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[8151-0215-0001] 內存測試機與集成電路分類機的直接連接界面裝置
[摘要] 一種適于連接內存測試機與集成電路分類機的直接連接界面裝置，此直接連接界面裝置包括主體底板、印刷電路板、第一對位結構、第一固定結構。其中主體底板具有第二對位結構與第二固定結構，并設置于集成電路分類機上，主體底板的上緣低于喂料飛梭活動區，且主體底板具有一開口，此開口暴露出分配器活動區。印刷電路板設置于內存測試機上。第一對位結構設置于內存測試機上，且適于與第二對位結構相對位嵌合。第一固定結構設置于內存測試機上，且適于可拆卸式連接于第二固定結構。
[8151-0192-0002] 利用金屬誘導橫向結晶的多柵薄膜晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明公開了一種利用金屬誘導橫向結晶的多柵薄膜晶體管及其制造方法。該多柵薄膜晶體管能夠不增大尺寸地使多柵金屬化。該薄膜晶體管具有以z字形形狀形成在絕緣襯底上的半導體層；和配備有一個或多個與半導體層相交的柵電極，半導體層包括：與柵電極相交的兩個或多個主體部分；和與每個相鄰的主體部分連結的一個或多個連結部位，其中在柵電極中覆蓋半導體層的部分充當多柵，并且milc表面形成在不與柵電極在半導體層中相交的部分上。
[8151-0097-0003] 具有多次照射步驟的微影制程
一種具有多次照射步驟的微影制程。一光罩是對齊地放置于具有一光阻形成于其上的一晶片上方的一預定位置上。多次照射步驟是經過此一光罩依次執行于此光阻上。每一照射步驟的個別照射條件是相應光罩上一占空率(duty ratio)為最佳化。藉此多次照射步驟，可獲得從光罩轉移至光阻的一最佳化全間隙(through-pitch)圖案轉移。最后，一顯影步驟施予在此光阻上。
[8151-0106-0004] 焊接方法以及焊接裝置
[摘要] 本發明提供一種焊接方法以及焊接裝置。其目的是在提高半導體裝置的可靠性的同時，可以進行保證恒定質量的焊接。引線(20)穿過第1工具(30)被送出到外部的引線(20)的前端部(22)成形為球狀。通過第1工具(30)將前端部(22)焊接在第1電極(12)上。將引線(20)從第1工具(30)引出，通過第1工具(30)將引線(20)的一部(24)焊接在第2電極(16)上。由配置在第1工具(30)的上方的第2工具(32)夾持引線(20)，讓一部(24)殘留在第2電極(16)上扯斷引線(20)。在夾持引線(20)的狀態下讓第2工具(32)相對接近第1工具(30)，將引線(20)從第1t具(30)送出到外部。
[8151-0024-0005] 利用多孔性材料實現陶瓷基板表面平坦化的方法
[摘要] 本發明涉及一種利用多孔性材料實現陶瓷基板表面平坦化的方法，以滿足提供后續膜層附著力的要求，可應用于基板、緩沖層與多孔納米結構層等結構中，并于多孔納米結構層提供薄膜制程技術所需平坦的表面、后續金屬化和電子材料的附著力與導熱、電絕緣、介電以及其它整合電子元件所需的特性；緩沖層提供基板與多孔納米結構層的接著；陶瓷基板提供結構強度及表面固著。
[8151-0197-0006] 一種低成本壓電多層微位移器及制作方法
[摘要] 本發明涉及一種新的低成本壓電多層微位移器及制作方法。該多層微位移器是由多層壓電陶瓷膜片、內電極和膜片一體化及外電極組成。制作方法是將一在1100-1150℃燒結的鈮鋅鋯鈦酸鉛(pzn-pz-pt)陶瓷粉體，通過流延成型法得到厚度為30-100μm膜片，經沖片、印刷ag/pd(70/30)電極、疊片、膜片和內電極一體化、器件的切割、排塑、燒結、上外電極、器件的加工、塑封、極化等工藝得到具有獨石結構的pzn-pz-pt壓電多層微位移器件。該器件的陶瓷層與內電極層結合良好，不易分裂。在外加直流電壓45v時，微位移量可達1μm。并可通過增加或減少陶瓷膜片的層數的方法來增加或減少其位移量。
[8151-0060-0007] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種降低成本效果好，不使用有害物質的半導體裝置及其制造方法，包括半導體芯片(11)，有搭載該半導體芯片的基片襯墊部(12)和內端位于該基片襯墊部的周圍地配設地多個引線(13)，并無防銹被膜殘渣的銅系引線框架，將半導體芯片上的電極與多個引線的內端部直接連接的銅導線(14)，將這些氣密封止的樹脂封止體(16)，在多個引線中的從樹脂封止體伸出的外部引線部分(17)上具有水溶性防銹劑被膜(18)或鉛游離的焊料膜(18’)。由此，可降低成本和防止環境污染。又，采用本發明的半導體裝置的制造方法，由于在作成引線框架后立即涂布在較低溫度下分解的非bta系防銹劑，并獲得最終的外引線的防銹，故能避免使用貴金屬而有利于降低成本，并能在后面工序中不殘留有害的殘留物，尤其能提高樹脂封止的可靠性。
[8151-0093-0008] 壓電-彎曲換能器及其應用
[摘要] 提出一種壓電-彎曲換能器，它具有縱向的底架(2)，底架在至少一個縱側嬪獻壩醒溝緄ピ?5)。壓電單元(5)擁有單層或多層壓電材料層(12)和靠近其的電極(13a，13b)。此外，壓電單元(5)包括包圍壓電體(8)的環形電絕緣涂層，它在壓電體(8)和處于底架(2)的線段(26)之間具有一個或多個導電貫穿觸點(27a，27b)。后者產生電極(13a，13b)和底架(2)之間的電連接。<
[8151-0049-0009] 布線結構的形成方法
[摘要] 本發明為一種布線結構的形成方法，在形成在基板(100)上的fsg膜(109)及arl膜(110)上形成多個布線用溝槽(111)，然后，在arl膜(110)上依次堆積能夠將各布線用溝槽(111)完全掩埋的屏障金屬膜(氮化鉭膜(112))與布線用導電膜(銅膜(113)及(114))。其后，在通過研磨除去了各布線用溝槽(111)外側的銅膜(113)及(114)之后，再通過研磨，除去各布線用溝槽(111)外側的氮化鉭膜(112)。之后，在除去了在研磨時基板(100)上粘附的異物之后，使用與在銅膜(113)及(114)的研磨工序中所使用的相同種類的研磨劑對arl膜(110)的表面進行研磨。從而可防止在絕緣膜以及絕緣膜上的arl膜中埋入的布線之間的短路。
[8151-0181-0010] 散熱模組及其制造方法
[摘要] 一種散熱模組及其制造方法，該散熱模組包含至少一個熱管以及數片散熱鰭片構成的散熱片組。各鰭片組合成列，組合后的各鰭片由片身所設穿孔形成一通道，各相鄰鰭片由該穿孔一側的凸緣保持一間隔。該熱管的一端穿套在該通道內而且由一散熱性粘結劑層固定連接在一起。該制造方法包含以適當工具在該通道的內側壁面上涂上一層散熱性粘結劑，以及將該熱管的一端穿入該通道等步驟。本發明與現有技術相比，不需使用外管結構，其熱管與各鰭片間的熱阻抗比以前低，散熱效果好，而且減少了穿套外管以及擴管等步驟。
[8151-0161-0011] 金屬鑲嵌制程的去除光阻的方法
[8151-0164-0012] 選擇外延法制造源漏在絕緣體上的場效應晶體管
[8151-0155-0013] 利用彈性體電鍍掩模做為芯片級封裝的方法
[8151-0177-0014] 降低內連線的電漿制程的異常放電的方法
[8151-0115-0015] 布線結構的形成方法
[8151-0142-0016] 具有縱向金屬絕緣物半導體晶體管的半導體器件及其制造方法
[8151-0173-0017] 體硅mems器件集成化方法
[8151-0025-0018] 檢測光罩機臺修正精確度的方法
[8151-0135-0019] 應用于可變容量電容器和放大器的半導體器件
[8151-0132-0020] 具有部分soi結構的半導體器件及其制造方法
[8151-0203-0021] 雙極型晶體管
[8151-0157-0022] 芯片及其制造方法
[8151-0170-0023] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
[8151-0131-0024] 雙側連接型半導體裝置
[8151-0180-0025] 模塑封裝接觸式模塊制作方法
[8151-0078-0026] 功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其制造方法
[8151-0213-0027] 保護帶條的粘貼方法與裝置以及保護帶條的分離方法
[8151-0204-0028] 半導體器件
[8151-0121-0029] 半導體功率器件
[8151-0074-0030] 光器件及其制造方法、光模件、電路基板以及電子機器
[8151-0162-0031] 在氮化硅層上形成氮氧化硅層的方法
[8151-0118-0032] 設計系統大規模集成電路的方法
[8151-0081-0033] 熱電模塊
[8151-0140-0034] 具有面板的平板顯示器件及其制造方法
[8151-0187-0035] 半導體器件及其制造方法
[8151-0108-0036] 檢測圖案缺陷過程的方法
[8151-0105-0037] 柵狀數組封裝的插腳表面粘著的制作方法
[8151-0054-0038] 掩膜只讀存儲器的制造方法
[8151-0055-0039] 模塊殼體和功率半導體模塊
[8151-0174-0040] 淺溝槽隔離物的制造方法
[8151-0211-0041] 半導體器件制造方法和半導體器件制造裝置
[8151-0040-0042] 淺溝渠隔離的制造方法
[8151-0158-0043] 使用解理的晶片分割方法
[8151-0023-0044] 膜形成裝置和膜形成方法以及清潔方法
[8151-0152-0045] 電聲轉換器
[8151-0037-0046] 半導體器件及其制造方法、電路基板及電子裝置
[8151-0110-0047] 離子照射裝置
[8151-0165-0048] 制造半導體封裝件用打線方法及系統
[8151-0111-0049] 集成制造高壓元件與低壓元件的方法
[8151-0098-0050] 形成半導體器件的薄膜的方法
[8151-0073-0051] 在單個存儲單元中存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
[8151-0151-0052] 半導體器件及其制造方法
[8151-0139-0053] 光模塊、電路板及其電子機器
[8151-0019-0054] 半導體制造系統及其控制方法
[8151-0172-0055] 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(mim)電容器的方法
[8151-0001-0056] 半導體器件
[8151-0021-0057] 具有三維載體安裝集成電路封裝陣列的電子模塊
[8151-0008-0058] 具有將電源電壓轉換為工作電壓的降壓電路的半導體裝置
[8151-0053-0059] 用于提高刷新特性的半導體元件的制造方法
[8151-0124-0060] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0127-0061] 用于隔離多孔低k介電薄膜的結構和方法
[8151-0005-0062] 在低k互連上集成電線焊接的熔絲結構及其制造方法
[8151-0200-0063] 用于焊料結合中焊料擴散控制的方法和裝置
[8151-0018-0064] 用于改善襯底烘烤均勻性的可變表面熱板
[8151-0113-0065] 槽型元件分離結構
[8151-0038-0066] 自動對準形成錫凸塊的方法
[8151-0160-0067] 高深寬比硅深刻蝕方法
[8151-0011-0068] 堆迭式閘極快閃記憶元件
[8151-0144-0069] 層疊型壓電陶瓷元件的制造方法
[8151-0176-0070] 鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
[8151-0035-0071] 制造半導體組件的方法
[8151-0067-0072] 半導體裝置
[8151-0028-0073] 保護帶條的粘貼和分離方法
[8151-0154-0074] 形成微細尺寸結構的方法
[8151-0133-0075] 半導體器件
[8151-0136-0076] 一種高耦合率快閃存儲器及其制造方法
[8151-0126-0077] 半導體元件的熔絲結構
[8151-0150-0078] 半導體器件及方法
[8151-0085-0079] ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
[8151-0061-0080] 半導體器件
[8151-0087-0081] 處理裝置及其維護方法、處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖...
[8151-0003-0082] 導線架帶和制造使用導線架帶的半導體封裝的方法
[8151-0104-0083] 層疊芯片封裝件的制造方法
[8151-0051-0084] 晶體管形成方法
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[8151-0102-0088] 避免尖峰現象的方法
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[8151-0117-0090] 非揮發性存儲器結構及其制造方法
[8151-0033-0091] 基底銅層的磨光方法
[8151-0191-0092] 降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
[8151-0171-0093] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
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[8151-0114-0097] 內金屬介電層的制作方法
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[8151-0010-0099] 跨導基本上恒定的電路
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[8151-0195-0103] 一種太陽能轉換多結極聯光電池
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