半導體,半導體晶片,制造半導體器件,半導體封裝最新技術匯編(168元/全套)
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[8179-0103-0001] 燈退火裝置及燈退火方法
[摘要] 一種燈退火裝置是監視退火時的晶片１６的實際溫度、由該信號控制加熱晶片用的燈加熱器１４的電力。監視晶片實際溫度用的接觸式溫度傳感器的熱電偶１７在處理室（燃燒室）中被埋入保持晶片的基座１２或臺座內，且通過在晶片面內的多個位置設置這些熱電偶，詳細地監視晶片內的實際溫度，用該溫度，個別地控制各燈１４。該裝置用于退火工藝，能抑制晶片面內的溫度不均。
[8179-0119-0002] 能減小寄生電容的半導體器件的制造方法
[摘要] 一種制造半導體器件的方法包括經過柵極絕緣膜（４）在半導體襯底（１）上形成柵極（５）的步驟和在柵極（５）的側表面和半導體襯底（１）的上表面上形成第一絕緣膜（７）的步驟。該方法還包括在第一絕緣膜（７）上形成第二絕緣膜的步驟和深腐蝕第一和第二絕緣膜（７，８）以形成柵極（５）的側壁（７ａ，８ａ）的步驟，每個側壁包括第一和第二絕緣膜（７，８）的層。該方法包括腐蝕側壁（７ａ，８ａ）的第一絕緣膜（７）以保留一部分第一絕緣膜層（７）的步驟。
[8179-0131-0003] 在真空處理裝置中靜電夾持絕緣工作的方法和裝置
絕緣工件通過等離子體作用于工件的暴露于等離子體的表面上并同時給夾具上的電極加上相對高的電壓而被夾持在真空等離子體處理室中的夾具上。電極與工件未暴露于等離子體的部分緊密相鄰，從而（ａ）電極處在基本上不同于等離子體的電壓上，（ｂ）通過等離子體使靜電電荷作用于暴露表面上，和（ｃ）經過等離子體從靜電電荷到處于基本上不同于施加給電極的電壓的電勢的端子形成導電路徑，以施加給單電極的ｄｃ電壓和通過等離子體作用于暴露表面的電荷之間的電壓差產生穿過工件厚度的足夠的靜電夾持力，從而將基片固定于夾具上。
[8179-0094-0004] 靜電泄放保護電路
[摘要] 靜電泄放（ｅｓｄ）電路（１２）為輸入／輸出驅動電路（１０）提供有效的保護功能。泄放路徑是由一個寄生的雙極晶體管（２０２）提供的。寄生雙極器件是由ｍｏｓｆｅｔ晶體管（２０４）和二極管鏈（２００）的組合來觸發的。通過改變二極管鏈中單個二極管的數目，ｍｏｓｆｅｔ晶體管的觸發點是可編程的。
[8179-0200-0005] 制造集成電路存儲器的方法及制造的集成電路存儲器
[摘要] 通過在集成電路襯底上制造空間上分開的存儲器單元場效應晶體管陣列和外圍電路場效應晶體管，制造集成電路存儲器器件。存儲器單元晶體管包括存儲器單元晶體管源和漏區及柵。外圍電路晶體管包括外圍電路晶體管源和漏區及柵。在存儲器單元晶體管源和漏區上形成硅化物阻擋層。在存儲器單元晶體管柵、外圍電路源和漏區、柵上形成硅化物層。存儲器單元晶體管源和漏區上沒有硅化物層。可在存儲器單元中提供低接觸電阻不降低泄漏特性。
[8179-0044-0006] 制造大規模集成電路的處理設備
[摘要] 處理室中有用于預定處理的活性氣體，處理室的部分外壁構成從此外壁延伸到空氣中的突起部件。入射側窗安裝于突起部件上，通過該窗導入激光。障板設置于突起部件內，用于在將激光導入此窗時，如果產生不規則反射光，阻止導入到室中的光的不必要部分。在窗的空氣側表面上涂抗反射層。在突起部件上形成凈化氣體入口，用于將凈化氣體沿窗的內表面吹散。因此，可以防止處理氣體沉積在入射側窗的處理室內表面上和光束擋板的表面上，所以處理室內部不會被污染，因而以測量處理室內懸浮或落下的細顆粒的弱散射光。
[8179-0095-0007] 半導體電路的保護電路
[摘要] 公開了一種保護電路，其包括由一組p溝道型晶體管組成的靜電保護裝置，其中第一p溝道型晶體管的源電極，柵電極，和基片電極被接到一個高壓電源接線端，第二p溝道型ｍｏｓ晶體管的漏電極被接到一個低壓電源接線端，第二p溝道型基片的基片電極被接到高壓電源接線端，第一p溝道型晶體管的漏電極，第二p溝道型ｍｏｓ晶體管的源電極和柵電極被共同地接到一個外部接線端和一個內部電路上。
[8179-0028-0008] 形成集成電路電容器的方法及由此形成的電容器
[摘要] 形成集成電路電容器的方法包括下列步驟：通過在半導體襯底上形成導電層圖案（例如，硅層）、然后在其上形成有第一導電類型摻雜劑的半球型顆粒（ｈｓｇ）硅表面層、來形成電容器的下電極。在下電極上還形成擴散阻擋層（例如，氮化硅），然后在所述擴散阻擋層上形成介電層。擴散阻擋層最好用具有足夠厚度的材料制成，以防止介電層和下電極之間的反應，也防止摻雜劑從ｈｓｇ硅表面層向外擴散到介電層。介電層最好由具有高介電強度的材料形成，以增大電容量。
[8179-0172-0009] 與非邏輯非晶硅只讀存儲器結構及其制造方法
[摘要] 一種與非邏輯非晶硅只讀存儲器結構及其制造方法，其利用“絕緣層上有硅”結構，使本發明的只讀存儲器建立在一絕緣層之上，以隔離基底與源極／漏極區，避免源極／漏極區與基底之間漏電流的產生，以及避免基底與源極／漏極區之間的接合界面擊穿，可提高器件操作電壓。且本發明的只讀存儲器中，其源極／漏極區使用非晶硅為材料取代傳統注入式高濃度摻雜源極／漏極結構。
[8179-0182-0010] 半導體器件的制造方法
[摘要] 一種制造半導器件的方法，包括下列步驟。先是在半導體襯底上形成第一布線層。再在半導體襯底上形成中層絕緣膜將第一布線層覆蓋住。在中層絕緣膜上形成布線槽使其穿過中層絕緣膜中形成的一個接觸孔，其深度達到使第一布線層外露的程度。在暴露在接觸孔底部的第一布線層上淀積第一導電材料從而在接觸孔中形成接點。腐蝕清除掉中層絕緣膜表面上在形成接點時由第一導電材料制成的島。再將第二導電材料埋入布線槽中從而形成第二布線層與接點接觸。
[8179-0049-0011] 太陽能電池及其制作方法
[8179-0142-0012] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8179-0161-0013] 具有封裝材料的電子元件組件及其形成方法
[8179-0001-0014] 半導體器件及其制造方法
[8179-0205-0015] 確定節點間線路的方法和用其設計的半導體集成電路器件
[8179-0132-0016] 晶片處理液及其制造方法
[8179-0189-0017] 具有鄰近驅動晶體管源極小區域的靜態隨機存取存儲器
[8179-0075-0018] 外延晶片及其制造方法
[8179-0076-0019] 淀積膜形成工藝和裝置以及半導體元件的制造工藝
[8179-0192-0020] 場效應晶體管
[8179-0010-0021] 半導體器件及其制造方法
[8179-0061-0022] 在半導體芯片進行接合的構造和應用該構造的半導體裝置
[8179-0179-0023] 導線架及其制造方法
[8179-0043-0024] 制造用于模擬功能的電容器的方法
[8179-0174-0025] 半導體存儲器
[8179-0058-0026] 半導體器件中的多層互連結構及其形成方法
[8179-0134-0027] 具有連到振動源的壓電元件的壓電發生器及其制造方法
[8179-0023-0028] 玻璃/金屬管殼及其制造方法
[8179-0135-0029] 只讀存儲器結構及其制造方法
[8179-0183-0030] 半導體器件的制造方法
[8179-0155-0031] 混合模擬-數字集成電路及其制作方法
[8179-0015-0032] 芯片型半導體裝置的制造方法
[8179-0162-0033] 封裝的集成電路器件
[8179-0039-0034] 多芯片模塊
[8179-0191-0035] “絕緣體上的硅”半導體裝置及其制造方法
[8179-0017-0036] 微細圖形形成材料以及半導體裝置的制造方法
[8179-0042-0037] 集成電路及其制造方法
[8179-0026-0038] 半導體器件及其制造方法
[8179-0077-0039] 焊料合金及其用途
[8179-0145-0040] 防位線氧化的半導體存儲器件制造方法及半導體存儲器件
[8179-0209-0041] 薄膜晶體管及其制造方法
[8179-0021-0042] 包含基材和線路層、且在基材和線路層之間帶有緩沖層的集成電路
[8179-0109-0043] 半導體裝置
[8179-0148-0044] 處理半導體晶片的方法和裝置
[8179-0032-0045] 半導體集成電路
[8179-0007-0046] 改進的接觸孔的腐蝕
[8179-0129-0047] 硅化物塊熔絲器件
[8179-0139-0048] 具有彎成j-型引線端子的半導體器件
[8179-0062-0049] 凸點電極間無短路且與電路板分離的半導體器件及制造工藝
[8179-0086-0050] 內聯式集成非晶硅太陽能電池的制造方法
[8179-0166-0051] 帶電容的半導體器件的制造方法
[8179-0202-0052] 用原版圖元制作半定制集成電路的系統和方法
[8179-0154-0053] 無源元件電路
[8179-0071-0054] 能用低介電常數非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導體器件及其制備方法
[8179-0052-0055] 制造半導體器件的方法
[8179-0055-0056] 縮短溝道長度的半導體器件
[8179-0047-0057] 基板加工裝置和方法
[8179-0070-0058] 金屬氧化物半導體柵控結構的半導體器件
[8179-0003-0059] 半導體器件及其制造方法
[8179-0034-0060] 將導體圖形復制到膜載體上的方法和在該方法中使用的掩模及膜載體
[8179-0068-0061] 半導體封裝及其制造方法
[8179-0130-0062] 電路部件搭載用基板
[8179-0027-0063] 半導體器件的制作方法
[8179-0024-0064] 厚度延伸振動模式壓電諧振器和壓電諧振器組件
[8179-0097-0065] 樹脂封裝,半導體器件及樹脂封裝的制造方法
[8179-0054-0066] 場效應管和含有場效應管的功率放大器
[8179-0067-0067] 用于驗證通孔開通的檢驗圖形結構
[8179-0029-0068] 制造同一襯底上混有mos晶體管和雙極晶體管的半導體器件的方法
[8179-0136-0069] 縱向晶體管
[8179-0037-0070] 薄膜晶體管及其制造方法和使用它的液晶顯示裝置
[8179-0168-0071] 帶有三端子型壓電裝置的電子元件
[8179-0158-0072] 在關狀態無漏電流的半導體器件及其制造方法
[8179-0087-0073] 太陽電池組件及其制造方法和太陽電池組件的安裝方法
[8179-0033-0074] 自對準局域深擴散發射極太陽能電池
[8179-0120-0075] 形成半導體器件接觸塞的方法
[8179-0085-0076] 在輻射檢測器和成象裝置的襯底上形成觸電的方法
[8179-0041-0077] 半導體器件
[8179-0080-0078] 半導體元件的連接結構,使用了該結構的液晶顯示裝置以及使用了該顯示裝置的電...
[8179-0117-0079] 生產動態隨機存取存儲器的方法
[8179-0046-0080] 用以覆蓋半導體器件上的孔的改進基層結構及其形成方法
[8179-0045-0081] 半導體器件中層的刻蝕方法
[8179-0206-0082] 用于進行精細布線的工藝
[8179-0207-0083] 制造動態隨機存取存儲器結構的方法
[8179-0107-0084] 半導體器件及其制造方法
[8179-0143-0085] 制備半導體器件的方法
[8179-0193-0086] 固態成象器件及其制造方法
[8179-0098-0087] 芯片大小的載體
[8179-0175-0088] 在多電平電源電壓下穩定動作的半導體集成電路裝置
[8179-0091-0089] 半導體器件
[8179-0187-0090] 半導體襯底及其制作方法
[8179-0048-0091] 有機電致發光組件中的電子導電層
[8179-0101-0092] 制造半導體器件的方法
[8179-0050-0093] 用于集成電路的含有用專用腔室淀積的兩薄層鈦的金屬堆棧
[8179-0030-0094] 模塊合成裝置及模塊合成方法
[8179-0004-0095] 顯微結構及該結構的制造方法
[8179-0096-0096] 具有繞過臺階彎折的連線的半導體器件
[8179-0082-0097] 晶片安裝方法與晶片安裝設備
[8179-0171-0098] 雙向可控的可控硅
[8179-0110-0099] 多芯片模塊
[8179-0151-0100] 光電轉換元件和使用它的建筑材料
[8179-0173-0101] 非易失性半導體存儲器及制造方法
[8179-0157-0102] 半導體器件
[8179-0203-0103] 制造鐵電集成電路的方法
[8179-0063-0104] 密封半導體的環氧樹脂組合物及樹脂密封的半導體器件
[8179-0066-0105] 裂痕阻斷技術
[8179-0152-0106] 半導體器件及其制造方法
[8179-0160-0107] 用于半導體散熱器的復合材料及其制造方法
[8179-0197-0108] 動態隨機存取存儲器單元電容器及其制造方法
[8179-0083-0109] 化學機械拋磨的間隔絕緣材料頂層
[8179-0214-0110] 電子束單元投影孔徑生成方法
[8179-0122-0111] 干法腐蝕半導體層的工藝和設備
[8179-0053-0112] 用于生產半導體襯底的方法
[8179-0186-0113] 對半導體器件的改進
[8179-0212-0114] 形成平坦內金屬介電層的方法
[8179-0081-0115] 用于引線成形裝置的無軸軋輥
[8179-0114-0116] 半導體器件及其制造方法
[8179-0069-0117] 免基板及免錫球的球陣式集成電路封裝方法
[8179-0198-0118] 動態隨機存取存儲器單元電容器的制造方法
[8179-0177-0119] 用于集成電路的反篡改屏蔽連接線
[8179-0180-0120] 一種半導體器件
[8179-0169-0121] 包含雙端子型壓電裝置的電子元件
[8179-0194-0122] 堆疊柵極存儲單元的結構及其制造方法
[8179-0126-0123] 半導體存儲器及其制造方法
[8179-0104-0124] 半導體清洗裝置
[8179-0127-0125] 用于在半導體襯底上制成很小結構寬度的方法
[8179-0031-0126] 等離子體處理的方法及裝置
[8179-0149-0127] 防止硅化物滋長的半導體器件制造方法
[8179-0093-0128] 電力半導體開關裝置
[8179-0156-0129] 硬激勵柵極可關斷可控硅的柵極單元
[8179-0176-0130] 陣列的單元布局相同且周邊電路對稱的半導體存儲器件
[8179-0188-0131] 半導體基片及其制作方法
[8179-0144-0132] 集成電路制造方法
[8179-0022-0133] 可焊式晶體管夾子和散熱器
[8179-0153-0134] 半導體器件及其制造方法
[8179-0072-0135] 半導體晶片的濕法處理方法及濕法處理裝置
[8179-0218-0136] 半導體器件
[8179-0204-0137] 利用氧來抑制和修復氫退化的制造鐵電集成電路的方法
[8179-0146-0138] 半導體器件的檢測圖形及方法
[8179-0013-0139] 一種半導體器件的制造方法
[8179-0201-0140] 半導體器件及其制作方法
[8179-0150-0141] iii-v族化合物半導體晶片
[8179-0217-0142] 半導體器件制造過程中的構圖方法
[8179-0036-0143] 太陽電池及其制備方法
[8179-0185-0144] 干燥裝置以及干燥方法
[8179-0184-0145] 干燥裝置及基板表面處理方法
[8179-0105-0146] 制備有金屬硅化物膜的半導體器件的方法
[8179-0040-0147] 多芯片模塊
[8179-0147-0148] 具有金屬－絕緣膜－半導體三層結構的晶體管的制造方法
[8179-0025-0149] 半導體器件及其制造方法
[8179-0090-0150] 只讀存儲器結構及其制造方法
[8179-0137-0151] 鐵電存儲器及其制作方法
[8179-0074-0152] 在半導體基底上進行離子注入的方法
[8179-0133-0153] 在用于集成電路的金屬堆棧中鈦和鋁合金之間的改進界面
[8179-0088-0154] 太陽能電池模塊及工藝、建筑材料及安裝方法和發電系統
[8179-0106-0155] 固體圖象傳感器
[8179-0215-0156] 互聯系統及其生產方法
[8179-0163-0157] 半導體集成電路器件
[8179-0138-0158] 便攜式電子裝置的靜電去除結構
[8179-0115-0159] 制造半導體器件的方法
[8179-0210-0160] 制造氧化物膜的方法
[8179-0190-0161] 半導體器件的制造裝置
[8179-0059-0162] 半導體器件及其制造方法
[8179-0141-0163] 帶自動鍵合用帶狀載體、集成電路及制造方法和電子裝置
[8179-0020-0164] 剝離方法、薄膜器件的轉移方法以及使用該方法制造的薄膜器件、薄膜集成電路裝...
[8179-0064-0165] 具有端面對分通孔和內區通孔的半導體器件組件
[8179-0038-0166] 半導體器件及其制造方法
[8179-0100-0167] 一種半導體器件及制造該半導體器件的方法
[8179-0112-0168] 半導體器件及其制造方法
[8179-0170-0169] 半導體器件及其制造方法
[8179-0035-0170] 半導體裝置的制造方法、半導體裝置制造用模具和半導體裝置及其裝配方法
[8179-0056-0171] 上拉和下拉電路
[8179-0092-0172] soi/本體混合襯底及其制作方法
[8179-0123-0173] 降低半導體晶片上水跡形成的方法
[8179-0111-0174] 將內引線焊接到半導體器件電極的焊接結構
[8179-0009-0175] 半導體器件及其制造方法
[8179-0079-0176] cmos中關斷態柵極氧化層電場的減小
[8179-0165-0177] 一種半導體器件的制造方法
[8179-0012-0178] 封裝集成電路元件及其制造方法
[8179-0113-0179] 半導體集成電路及用于補償其器件性能變化的方法
[8179-0084-0180] 半導體晶片的加工方法和ic卡的制造方法以及載體
[8179-0018-0181] 半導體裝置及其制造方法
[8179-0181-0182] 半導體器件的制作方法
[8179-0213-0183] 半導體器件清洗裝置和清洗半導體器件的方法
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[8179-0208-0185] 壓力接觸型半導體器件及其轉換器
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[8179-0121-0188] 從樣品臺取走被靜電吸附的樣品的方法和裝置
[8179-0140-0189] 線架及其制造方法
[8179-0060-0190] 半導體器件及其制造方法
[8179-0116-0191] 半導體器件的制造方法
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[8179-0196-0193] 薄膜電容器及其制造方法
[8179-0199-0194] 高密度動態隨機存取存儲器的電容器結構的制造方法
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[8179-0078-0199] 熱電器件及其制造方法
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[8179-0178-0202] 具有一對散熱端和多個引線端的半導體器件的制造方法
[8179-0019-0203] 半導體襯底及其制備方法
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[8179-0195-0205] 使用磁性材料的元件及其編址方法
[8179-0011-0206] 半導體裝置及其制造方法
[8179-0065-0207] cmos結構半導體器件的制備方法
[8179-0124-0208] 半導體器件的電容器的形成方法
[8179-0006-0209] 擴散阻擋層的淀積方法
[8179-0125-0210] 半導體器件及其制造方法以及裝配基板
[8179-0089-0211] 半導體器件
[8179-0211-0212] 在半導體晶片上形成電導接結構的方法
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