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[8157-0038-0001] 具有可熔焊區和可細絲壓焊區的金屬再分布層
[摘要] 本發明提供一種再分布金屬化方案，除現有壓焊區(102)外，還組合焊塊(122)和細絲壓焊區(132)，以強化半導體器件的連接性，尤其是倒裝芯片應用中的連接性。其制作方法包括在再分布淀積步驟期間形成附加壓焊區。再分布層用的金屬(204、206、208)提供形成焊塊用的可熔焊表面和細絲壓焊用的可壓焊表面。
[8157-0184-0002] 半導體電路布置及其生產方法
[摘要] 本發明涉及半導體電路布置，在第一導電類型的基底(1)中具有整體形成的電路元件，其中包括至少一個控制電極(g1，g2)及第一(d)和第二(s)電極連接。根據本發明，在所述半導體基底主表面的背側，至少一個控制電極至少部分硅化。
[8157-0181-0003] 借助于非現場生產的納米金屬粒子進行核酸的敷金屬的方法
本發明涉及一種進行核酸的敷金屬的方法，包括：提供三(羥甲基)膦-au(thp-au)粒子或其衍生物；將所述thp-au粒子結合到核酸上，生產金屬納米粒子-核酸復合材料；和用無電鍍膜溶液處理金屬納米粒子-核酸復合材料。本發明還涉及可按照所述方法得到的敷金屬的核酸以及納米導線，其包括制造納米導線的方法。
[8157-0128-0004] 化學機械研磨的方法
[摘要] 一種化學機械研磨的方法，是在化學機械研磨制程中，于阻障層研磨液中添加一化學助劑而變成金屬層研磨液，并憑借化學助劑的添加與否調整研磨液的性質，以分別用來去除金屬層與阻障層。如此可免去熟知的研磨液轉換過程中清洗研磨墊所需的繁復步驟，并可避免因研磨液的差異而產生的酸堿沖擊，以及因此所造成的元件缺陷等問題。
[8157-0129-0005] 清洗具有接觸孔或介層洞的芯片清洗裝置與方法
[摘要] 本發明提供一種清洗具有接觸孔或介層洞的芯片清洗裝置與方法，其中芯片清洗裝置至少包括固定裝置、轉動裝置以及噴水裝置。固定裝置用以將芯片固定住，使得芯片具有接觸孔或介層洞的表面朝下；轉動裝置設于固定裝置的上方且與其連接，用以使固定裝置旋轉；噴水裝置設于固定裝置的下方，用以將水由下方往上噴洗芯片的表面。本發明的裝置與方法，克服了公知技術存在的缺陷，可降低自然氣化物殘留在接觸孔或介層洞內的機率，而且可增進芯片表面上缺陷的去除能力。
[8157-0025-0006] 結構評價方法、半導體裝置的制造方法及記錄媒體
[摘要] 一種結構評價方法、半導體裝置的制造方法和記錄媒體，是在設定工藝條件的初始推定值并利用工藝模擬器進行半導體器件的要素的結構的推定之后，計算物理量測定值的預想值。并且，將通過光學的評價方法得到的半導體器件的要素的物理量的實測值與理論計算值相互進行比較，利用例如急速下降法等，求出測定的半導體器件的要素的更正確的結構。利用該結果可以修改其他半導體器件的要素的工藝的工藝條件。
[8157-0061-0007] 處理單晶半導體晶片的方法和局部處理的半導體晶片
[摘要] 單晶si半導體晶片(1)的處理方法包含溫度超過550℃的退火工藝。事先把防止在退火期間金屬和/或稀土金屬物質進入si半導體晶片(1)內的保護層(15)淀積到si半導體晶片的背面。
[8157-0113-0008] 彎曲振動模式壓電陶瓷升壓變壓器及其制備方法
[摘要] 壓電陶瓷升壓變壓器和制備方法，利用輸入和輸出端的機械串聯結構使壓電陶瓷產生共振，在輸出端輸出升壓，并獲得高電功率轉換效率。壓電變壓器采用一體化共燒工藝制備，具有結構緊湊，器件尺寸小，工作性能穩定等特點。適用于小型化的電子儀器。器件的主要優點在于：器件形狀為扁平長方體結構。采用共燒工藝，以及尺寸優化技術，將一般情況下較少采用的彎曲振蕩模式引入升壓變壓器的設計中。采用多層共燒結構，拓寬輸入電壓的調節范圍。
[8157-0013-0009] 半導體器件和硅基膜的形成方法
[摘要] 本發明提供一種包括硅基膜構成的半導體結的半導體器件，其特征是，至少一層硅基膜含微晶，微晶位于含無取向性的微晶的硅基膜的至少一個界面區中。還提供一種包括硅基膜構成的半導體結的半導體器件，其中至少一層硅基膜含微晶，膜中的微晶取向特征按其膜厚方向變化。為了提供價格便宜的有優良性能的硅基膜，本發明提供一種具有優良特性，生產周期縮短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括該硅基膜，有優良附著力和優良的耐環境性的半導體器件。
[8157-0039-0010] 薄膜半導體器件的制造方法
[摘要] 用比較低的溫度制造優良的多晶薄膜半導體器件。在形成非晶半導體膜后，在固相狀態使其結晶，其后，照射非晶硅中的吸收系數比多晶硅中吸收系數大的脈沖激光，使半導體膜的一部分熔化。
[8157-0169-0011] 半導體記憶裝置
[8157-0053-0012] 有機發光二極管器件中改進的陰極層
[8157-0127-0013] 磷化銦單晶片的拋光工藝
[8157-0178-0014] 半導體器件
[8157-0130-0015] 制造半導體晶片與載具盤之間附著粘合接點的方法及裝置
[8157-0116-0016] 用于半導體測試系統的晶片圖象顯示裝置和方法
[8157-0091-0017] 平面顯示器制造方法
[8157-0168-0018] 能防止產生多次反射的半導體裝置及其驅動和設置方法
[8157-0156-0019] 形成具有高電容量與低伏特系數的電容器的方法
[8157-0032-0020] 用順序橫向固化制造均勻大晶粒和晶粒邊界位置受控的多晶硅薄膜半導體的方法
[8157-0186-0021] 太陽能和水的生產裝置
[8157-0009-0022] 圖像感測元件,圖像感測裝置和信息處理裝置
[8157-0035-0023] 一種模具
[8157-0019-0024] 利用絕緣襯墊防止窄器件中的閾值電壓的滾降
[8157-0070-0025] 制備電光裝置襯底的方法、電光裝置襯底、電光裝置以及電子裝置
[8157-0141-0026] 嵌入式內存測試平臺裝置及其測試方法
[8157-0145-0027] 金屬電容器的構造及其制造方法
[8157-0015-0028] 使用超臨界二氧化碳法從襯底上去除光刻膠及殘渣
[8157-0022-0029] 用于生產芯片卡便攜存儲介質的方法
[8157-0064-0030] 集成電路的靜電放電保護
[8157-0162-0031] 具有多個布線層的半導體器件及其制造方法
[8157-0083-0032] 半導體芯片加載用接合帶、半導體芯片的載體及包裝體
[8157-0206-0033] 局部形成自對準金屬硅化物的方法
[8157-0054-0034] 具有自對準接觸結構的半導體器件及其形成方法
[8157-0191-0035] 管理襯底加工設備的設備信息的襯底加工系統
[8157-0215-0036] 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產品
[8157-0079-0037] 磁阻元件以及磁阻效應型存儲元件
[8157-0110-0038] 半導體裝置及其制造方法
[8157-0069-0039] 分布布拉格反射器、有機發光元件及彩色發光器件
[8157-0201-0040] 單芯片式墊氧化層成長方法
[8157-0179-0041] 光電裝置
[8157-0164-0042] 靜電放電保護裝置
[8157-0155-0043] 鐵電存儲器晶體管的制造方法
[8157-0177-0044] 半導體裝置
[8157-0112-0045] 具有對邊電極的發光二極管元件及其制造方法
[8157-0086-0046] 基板處理方法及裝置
[8157-0115-0047] 底柵薄膜晶體管的制作方法
[8157-0026-0048] 電子器件制造
[8157-0138-0049] 電路裝置的制造方法
[8157-0077-0050] 半導體器件
[8157-0144-0051] 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產品
[8157-0159-0052] 用于半導體器件的插座
[8157-0173-0053] 攝像裝置
[8157-0134-0054] 用于離子植入制程的光阻層的去除方法
[8157-0023-0055] 差動放大器輸入端防靜電放電保護電路
[8157-0143-0056] 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法
[8157-0056-0057] 電子部件的安裝方法及其裝置
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[8157-0193-0059] 一種電容下層儲存電極的制作方法
[8157-0137-0060] 集成電路芯片安裝結構以及顯示設備
[8157-0007-0061] 半導體器件
[8157-0190-0062] 半導體器件及其制造方法
[8157-0147-0063] 半導體裝置的制造方法及根據此方法制造的半導體裝置
[8157-0208-0064] 計算金屬氧化物半導體場效應晶體管門限電壓的方法
[8157-0031-0065] 低溫下用順序橫向固化制造單晶或多晶硅薄膜的系統和方法
[8157-0176-0066] 高基底觸發效應的靜電放電保護元件結構及其應用電路
[8157-0174-0067] 縱向結構的半導體器件
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[8157-0063-0069] 熱加強球型柵極陣列封裝的金屬芯基質印刷接線板及方法
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[8157-0051-0071] 薄膜的形成方法
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[8157-0163-0073] 內嵌在集成電路的電磁干擾抵消電路
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[8157-0158-0075] 具有散熱結構的半導體封裝元件
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[8157-0111-0077] 含熒光體的發光半導體器件及應用
[8157-0010-0078] 半導體裝置、互補型半導體裝置
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[8157-0052-0081] 半導體面發光器件及增強橫向電流擴展的方法
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[8157-0197-0086] 一種帶有導熱套管的rf探頭
[8157-0001-0087] 布線圖形的布局方法、半導體器件及圖形的光學修正方法
[8157-0204-0088] 局部形成硅化金屬層的方法
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