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[26776-0025-0001] 太陽能硅晶片雙束激光雙線劃槽方法與裝置
[摘要] 它利用Z型諧振腔的Nd:YAG激光器發射雙束輸出波長1064nm直徑Φ6的雙束激光，經直角棱鏡合并成平行雙束激光，其間距1～4mm可調，經聲光Q開關調制，經反射鏡反射到聚焦鏡，由聚焦鏡實現雙束激光聚焦，聚焦光斑為Φ9～19μm，劃槽最小線寬：10μm，最大劃片速度：100mm/s，功率為20～40W，調制頻率范圍5～35KHz，實現雙束激光雙線劃槽加工。主要應用于硅、鍺、砷化鎵等材料的劃槽與切割，特別適用于單晶硅、多晶硅、非晶硅太陽能電池的切割。
[26776-0022-0002] 具有外延沉積層的半導體晶片以及該半導體晶片的制造方法
[摘要] 本發明涉及一種半導體晶片，其包括由n型或p型摻雜劑原子摻雜的具有一個正面和一個背面的單晶硅基體晶片，以及在該基體晶片的正面上外延沉積的層，以及電阻率低于該基體晶片的n++型或p++型摻雜的層，該層在所述外延層的下方從該基體晶片的正面延伸進入該基體晶片內，并具有一定的厚度。本發明還涉及該半導體晶片的制造方法，其特征在于，使n型或p型的摻雜劑原子通過該基體晶片的正面引入該基體晶片內，在從該基體晶片的正面延伸進入該基體晶片內的層中的摻雜劑濃度從n+或p+級提高至n++或p++級，并在該基體晶片的正面上沉積一層外延層。
[26776-0005-0003] 無氧淀析的切氏硅晶片
本發明涉及處理切氏單晶硅片的一種過程，以消除已經存在的氧原子團和氧淀析物，同時防止它們在以后氧淀析熱處理中再次形成。此過程包括(ⅰ)在快速熱退火爐中、在至少1150℃的溫度、至少1000ppma的氧濃度下熱處理硅片，或者(ⅱ)在快速熱退火爐中、在至少約1150℃的溫度下熱處理硅片，然后，在硅片從熱處理的最高溫度經過一個空位相對可移動的溫度范圍冷卻時，控制冷卻速率，以使單晶硅中的空位數密度減少到一定數值，從而即使硅片以后經受氧淀析熱處理，硅片中也不會形成氧淀析物。
[26776-0028-0004] 晶片的單片式蝕刻方法
[摘要] 本發明是使將單晶硅錠切片獲得的單片圓板狀薄硅晶片旋轉，同時在晶片的上面供給蝕刻液來蝕刻晶片表面的方法，從在晶片半徑方向不同位置上相對設置的多個蝕刻液供給噴嘴，向晶片上面供給改變選自溫度、種類及供給流量的一種或兩種以上的蝕刻液。可以有效地使晶片達到高平坦度，并且可以提高其生產效率。
[26776-0002-0005] 消除自動摻雜和背面暈圈的外延硅晶片
[摘要] 一種單晶硅晶片，晶片的背面沒有密封的氧化物，并且基本上沒有化學汽相淀積工藝引入的暈圈。并在襯底正面上有外延硅層，外延硅層的特征在于從晶片的中心軸朝晶片的圓周邊徑向向外延伸的軸向對稱區其電阻率基本上均勻，軸向對稱區的半徑為晶片半徑長度的至少約80％。
[26776-0007-0006] 制備理想析氧硅晶片的工藝
[摘要] 本發明公開一種對單晶硅晶片進行熱處理以便在后續熱處理步驟中影響晶片的析氧特性的工藝。該硅晶片具有前表面、后表面、位于前后表面之間的中分面。在本工藝中，對晶片進行熱處理以形成晶格空位，該空位在硅主體中形成。接著，為了在晶片內建立空位濃度分布，通過在含氧氣氛中加熱，對已經過熱處理的晶片進行氧化。然后，已氧化的晶片從所述氧化熱處理溫度以一定速度冷卻，該冷卻速度允許晶格空位的一部分，但不是全部，擴散進前表面中以形成具有一定空位濃度分布的晶片，在該空位濃度分布中：峰值密度出現在或接近中分面處，并且空位濃度一般在晶片前表面方向上減少。
[26776-0004-0007] 理想的氧沉淀硅晶片及氧外擴散較小的工藝
[摘要] 一種對單晶硅晶片（1）進行熱處理以影響在后續熱加工步驟中晶片中的氧的沉淀行為的工藝。該晶片具有正表面（3）、背表面（5）和正表面與背表面之間的中心平面（7）。在該工藝中，對晶片進行熱處理（S2），以便形成晶格空位（13），該空位形成在硅的本體中。然后，使晶片從熱處理溫度冷卻，冷卻速率控制成使某些但不是全部晶格空位能夠擴散到正表面，以便產生具有其峰值密度位于中心平面處或其附近的空位濃度分布的晶片，該濃度通常朝著晶片正表面的方向降低。
[26776-0012-0008] 貼合晶片及貼合晶片的制造方法
[摘要] 本發明貼合晶片及其制造方法。本發明的貼合晶片，在單晶硅晶片上積層了單晶硅層，其特征為，該單晶硅層的結晶面方位為{110}，而且，前述單晶硅晶片的結晶面方位為{100}。另外，本發明的貼合晶片的制造方法，其特征為至少使結晶面方位為{110}的第1單晶硅晶片與結晶面方位為{100}的第2單晶硅晶片直接或者間隔著絕緣膜來進行貼合，然后使所述第1單晶硅晶片薄膜化。這樣以來，得以提供能夠獲得活用{110}的單晶硅晶片而具有優異特性的MIS器件的晶片。
[26776-0021-0009] 硅外延晶片以及生產硅外延晶片的方法
[摘要] 本發明涉及一種硅外延晶片(W)，其特征在于包含：單晶硅基材(1)，在其主表面(11)上具有COP(100)；和在單晶硅基材(1)的主表面(11)上通過氣相外延生長形成的硅外延層(2)，其中所述主表面(11)相對于[100]軸沿著[011]方向或[0-1-1]方向從(100)平面傾斜θ角度，以及相對于[100]軸沿著[01-1]方向或[0-11]方向從(100)平面傾斜φ角度，且θ角和/或φ角是0°-15’。
[26776-0020-0010] SOI晶片及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種SOI晶片，其包括一個載體晶片和一個厚度小于500納米的單晶硅層，其中該硅層的整個體積內具有過量的間隙硅原子。本發明還涉及一種制造本發明SOI晶片的方法，其包括以下步驟：通過Czochralski坩堝拉晶法制造一種硅單晶，其中整個晶體橫截面的結晶鋒面處滿足條件v/G＜(v/G)臨界＝1.3×10-3平方厘米/(絕對溫度×分鐘)，因而在產生的硅單晶內具有過量的間隙硅原子，從該硅單晶切割出至少一個供體晶片，將該供體晶片與一個載體晶片粘合，以及使該供體晶片的厚度減薄，從而使一個厚度小于500納米的硅層留下并與載體晶片粘合。
[26776-0003-0011] 直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法
[26776-0006-0012] 具有改進的內部收氣的熱退火晶片
[26776-0013-0013] 具有均勻空位缺陷的單晶硅錠和晶片及其制備方法和設備
[26776-0026-0014] 單晶硅晶片的制造方法
[26776-0015-0015] 單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法
[26776-0031-0016] 傳輸承載晶片的高純碳化硅弧形部件
[26776-0010-0017] 半導體晶片及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
[26776-0029-0018] 多層半導體晶片及其制造方法
[26776-0032-0019] 傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件
[26776-0014-0020] 單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片
[26776-0018-0021] 退火晶片的制造方法以及退火晶片
[26776-0011-0022] 硅絕緣體晶片及其制造方法
[26776-0030-0023] 單晶硅半導體晶片及其制造方法
[26776-0024-0024] 多層基板的洗滌方法及基板的貼合方法、以及貼合晶片的制造方法
[26776-0023-0025] 半導體硅晶片水基研磨液
[26776-0019-0026] 具有硅-鍺層的半導體晶片及其制備方法
[26776-0027-0027] 單晶硅晶片的制造方法
[26776-0016-0028] SOI晶片的制造方法
[26776-0008-0029] 依據噴墨印刷原理動作的印刷頭的印刷晶片
[26776-0009-0030] 拋光混合物和減少硅晶片中的銅混入的方法
[26776-0017-0031] 外延晶片及其制造方法
[26776-0001-0032] 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法
[26776-0033-0033] 太陽能硅晶片雙束激光雙線劃槽機

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