半導體,半導體存儲,半導體元件,半導體薄膜最新技術匯編(168元/全套)
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[8149-0054-0001] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[摘要] 在此披露了一種制造其漏極與溝道區分離（ｄsｃ結構）的凹槽柵極金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法，以滿足在深亞微米技術中提出的器件的可靠性和性能等所有要求。$按照本發明，同時界定溝道區和場區，使用ｌｏｃｏｓ形成其凹形溝道區與漏區分離的ｍｏｓｆｅｔ，從而避免了因腐蝕硅基片引起的表面損傷。將控制閾值電壓的雜質注入整個溝道區以防止與漏區分離的溝道區中載流子遷移率和跨導的減少。
[8149-0137-0002] 半導體存儲裝置
[摘要] 本發明目的在于提供具有即使變更產品規格也能夠以最佳電流驅動力驅動負載電路的升壓電位產生電路的半導體存儲裝置。用升壓電位產生電路１３恒定地產生高于外加電壓的外壓電位ф，并作為電源供給負載電路１５。用升壓電位控制電路１１監視升壓電位ф３，用電流能力控制電路１２把控制信號ф２ａ供給升壓電位產生電路１３，通過負載電路１５的負載大時加大反之則減小升壓電位電路１３的電流供給能力，使得即使變更負載也能以最佳電流驅動能力驅動負載。
[8149-0049-0003] 熱電式冷卻裝置、其所用半導體的制備方法及熱電式冷凍機
一種熱電式冷卻元件組５，由以一定間隔排列的吸熱側電極８，形成在該電極之上的ｐ型半導體層１０和ｎ型半導體層１１，以及將ｐ型半導體層１０和ｎ型半導體層１１連接起來的散熱側電極１２構成。多個ｐ型半導體層１０和ｎ型半導體層１１平行排列并在電學上串聯（圖６）。在熱電式冷卻元件組５與吸熱器４之間以及在熱電式冷卻元件組５與散熱器６之間，分別形成了高熱導率的硅脂層１７、１７。
[8149-0152-0004] 共柵極結構的晶體管
[摘要] 本發明涉及一種晶體管結構，更詳細地說，涉及共柵極結構的晶體管，它包括兩個晶體管共同夾著一個在同一層中形成的柵極，從而改進了布局結構并使工藝簡單。
[8149-0008-0005] 半導體存儲器件
[摘要] 一種半導體存儲器，包括一由雙極晶體管構成的電流驅動晶體管，其連接到相應的位線以增加位線電流。該電流驅動晶體管的收集極由一個接地的阱構成，基極由二個相鄰選行晶體管的公共漏區構成。其發射極是一與第一層間隔離層及第二層間隔離層分開排列的多晶硅層，它通過接觸孔同時被接到基區和位線。該發射極是形成在作為二個相鄰選行晶體管公共漏區的基區中的一個摻雜區。這種存儲器件具有提高運行速度和提高集成度的能力。
[8149-0060-0006] 帶有可焊引線架的集成電路器件
[摘要] 帶引線架的封裝器件、引線架及含基底金屬及其上的鎳層、鎳層上的復合金屬保護層的制品。復合層包括自鎳層起依次為鈀或軟金沉積層、鈀鎳合金層、鈀層及金層。鈀或軟金沉積層起接合層作用，并促進后續層減少孔隙度。ｐｄ－ｎｉ層對基底金屬離子起陷阱作用，ｐｄ層對來自ｐｄ－ｎｉ合金層的ｎｉ離子起陷阱作用。外金層協作增強ｐｄ層質量。軟金沉積層上的ｐｄ１～５微英寸、ｐｄ－ｎｉ合金層４～１００微英寸、ｐｄ層１～１００微英寸、而外金層１～１００微英寸。
[8149-0009-0007] 工件的濕化學處理方法
[摘要] 本發明涉及一種對工件，特別是半導體晶片，實施濕化學處理的方法，其是將工件暴露于經充氣的處理介質流體中，該經充氣的處理介質流體，是將氣泡均勻地分散于一液體內而生成。
[8149-0190-0008] 邏輯合成方法及半導體集成電路
[摘要] 在由多個寄存器和位于該寄存器間的多個組合電路構成的半導體集成電路的順序設計中，在用寄存器傳送層邏輯合成上述半導體集成電路時以高電壓源驅動具有關鍵路徑的組合電路，同時以低電壓源驅動無關鍵路徑的其它組合電路，并在位于具有關鍵路徑的組合電路前級的寄存器里設置把低電壓信號變換為高電壓信號的電平變換電路。故可簡易地進行電路設計，并能實現半導體集成電路的低功耗化。
[8149-0164-0009] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在薄膜晶體管的柵電極上形成掩模，以較低電壓在柵電極兩側形成多孔陽極氧化膜。以較高電壓在柵電極和多孔陽極氧化層之間和柵電極上面形成阻擋陽極氧化層，并用它作為掩模腐蝕柵絕緣膜。腐蝕阻擋陽極氧化層后，選擇地腐蝕多孔陽極氧化層，以獲得其上有柵絕緣膜的有源層區和其上無柵絕緣膜的其它有源層區。至少把氧、氮、碳中的一種元素摻入到濃度比其它有源層區的高的有源層區或ｐ型雜質摻入到有源層中。
[8149-0023-0010] 聲學超晶格材料的制備和超高頻聲學器件
[摘要] 本發明屬新材料和新技術領域，在襯底材料上生長壓電材料，選擇壓電材料（包括ｌｉｎｂｏ３、ｌｉｔａｏ３、ｐｂｔｉｏ３、ｂａｔｉｏ３、ｌｉ３ｂｏ７、ｓｉｏ２、ｚｎｏ、ｐｚｔ、ｔｅｏ２、ｂｉ１２ｇｅｏ２０、ｂｉ３ｔｉｏ４等）和非壓電介電材料（包括ｍｇｏ、ｔｉｏ２、ｓｒｔｉｏ３、ａｌ２ｏ３等），利用ｍｏｃｖｄ方法生長出兩兩組合的聲學超晶格材料，亦可以壓電材料中任意兩種材料生長，其周期寬度０．１～３μｍ，周期數１０～１００。
[8149-0011-0011] 制造半導體芯片凸塊的方法
[8149-0107-0012] 一種制造半導體器件的方法
[8149-0038-0013] 輻射二極管及其制造方法
[8149-0085-0014] 彈簧夾及散熱片組件
[8149-0109-0015] 具有肖特基隧道勢壘的帶存儲器的開關元件
[8149-0093-0016] 制造半導體集成電路的方法和設備
[8149-0142-0017] 用于顯示的薄膜半導體器件及其制造方法
[8149-0211-0018] 熱管式冷卻器
[8149-0215-0019] 內聯式非晶硅太陽能電池及制造方法
[8149-0088-0020] 密封半導體的樹脂片
[8149-0095-0021] 半導體器件
[8149-0133-0022] 激光照射裝置
[8149-0015-0023] 低溫超導發動機機芯應用新方法
[8149-0154-0024] 半導體集成電路裝置
[8149-0059-0025] 半導體器件
[8149-0125-0026] 半導體的金屬密封模
[8149-0124-0027] 用氧化層將半導體管芯固定在管芯基座上的電路和方法
[8149-0153-0028] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
[8149-0013-0029] 激光蒸發裝置及應用該裝置的半導體形成法
[8149-0047-0030] 柵格陣列掩模帶處理方法
[8149-0001-0031] 半導體芯片組件
[8149-0138-0032] cmos技術中集成電路極性顛倒的保護
[8149-0116-0033] 半導體器件及其制造方法
[8149-0119-0034] 半導體器件的制造方法
[8149-0111-0035] 帶有公共基區的晶體管
[8149-0135-0036] 制造半導體器件的方法
[8149-0070-0037] 半導體器件
[8149-0040-0038] 一種制備超微量子器件的方法
[8149-0072-0039] 光電轉換器
[8149-0198-0040] 散熱板以及用這種散熱板散熱的方法
[8149-0092-0041] 有抗熔元件的半導體器件及現場可編程門陣列的制造方法
[8149-0031-0042] 帶有x形管芯支托的半導體器件及其制造方法
[8149-0100-0043] 帶半導體芯片的電子部件
[8149-0117-0044] 從塑料封裝組件中恢復半導體裸芯片的方法
[8149-0130-0045] 非晶硅/鐵電陶瓷復合薄膜及其應用
[8149-0089-0046] 具有還原／氧化導電材料的半導體器件及其形成方法
[8149-0196-0047] 在液體中處理半導體片的方法和裝置
[8149-0099-0048] 內含液體的微電子器件管殼及其制造方法
[8149-0007-0049] 能預激勵的升壓電路器件和半導體存儲器
[8149-0168-0050] 半導體裝置
[8149-0149-0051] 半導體器件的制造方法
[8149-0096-0052] 半導體器件及其制造方法
[8149-0184-0053] 探針型檢測儀，使用這種檢測儀的ic檢測方法以及ic
[8149-0146-0054] 半導體器件及其制造方法
[8149-0102-0055] 半導體裝置及其制造方法
[8149-0167-0056] 用高溫超導材料制成的固體部件
[8149-0204-0057] 帶有有機半導體材料的半導體器件
[8149-0134-0058] 制造半導體器件的方法
[8149-0131-0059] 帶有導熱支持元件的電子封裝件
[8149-0073-0060] 用于降低串音以改進芯片外的選擇性的互連結構
[8149-0020-0061] 半導體發光器件及其制造方法
[8149-0105-0062] 半導體薄膜及使用這種薄膜的半導體器件的制造方法
[8149-0201-0063] 薄膜半導體器件的制造方法、薄膜半導體裝置、液晶顯示裝置和電子儀器
[8149-0033-0064] 一種半導體器件及其制造方法
[8149-0090-0065] 薄膜半導體集成電路及其制造方法
[8149-0018-0066] 恒流功率模塊
[8149-0083-0067] 集總的局部鋸切工藝方法
[8149-0030-0068] 無支撐板的半導體器件及其制造方法
[8149-0048-0069] 半導體器件及其制造方法
[8149-0165-0070] 在電可擦編程只讀存儲器中形成薄隧穿窗口的方法
[8149-0110-0071] 高效率、寬度電可調的場效應晶體管及其實現方法
[8149-0097-0072] 半導體元件的電極
[8149-0067-0073] 形成涂膜的方法和裝置
[8149-0158-0074] 集成電路元件組裝方法及其裝置
[8149-0144-0075] 制造光電換能器的方法
[8149-0012-0076] 一種塑封半導體器件的制造方法
[8149-0108-0077] 變容二極管及其制作方法
[8149-0208-0078] 蝕刻半導體片的方法和裝置
[8149-0016-0079] 清洗半導體器件的方法及其清洗半導體器件的設備
[8149-0214-0080] 利用溝槽平面化方法在絕緣體上鍵合亞微米硅
[8149-0045-0081] 耐熱粘結劑
[8149-0058-0082] 帶有含漏擴展區的most的高壓半導體器件
[8149-0128-0083] 包括至少兩個功率半導體開關的半導體電源模塊和電路裝置
[8149-0210-0084] 半導體器件及其制造方法
[8149-0217-0085] 半導體器件及其制造方法
[8149-0039-0086] 半導體基片的制作方法
[8149-0078-0087] 藍寶石平面上的氧化鋅壓電晶體膜
[8149-0057-0088] 半導體器件及其制造方法
[8149-0185-0089] 約瑟夫遜結及其制造方法
[8149-0029-0090] 半導體薄膜制造方法以及磁電變換元件的制造方法
[8149-0115-0091] 一種敷施粘合劑于微電子芯片的方法
[8149-0192-0092] 半導體器件及其制造方法
[8149-0055-0093] 半導體器件
[8149-0032-0094] 半導體及其制造方法
[8149-0203-0095] 半導體晶體包裝容器
[8149-0199-0096] 用于與射頻反應濺射的鈦-鎢和金微電路互連的抗電遷移的金屬化結構
[8149-0022-0097] 激勵原子束源
[8149-0025-0098] 高集成度半導體器件的制造方法
[8149-0017-0099] 半導體器件及其制造方法
[8149-0043-0100] 一種半導體器件封殼
[8149-0191-0101] 具有可轉動分檢鼓輪的半導體器件快速分檢裝置
[8149-0171-0102] 半導體器件的制造方法
[8149-0189-0103] 半導體集成電路器件
[8149-0106-0104] 半導體器件及其制造方法
[8149-0163-0105] 半導體器件及其制造方法
[8149-0160-0106] 制造半導體結構的方法
[8149-0002-0107] 一種微型高壓硅堆組合塊的封裝工藝
[8149-0024-0108] 具有絕緣體支固外引線的封裝電子器件及其制造方法
[8149-0037-0109] 在焊區配置上形成預先定位的焊料凸點的方法和裝置
[8149-0212-0110] 采用激光對產生缺陷的元件進行修復的方法
[8149-0104-0111] 半導體裝置的制造方法
[8149-0172-0112] 制造半導體器件的方法
[8149-0141-0113] 外延向上生長方法和器件
[8149-0069-0114] 具有異型摻雜島的半導體器件耐壓層
[8149-0206-0115] 半導體器件及其制造方法
[8149-0218-0116] 制造具有設置在支撐薄片上的半導體材料層中形成的半導體元件的半導體器件的方...
[8149-0084-0117] 一種用氯化硫鈍化ⅲ-v族半導體表面的方法
[8149-0200-0118] 處理半導體晶片的方法
[8149-0005-0119] 圓片釋放法和釋放器
[8149-0068-0120] 制造芯片隆起部的方法
[8149-0118-0121] 形成半導體器件接觸孔的方法
[8149-0188-0122] 半導體集成電路裝置
[8149-0042-0123] 半導體發光裝置
[8149-0194-0124] 有選擇地形成半導體區域的方法
[8149-0148-0125] 用于半導體引線框的帶子粘貼設備
[8149-0046-0126] 模制樹脂以密封電子元件的方法及裝置
[8149-0139-0127] 半導體襯底及其制造方法
[8149-0132-0128] 具有接觸結構的半導體器件及其制造方法
[8149-0034-0129] 半導體、半導體器件及其制造方法
[8149-0173-0130] 半導體器件的制造方法
[8149-0209-0131] 電子攝影光電導體及其制造方法
[8149-0157-0132] 半導體器件制作工藝
[8149-0174-0133] 超音波引線焊接裝置
[8149-0065-0134] 具有歐姆電極的氮化鎵系ⅲ-ｖ族化合物半導體器件及其制造方法
[8149-0175-0135] 可關斷半導體器件
[8149-0216-0136] 半導體裝置及其制造方法
[8149-0182-0137] ⅲ-v族半導體結構和制造方法
[8149-0056-0138] 射極耦合邏輯電路的老化方法和裝置
[8149-0044-0139] 半導體電路及其制造方法
[8149-0136-0140] 有幾個穩定開關狀態的隧道二極管
[8149-0006-0141] 超導發動機、機心應用新方法
[8149-0113-0142] 與半導體芯片配合的封裝及其制造方法
[8149-0079-0143] 發光二極管及其制造方法
[8149-0066-0144] 高集成度半導體布線結構及其制造方法
[8149-0120-0145] 電介質形成方法及其設備
[8149-0179-0146] 半導體集成電路器件
[8149-0028-0147] 半導體集成電路、半導體器件、晶體管及其制造方法
[8149-0122-0148] 半導體器件及其制造方法
[8149-0074-0149] 給半導體產品的基片涂膜的裝置
[8149-0103-0150] 在多層圖形間測量重疊誤差的重疊測量標記和方法
[8149-0195-0151] 一種半導體器件的制造方法
[8149-0178-0152] 半導體存儲器件及其制造方法
[8149-0082-0153] 半導體晶元嵌入電路板的封裝方法
[8149-0091-0154] 側面有凸緣的密封式半導體器件及其制造方法
[8149-0014-0155] 半導體器件及其制造方法
[8149-0098-0156] 半導體器件及其制造方法
[8149-0127-0157] 一種形成薄和厚金屬層的方法
[8149-0159-0158] 具有偏置柵極結構的薄膜晶體管的制造方法
[8149-0114-0159] 集成電路電子信息儲存卡及其封裝方法
[8149-0027-0160] 一種用于導線連接裝置的毛細管以及一種應用該毛細管形成導電連接隆起的方法
[8149-0064-0161] 半導體集成電路的布圖設計方法
[8149-0071-0162] 半導體熱電器件及其材料的制造方法及設備
[8149-0062-0163] 半導體器件及其制造方法
[8149-0081-0164] 穩流半導體集成電路器件及其制造方法
[8149-0180-0165] 用于半導體器件的引線框架
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[8149-0121-0167] 半導體器件及其制造方法
[8149-0004-0168] 半導體制造工藝和半導體器件制造工藝
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[8149-0150-0171] 在半導體表面制造t形柵極的方法
[8149-0161-0172] 半導體器件的制造方法
[8149-0166-0173] 能量收集芯片型壓電諧振組件
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[8149-0041-0177] 一種高頻窄帶聲表面波器件的制作方法
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[8149-0186-0184] 每個中具有一個由含氟的聚合物樹脂組成的保護件的光電轉換裝置及其光電轉換組...
[8149-0177-0185] 復合熱釋電薄膜
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[8149-0219-0219] 形成半導體器件金屬互連的方法
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