸盤裝置用電極板和使用它的靜電吸盤裝置
[8130-0081-0187] 半導體裝置的制造方法
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[8130-0094-0189] 多路復用器單元的布局結構
[8130-0028-0190] 半導體器件
[8130-0005-0191] 半導體裝置及其制造方法
[8130-0037-0192] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[8130-0167-0193] 陶瓷靜電卡盤組件及其制備方法
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[8130-0021-0195] 層疊型半導體封裝件
[8130-0083-0196] 半導體裝置及其制造和安裝方法、電路基板以及電子機器
[8130-0096-0197] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
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