半導體,半導體基片,半導體晶片,半導體存儲最新技術匯編(168元/全套)
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[8174-0164-0001] 操作難度較高的壓電式點火器
[摘要] 本發明的壓電式點火機構具有一個可伸縮的組件，該組件具有由一回歸彈簧支承，使它們之間保持最大伸長的一個內部可伸縮件和一個外部可伸縮件。該內部可伸縮件包括一個壓電元件，它在一個錘砧和沖擊墊之間是不動的，一個叩診錘撞擊該壓電元件，產生火花。一根用于支承該診錘的沖擊彈簧在該可伸縮組件的內部被導向，并配置在該叩診錘與該外部可伸縮件連接的一個端蓋件之間。一阻力彈簧也配置在該端蓋件上，或它的附近，以給該壓電式點火機構的操作提供附加阻力，以便能阻止未成熟的使用者不希望有的操作。
[8174-0101-0002] 具有高截止電壓和低導通損耗的,尤其用于通斷電流的電子裝置
[摘要] 一種具有高截止電壓和低導通損耗的，尤其用于通斷電流的電子裝置。在兩個電接點（２，３）之間連接有一p－n結（７），該p－n結在兩個由擊穿場強至少為１０６ｖ／cm的半導體組成的半導體區（６，８）之間構成。在兩個半導體區的第一半導體區（６）內設有一與該p－n結相鄰的通道域（９），該通道域與一硅元件（４）串聯在兩個電接點（２，３）之間。在硅元件的截止狀態下，該p－n結的耗盡區（７０）承受截止電壓。最好采用一ｍｏｓｆｅｔ作為硅元件。
[8174-0153-0003] 在半導體器件中形成接觸的方法及半導體器件
在半導體器件中形成接觸的方法，利用具有好的填充特性和抗熱堆積特性的摻雜多晶硅作為接觸孔填料，由此改進臺階覆蓋，同時形成歐姆接觸，并防止接觸孔填料的隆起現象。該方法包括：在具有n+型雜質區和p+型雜質區的半導體襯底上形成層間絕緣層，在對應雜質區的部分形成接觸孔，在接觸孔的底部上形成歐姆接觸層，用摻雜多晶硅填滿接觸孔。
[8174-0184-0004] 測定壓電元件溫度的方法和裝置
[摘要] 說明了測定壓電元件溫度的一種方法和裝置。該方法和裝置的特征是，在探測溫度時確定出壓電元件電容，和以所求出的電容和電容的溫度關系為基礎確定壓電元件的被探測的溫度。通過此可以簡單地和不影響其性能地測定壓電元件溫度。
[8174-0091-0005] 半導體器件的制造方法
[摘要] 提供在孔內埋入ａｌ系合金的高溫濺射結束后，能夠立即在無破壞下檢測埋入不良的半導體器件的制造方法。在晶片上設有元件形成區和檢查圖形形成區，在半導體基片１和絕緣膜２上形成布線層３，在布線層３和半導體基片１上形成層間絕緣膜４，在元件形成區的層間絕緣膜４上形成露出布線層３的第一孔，在檢查圖形形成區的層間絕緣膜上形成露出半導體基片１的與第一孔相同形狀的第二孔，在第一和第二孔內埋入ａｌ系合金，觀察第二孔，檢查在第一孔上是否產生了空隙。
[8174-0146-0006] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 在構成重疊通路的第一、第二接觸點之間形成布線的情況下，存在因重疊偏移而引起的充填特性的惡化等問題。在第一絕緣膜上進行充填并形成第一接觸點后，在該第一接觸點上形成布線，在該布線的側剖面上形成由絕緣物質構成的側壁。在包含布線的區域上用與側壁不同的物質層疊第二絕緣膜，通過將在該第二絕緣膜中對用于充填第二接觸點的通孔進行開口時的刻蝕條件定為難以刻蝕側壁的條件，即使在布線與第二接觸點中產生重疊偏移的情況下，也不刻蝕布線端部。
[8174-0142-0007] 等離子體處理方法及裝置
[摘要] 一種等離子體處理方法及裝置包括，邊導入規定的氣體邊排氣，在保持真空室（１）內規定的壓力的同時，在通過天線用高頻電源（４）向輪輻天線（５），通過電極用高頻電源（８）向電極（６）分別供給高頻電力，使真空室（１）內產生等離子體，在對電極（６）上的基片（７）進行腐蝕等的等離子體處理時，通過外皮，由電磁波屏蔽的發熱體構成的電阻加熱的加熱器（１１）和設置在電介體（９）上的壓接式熱電偶（１０）連接溫調器（１２），在電阻加熱的加熱器（１１）和輪輻天線（５）之間，設置隔熱材料（１３），通過帶有區域層加熱器（２２）的內室（１６），將真空室內加熱到８０℃以上。
[8174-0212-0008] 電感元件的集成電路
[摘要] 本發明涉及一種集成電路，包括至少一個電感元件（４）和一個稱為激活區的區域（５），所述區域包括電阻元件、電感元件和半導體元件，同時所述電感元件和激活區部分是重疊的。集成電路具有屏蔽裝置（６），用于使激活區與電感元件形成的電磁場絕緣。$本發明使在尺寸縮小的集成電路中實現具有高品質因數的電感元件成為可能并減小了電感元件和其他元件之間的電磁作用。
[8174-0009-0009] 在掩膜二氧化硅上鉆孔的等離子蝕刻方法
[摘要] 本發明涉及一種等離子蝕刻方法，它在一摻雜或未摻雜二氧化硅膜上開一個約０．３μm或更小、具有較大縱橫尺寸比的穿孔。該方法包括形成一個帶窗孔的掩膜層的步驟和一個通過該窗孔采用在反應室內的等離子和碳氟化合物蝕刻氣體對二氧化硅膜進行選擇性蝕刻的步驟。在選擇性蝕刻的步驟中，需對蝕刻條件進行調節，使碳氟比例為１．１至１．８范圍值的碳氟聚合物膜沉積在掩膜層上。掩膜厚度最好約為１μm，本方法宜用表面波等離子蝕刻儀來實現。
[8174-0211-0010] 包括低擴散電容網絡的集成電路
[摘要] 本發明涉及一種集成電路，它包括一系列以絕緣層成對隔開的導電層（１）…（６），包括由導電層剪裁出的導電層層疊而成電容元件ｃｆ。$根據本發明，電容元件ｃｆ包括的導電盤與集成電路的導電層一樣多。$本發明能最大程度地減小每個制造步驟對電容元件ｃｆ真實值的影響。應用于無線電話接收電路。
[8174-0176-0011] 背面電極型電子部件和將其裝于印刷電路板上的電子組件
[8174-0061-0012] 測量圖形設置和測量電路圖形尺寸精度和重疊精度的方法
[8174-0124-0013] 減小器件制備中的氧化應力
[8174-0093-0014] 具有溝槽隔離結構的半導體器件及其制造方法
[8174-0029-0015] 晶體管及其制造方法
[8174-0171-0016] 半導體器件
[8174-0181-0017] 樣品處理系統
[8174-0048-0018] 適于倒裝法組裝的電氣元件觸極的制作方法
[8174-0167-0019] 集成半導體存儲裝置
[8174-0189-0020] 半導體器件以及形成該器件的方法
[8174-0027-0021] 晶圓的固定裝置及方法
[8174-0070-0022] 半導體器件及其制造方法
[8174-0157-0023] 集成電路芯片上的電鍍互連結構
[8174-0077-0024] 用于帶電粒子束的局部集團掩模
[8174-0024-0025] 一種半導體器件的制造方法
[8174-0187-0026] 具有疊置電容器和埋置字線的動態隨機存取存儲器
[8174-0081-0027] 太陽能電池及其制造方法
[8174-0175-0028] 半導體器件的互連結構及其制造方法
[8174-0168-0029] 半導體器件及其應用
[8174-0068-0030] 形成動態隨機存取存儲器的方法
[8174-0213-0031] 導電性彈性體互聯器
[8174-0063-0032] 凸點的形成方法
[8174-0007-0033] 具有高熔點金屬硅化物膜的半導體裝置制造方法
[8174-0023-0034] 半導體裝置中的金屬線的橫向偏移量的控制
[8174-0130-0035] 用于蝕刻含有二氧化硅的層的方法
[8174-0026-0036] 半導體器件的制造方法
[8174-0073-0037] 減少集成電路制造過程中側壁堆積的金屬蝕刻方法
[8174-0046-0038] 半導體限流設備
[8174-0121-0039] 改進的多層導體結構及其形成方法
[8174-0111-0040] 半導體集成電路器件及其設計方法
[8174-0206-0041] 制造半導體器件的方法
[8174-0082-0042] 具有soi結構的半導體器件及其制造方法
[8174-0183-0043] 樣品加工系統
[8174-0147-0044] 半導體器件
[8174-0131-0045] 在半導體器件中形成不會短路的小型接觸孔的工藝
[8174-0182-0046] 樣品加工系統
[8174-0036-0047] 半導體器件及其制造方法、電路基板和薄膜載帶
[8174-0097-0048] 半導體器件及其制造方法
[8174-0191-0049] 動態隨機存取存儲器電容器存儲電極的制造方法
[8174-0133-0050] 化學處理設備及其流量控制方法
[8174-0173-0051] 絕緣體基外延硅寄生雙極效應的消除
[8174-0054-0052] 一種晶片排阻端面電極的制作方法
[8174-0034-0053] 半導體器件及其制造方法、電路基板和柔軟基板
[8174-0127-0054] 半導體器件制造方法
[8174-0136-0055] 集成電路的導體
[8174-0056-0056] 封裝的集成電路器件
[8174-0139-0057] 半導體裝置的制造方法和膜載帶
[8174-0161-0058] 可表面連接的半導體橋接元件、器件和方法
[8174-0200-0059] 形成具有多晶硅-硅化鈦結構的柵極的方法
[8174-0150-0060] 使用局部選擇氧化在絕緣體上形成的體硅和應變硅
[8174-0066-0061] 半導體裝置及其制造方法
[8174-0104-0062] 光電器件,其制備方法,和氧化鋅薄膜
[8174-0106-0063] 絕緣柵型半導體器件及其制法
[8174-0098-0064] 具有多層布線的半導體器件的制造方法
[8174-0118-0065] 半導體集成電路裝置
[8174-0002-0066] 分立半導體器件及其制造方法
[8174-0030-0067] 晶體管、半導體電路及其制造方法
[8174-0058-0068] 用于引線連接式芯片的有機芯片載體
[8174-0193-0069] 導電結構和半導體器件的制作工藝
[8174-0021-0070] 發光二極管及其制造方法
[8174-0018-0071] 發光元件與半導體發光裝置及其制造方法
[8174-0088-0072] 半導體器件
[8174-0105-0073] 形成化合物半導體膜和制作相關電子器件的方法
[8174-0115-0074] 半導體器件及其制造方法
[8174-0079-0075] 采用電淀積方法制備用于生產高效太陽能電池的cu in ga se (x=...
[8174-0192-0076] 半導體器件的制造方法
[8174-0032-0077] 圖形加工對位法
[8174-0001-0078] 半導體封裝及其制造方法
[8174-0152-0079] 帶有前后移動的芯片夾的半導體安裝裝置
[8174-0075-0080] 同步加速器輻射光的傳輸系統
[8174-0086-0081] 具有多層互連結構的半導體器件
[8174-0174-0082] 半導體裝置及其制造方法
[8174-0072-0083] 介電常數降低的改進二氧化硅絕緣膜及其形成方法
[8174-0094-0084] 半導體器件及其制造方法
[8174-0154-0085] 半導體器件的制造方法
[8174-0137-0086] 半導體裝置及其制造方法
[8174-0060-0087] 組合輸送托架
[8174-0205-0088] 高溫壓力傳感器芯片的制作方法
[8174-0090-0089] 制造半導體存儲器件的方法
[8174-0092-0090] 有淺溝槽隔離的集成電路器件
[8174-0208-0091] 半導體器件及其制造方法
[8174-0019-0092] 圖象傳感器芯片及其制造方法及圖象傳感器
[8174-0074-0093] 半導體晶片等的處理方法及其處理裝置
[8174-0198-0094] 表面平坦化的方法
[8174-0052-0095] 具有槽型結構的半導體器件及其制造方法
[8174-0194-0096] 水平表面間隔層的形成方法及由此形成的器件
[8174-0067-0097] 用于制造非易失存儲器件的方法
[8174-0145-0098] 存儲器單元結構,其制造方法及其操作方法
[8174-0037-0099] 具有倒裝的器件矩陣的電路結構的制造方法
[8174-0149-0100] 半導體集成電路及其設計方法
[8174-0199-0101] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和薄膜的光刻方法
[8174-0169-0102] 一種制造熱輻射電池的方法
[8174-0025-0103] 半導體器件的制造方法
[8174-0178-0104] 半導體器件接觸器、采用它的檢測裝置和方法及清洗方法
[8174-0049-0105] 氧化物陶瓷薄膜的制造方法
[8174-0207-0106] 半導體制造工藝和半導體器件制造工藝
[8174-0028-0107] 單晶硅片抗機械力的提高
[8174-0051-0108] 一種可集成多功能濕光敏元件及其制造方法
[8174-0039-0109] 用于消除電子組件應力的方法和裝置
[8174-0089-0110] 亞基本圖線尺寸圖形的形成
[8174-0158-0111] 模制塑料型半導體器件及其制造工藝
[8174-0004-0112] 集成電路制造方法及結構
[8174-0038-0113] 薄膜載帶和半導體裝置及其制造方法和電路板
[8174-0042-0114] 半導體集成電路及設計方法和記錄其設計程序的記錄媒體
[8174-0085-0115] 帶有微波雙極晶體管的半導體器件
[8174-0185-0116] 太陽能電池裝置的制造方法
[8174-0159-0117] 橫向雙極型場效應復合晶體管及其制作方法
[8174-0064-0118] 壓電變換器
[8174-0076-0119] 電極裝置
[8174-0214-0120] 晶片級封裝及其制造方法以及由其制造半導體器件的方法
[8174-0210-0121] 極化處理壓電材料的方法
[8174-0071-0122] 平面化半導體基片的方法
[8174-0110-0123] 半導體器件
[8174-0057-0124] 散熱板
[8174-0196-0125] 用于半導體處理的原位測量方法及裝置
[8174-0166-0126] 彈性定位用的凹槽內的凸塊
[8174-0170-0127] 半導體器件及其制造方法
[8174-0162-0128] 突點焊接的半導體成像器件
[8174-0188-0129] 帶有摻氧保護層的鐵電集成電路及其制備方法
[8174-0122-0130] 用于金屬層和有機的金屬層間層的雙鑲嵌方法
[8174-0143-0131] 半導體器件
[8174-0180-0132] 氮化物半導體的生長方法、半導體器件及其制造方法
[8174-0031-0133] 腐蝕劑及使用其制做半導體裝置的方法
[8174-0135-0134] 柔性電路及其制備方法
[8174-0132-0135] 可靠的具有減小的薄膜電阻的多晶硅-硅化物柵極疊層
[8174-0216-0136] 半導體集成電路及其制造方法
[8174-0160-0137] 以激光為基礎的集成電路的修理或重新構型的方法和系統
[8174-0177-0138] 形成雙鑲嵌布線的方法
[8174-0128-0139] 半導體器件的制造方法
[8174-0020-0140] 半導體器件及其制作方法
[8174-0140-0141] 半導體裝置、薄膜載帶及其制造方法
[8174-0055-0142] 微型計算機及多芯片組件
[8174-0047-0143] 混合信號應用系統建模方法及實現該方法的單片現場可編程系統
[8174-0202-0144] 用于建立差別注入條件的方法
[8174-0134-0145] 用于進行平面化和凹入蝕刻的方法及裝置
[8174-0012-0146] 有硅化物層的半導體器件的制造方法
[8174-0053-0147] 一種晶片排阻端面電極的制作方法
[8174-0014-0148] 由半透明副圖形輔助對主圖形精確轉換的對準器所用的光掩模及其制造工藝
[8174-0083-0149] 具有小寬/長比的閉合晶體管
[8174-0116-0150] 半導體器件及其制造方法
[8174-0044-0151] 集成電路模塊的制造方法
[8174-0043-0152] 凸起接合方法及凸起接合裝置
[8174-0217-0153] 使用柔性環氧樹脂將散熱器直接固定到芯片載體
[8174-0218-0154] 半導體元件及其制造方法
[8174-0108-0155] 一種閾值電壓電平設定方法
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[8174-0197-0157] 半導體制造工藝和半導體器件制造工藝
[8174-0099-0158] 化學機械拋光襯墊調理裝置
[8174-0172-0159] 半導體器件及其制造方法
[8174-0095-0160] 半導體裝置中形成隔離區的方法及所得的結構
[8174-0195-0161] 模塊集成電路處理機的轉動組件
[8174-0040-0162] 球柵極陣列插件
[8174-0102-0163] 用于制作集成電路中的二氧化硅和硅玻璃層的方法和裝置
[8174-0041-0164] 具有不同晶體溝道生長方向的半導體器件的制造方法
[8174-0022-0165] 具有至少一個電容器的集成電路裝置及其制造方法
[8174-0010-0166] 改進的清洗和干燥半導體晶片的裝置及方法
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[8174-0163-0169] 曝光裝置以及曝光方法
[8174-0112-0170] 帶有封閉的子模塊的功率半導體模塊
[8174-0141-0171] 膜載帶、半導體組裝體、半導體裝置及其制造方法、安裝基板和電子裝置
[8174-0165-0172] 膜狀復合結構體及其制造方法
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[8174-0209-0174] 免閉鎖功率金屬氧化物半導體一雙極型晶體管
[8174-0059-0175] 半導體器件的制造方法和半導體器件
[8174-0062-0176] 半導體集成電路的故障分析裝置及其方法
[8174-0138-0177] 半導體裝置用基板、引線框、半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
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[8174-0203-0179] 稀土摻雜的半導體薄膜
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[8174-0126-0183] 終點檢測方法和裝置
[8174-0065-0184] 用于單掩膜c4焊料凸點制造的方法
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[8174-0050-0191] 具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
[8174-0035-0192] 薄膜載帶、帶載半導體裝置組件、半導體裝置及其制造方法、封裝基板和電子設備
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