半導體,半導體元件,半導體存儲器裝置,制造半導體器件最新技術匯編(168元/全套)
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[8176-0136-0001] 在半導體晶片上均勻生長薄膜的生長系統及其工藝
[摘要] 大氣壓條件下的化學汽相淀積系統，包括平行延伸用于以間隔傳送半導體晶片（１５ａ／１５ｂ）的多個網狀傳送帶（１２ａ－１２ｇ），位于所述多個網狀傳送帶（１２ａ－１２ｇ）上用于加熱傳送帶上的反應區的反應氣體注入器（１３ｂ），和用于移動多個傳送帶的驅動機構（１２ｈ），其特征在于驅動機構（１２ｈ）以不同的速度移動傳送帶（１２ａ－１２ｇ），以便使每個半導體晶片（１５ａ／１５ｂ）在反應區中產生旋轉（ｒ），由此均勻地將半導體晶片整個表面暴露于反應氣體，這在反應區中產生不同的淀積條件。
[8176-0054-0002] 光電池的批量制造方法
[摘要] 本發明涉及一種多個光電池（２２）的批量制造方法，該方法包括以下步驟：$（ａ）提供至少一個導電材料條帶（１），$（ｂ）在所說條帶（１）中連續地切割出具有所需光電池（２２）形狀和尺寸的基片（２），$（ｃ）將切割出的基片（２）放回所說條帶（１）中,$（ｄ）在所說條帶（２）的一個表面上沉積構成至少一個ｎ－ｉ－ｐ或ｐ－ｉ－ｎ結的半導體材料（１６），$（ｅ）在所說半導體材料（１６）的頂面上沉積透明的導電材料層，$（ｆ）從所說條帶（１）中取出覆蓋有所說半導體材料（１６）和所說上部電極（１８）的切割基片（２），以構成可以使用的單個光電池。$
[8176-0081-0003] 一種薄膜晶體管開關器件的制作方法
本發明公開了一種有源液晶顯示器的薄膜晶體管開關器件制作方法。在氫化非晶硅（a－si:h)有源層上用光刻方法制作一絕緣介質層，絕緣介質層為倒梯形結構和矩形結構，上邊長等于柵電極寬度，也可以小于柵電極寬度，高度大于１．５倍的源、漏電極的厚度。
[8176-0162-0004] 熱電偶檢測器及其制造方法
[摘要] 熱電偶檢測器及其制造方法，該方法包括：在襯底上形成隔膜；在隔膜的指定區域上形成熱電偶；在熱電偶上形成保護膜；在保護膜上形成光致抗蝕劑和從指定區域上除去光致抗蝕劑；在包含光致抗蝕劑的整個表面上形成黑體和除去殘余的光致抗蝕劑及光致抗蝕劑上的黑體；從襯底背面的指定區域上除去部分襯底以便暴露隔膜，由此與已有半導體制造過程兼容，提高了產量，并控制黑體的均勻特性。由于有良好結合力的黑體，故能提高產量和降低熱電偶生產成本。
[8176-0196-0005] 用于制造beol布線的小接觸通孔的高生產率al-cu薄膜濺射工藝
[摘要] 一種薄膜濺射工藝，其中：首先在低溫和低濺射功率下，在通孔的側壁上淀積第一al-cu膜，然后在高溫和高濺射功率下，在該第一al-cu膜上淀積第二al-cu膜，形成填充該通孔的金屬互連層。濺射是在同一濺射室內的低溫和高溫的兩個步驟內完成的。在低溫和低濺射功率下的淀積在該通孔內形成良好覆蓋，在高溫和高濺射功率下的淀積減少了工藝時間。
[8176-0151-0006] 具有改進的鐵電電容特性的鐵電存儲器件
[摘要] 一種鐵電存儲器件包括通過絕緣薄膜（９）在半導體襯底（１）上形成的鐵電電容元件。該鐵電電容元件包括下電極（３）、在下電極上形成的鐵電薄膜（４），以及在鐵電薄膜上形成的上電極（５）。上電極具有疊層結構，后者含有與所述鐵電薄膜連接的第一金屬的導電氧化物層。
[8176-0065-0007] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 提供有多個存儲器單元的半導體存儲器，可不進行光刻工藝就形成在電容絕緣膜上形成的、且通過在其上的層間絕緣膜與配置的上層布線的連接。在半導體存儲器中，通過設置在絕緣膜中的開孔與擴散區連接，在形成電容器下部電極時，還在存儲器單元陣列相鄰的區域，與電容器下部電極相同的層中同時設置虛設電極。通過電容絕緣膜形成電容器上部電極，通過在其上形成的層間絕緣膜的開孔，將埋設在夾在虛設電極溝中的電容器上部電極與上層電極連接。
[8176-0126-0008] 金屬氧化物半導體晶體管對裝置
[摘要] 一種ｍｏｓ晶體管對是在同一基板上配設第１及第２ｍｏｓ晶體管。這第１及第２ｍｏｓ晶體管各自沿柵極寬度被等分割成多個，由第１分割晶體管ｍ１ａ～ｍ１c及第２分割晶體管ｍ２ａ～ｍ２ｃ構成。上述第1分割晶體管ｍ１ａ～ｍ１ｃ及第２分割晶體管ｍ２ａ～ｍ２ｃ被配設成使其各柵極在柵極長度方向的基于中心線ｘ－ｘ’的位置坐標值總和各自成為相等。因此，各分割晶體管的柵極在柵極長度方向的誤差總和變為“０”值，２個ｍｏｓ晶體管之間的電流差消失。
[8176-0129-0009] 單片線性光耦合器及其制造方法
[摘要] 一種器件包括發光二極管，用于發射光線；用于根據其感測的光產生電流的第一和第二光電二極管，第一和第二光電二極管與發光二極管形成在同一單片上，并且該器件還包括一個絕緣體，用于使發光二極管與第一光電二極管電絕緣，絕緣體對于由發光二極管發射的光基本上透明，其中第一和第二光電二極管相對于發光二極管的位置設置為使由發光二極管發出的光的各方向不均勻性得到補償。本發明還涉及該器件的制造方法。
[8176-0121-0010] 驅動固態圖象傳感器的方法
[摘要] 驅動固態圖像傳感器的方法，包括步驟（ａ）將光變成電荷，（ｂ）按預定的垂直象素線數（４）選擇地讀出變換的電荷至垂直電荷耦合器件（５），（ｃ）重復步驟（ｂ）、（ｄ）向水平電荷耦合器件（２）傳遞讀出的電荷，（ｅ）經水平電荷耦合器件水平傳遞相加的電荷，并讀出電荷，還包括（ｆ），在水平消隱周期內在電荷耦合器件（２）中按預定垂直象素線的數（４）傳遞電荷，將在步驟（ｂ）讀出的一電荷加至在步驟（ｃ）中讀出的一相關電荷。
[8176-0144-0011] 制造無勢壘半導體存儲器裝置的方法
[8176-0079-0012] 分子污染控制系統
[8176-0048-0013] 半導體裝置及其制造方法
[8176-0082-0014] 具有導線插頭的半導體器件及其生產方法
[8176-0209-0015] 一種小功率晶閘管的結構及其制造工藝
[8176-0102-0016] 半導體晶片退火用的燈管退火爐及方法
[8176-0039-0017] 扣合裝置
[8176-0109-0018] 矩陣結構的led-陳列
[8176-0125-0019] 半導體器件和設計方法及該方法的記錄介質和支持系統
[8176-0139-0020] 減少半導體制造中的黑硅
[8176-0099-0021] 管芯接合裝置
[8176-0207-0022] 處理裝置、處理方法及機械手裝置
[8176-0108-0023] 高壓半導體元件
[8176-0019-0024] 高性能芯片封裝及方法
[8176-0174-0025] 超薄單相金屬導體擴散阻擋層
[8176-0157-0026] 對探頭端部進行表面處理的片材
[8176-0104-0027] 用于半導體器件的清洗/干燥臺和生產線
[8176-0168-0028] 檢測未完全腐蝕的通孔的方法
[8176-0123-0029] 高電阻負載靜態型ram及其制造方法
[8176-0083-0030] 固態圖象傳感器
[8176-0147-0031] 圖象傳感器
[8176-0189-0032] p溝道槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管結構
[8176-0113-0033] 特別用于置入芯片卡體的芯片模塊
[8176-0111-0034] 具有“埋置的極板式電極”的集成半導體存儲器裝置
[8176-0055-0035] 帶氧化鋅層的基片、氧化鋅層的制造方法、光電器件以及光電器件的制造方法、
[8176-0003-0036] 制作雙電壓金屬氧化物半導體晶體管的方法
[8176-0116-0037] 制造集成半導體存儲裝置的方法
[8176-0212-0038] 半導體存儲器件及其制造方法
[8176-0041-0039] 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8176-0100-0040] 管芯接合裝置
[8176-0025-0041] 平面化腐蝕半導體器件的方法
[8176-0095-0042] 集成電路及其制造方法
[8176-0037-0043] 透光窗戶層發光二極管
[8176-0056-0044] 半導體薄膜及其制造方法以及使用該薄膜的太陽能電池
[8176-0172-0045] 形成配線結構的方法
[8176-0119-0046] 發光二極管的制造方法
[8176-0105-0047] 分立基板的制造方法
[8176-0075-0048] 產生直接繪圖數據的方法以及直接繪圖的方法和裝置
[8176-0164-0049] 集成電路器件中的互連
[8176-0150-0050] 非易失半導體器件以及其制造方法
[8176-0020-0051] 用于半導體的密封樹脂構件及半導體元件
[8176-0115-0052] 半導體只讀存儲器及其制造方法
[8176-0218-0053] 小片接合設備
[8176-0022-0054] 半導體器件制造方法
[8176-0007-0055] 半導體器件的制造方法
[8176-0053-0056] 防止因工藝條件規范改變使半導體制造工藝失效的方法
[8176-0068-0057] 半導體器件的布線方法和布線裝置
[8176-0138-0058] 半導體器件的生產工藝和其中使用的清洗裝置
[8176-0005-0059] 陽極氧化方法和裝置以及半導體襯底制造方法
[8176-0011-0060] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0049-0061] 基板的操作方法與裝置及其所使用的吸附檢查方法與裝置
[8176-0180-0062] 半導體元件避免鎢插塞損失阻擋層的制造方法
[8176-0158-0063] 半導體器件制造方法
[8176-0057-0064] 絕緣柵型半導體器件及其制造方法
[8176-0130-0065] 半導體貯存夾具、操作方法及生產系統
[8176-0202-0066] 氧化物電介質元件的制造方法、采用該元件的存儲器及半導體裝置
[8176-0066-0067] 存儲單元陣列的制造方法
[8176-0155-0068] 避免碟形凹陷的淺溝槽隔離方法
[8176-0131-0069] 集成電路芯片、集成電路結構體、液晶裝置和電子裝置
[8176-0077-0070] 具有新型觸點接通的壓電執行元件及其制造方法
[8176-0214-0071] 半導體芯片的安裝結構體、液晶裝置和電子裝置
[8176-0030-0072] 清洗電子元件構件或類似零件的方法和裝置
[8176-0033-0073] 半導體封裝及其制造方法
[8176-0027-0074] 復合部件及其分離方法和半導體襯底的制備方法
[8176-0046-0075] 動態隨機存取存儲器及金屬連線的制造方法
[8176-0204-0076] 半導體封裝用芯片支持基片、半導體裝置及其制造方法
[8176-0181-0077] 控制容性執行機構的方法和裝置
[8176-0205-0078] 電子元件裝置
[8176-0114-0079] 封裝半導體芯片的環氧樹脂包封料及其制造方法
[8176-0175-0080] 溝槽隔離的形成方法
[8176-0170-0081] 引入了金屬籽晶層的銅互連結構
[8176-0013-0082] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0029-0083] 制造帶有movpe層序列的半導體本體的方法
[8176-0042-0084] 動態隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
[8176-0006-0085] 半導體裝置的制造方法
[8176-0112-0086] 帶多層電容器的半導體存儲器裝置
[8176-0182-0087] 球狀半導體器件及其制造方法和球狀半導體器件材料
[8176-0149-0088] 靜態半導體存儲器
[8176-0078-0089] 具有雙地線的射頻功率封裝
[8176-0001-0090] 與半導體上絕緣通孔中的銅金屬化層接觸的方法和結構
[8176-0014-0091] 具有發光變換元件的發光半導體器件
[8176-0096-0092] 半導體元件及其制造方法
[8176-0217-0093] 形成金屬互連的方法
[8176-0021-0094] 芯片載體
[8176-0080-0095] 一種金屬－絕緣體－金屬開關器件的制法
[8176-0128-0096] 去除氮化硅保護層針孔的方法
[8176-0186-0097] 太陽能電池組件和其生產工藝、安裝方法及發電系統
[8176-0023-0098] 三重阱結構的半導體集成電路的制造方法
[8176-0188-0099] 一種提高熱釋電紅外探測器響應的方法
[8176-0134-0100] 半導體器件及其制造方法
[8176-0026-0101] 用于腐蝕的保護單元
[8176-0122-0102] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[8176-0110-0103] 用于制作沒有阻擋層的半導體存儲器裝置的方法
[8176-0012-0104] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0160-0105] 熱電半導體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
[8176-0008-0106] 阻擋層及其制造方法
[8176-0173-0107] 形成多級互連結構的方法
[8176-0190-0108] 襯底觸發式靜電放電保護的半導體器件及其方法
[8176-0073-0109] 半導體晶片的化學機械平面化的改進的方法和裝置
[8176-0191-0110] 一種半導體器件及其制造方法
[8176-0016-0111] 全彩色有機發光二極管及其制造方法
[8176-0206-0112] 氧化鈰研磨劑以及基板的研磨方法
[8176-0067-0113] 淺溝槽隔離方法
[8176-0059-0114] 采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
[8176-0153-0115] 半導體基片中的小型接頭及其制作方法
[8176-0031-0116] 等離子體腐蝕反應器和方法
[8176-0133-0117] 半導體裝置的制造方法以及制造裝置
[8176-0091-0118] 圓柱形疊式電極的制造方法
[8176-0076-0119] 壓電變壓器裝置
[8176-0135-0120] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0197-0121] 半導體器件其制造方法
[8176-0044-0122] 制造半導體器件的方法
[8176-0141-0123] 薄膜器件的轉移方法、薄膜器件、薄膜集成電路裝置、有源矩陣襯底、液晶顯示裝...
[8176-0084-0124] 用于絕緣體上硅集成電路的掩埋圖形的導體層
[8176-0120-0125] 半導體元件及其制造方法
[8176-0215-0126] 半導體器件的制造方法
[8176-0195-0127] 形成溝槽隔離結構的方法
[8176-0094-0128] 制造動態隨機存取存儲器單元電容器的方法
[8176-0103-0129] 半導體器件制造方法
[8176-0032-0130] 半導體裝置和液晶顯示裝置以及含有它們的電子機器
[8176-0107-0131] 具有供疊層件使用備有被保護阻擋層的半導體構件
[8176-0213-0132] 金－合金細導線及其制造方法和應用
[8176-0036-0133] 平版印刷用清潔劑
[8176-0201-0134] soi襯底的回收方法和再生的襯底
[8176-0127-0135] 雙冠狀電容器的制造方法
[8176-0165-0136] 采用干法和濕法腐蝕制造鐵電集成電路的方法
[8176-0166-0137] 對氫暴露具有低敏感度的鐵電集成電路及其制造方法
[8176-0156-0138] 最小接觸的晶片載架
[8176-0177-0139] 防止倒裝片鍵合區起伏的圖案
[8176-0052-0140] 半導體器件的制造工藝
[8176-0074-0141] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0101-0142] 能夠抑制晶體管特性退化的制造雙極晶體管的方法
[8176-0018-0143] 具有金屬硅化物薄膜的半導體器件及制造方法
[8176-0071-0144] 避免摻雜介電層內發生摻雜擴散的接觸窗回火的方法
[8176-0069-0145] 用易處理的硬掩模制作溝槽式電容器
[8176-0148-0146] 光半導體裝置及其裝配的光半導體模塊
[8176-0163-0147] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0176-0148] 半導體器件的測試及半導體器件制造方法
[8176-0140-0149] 具有線性電流電壓特性的半導體元件
[8176-0017-0150] 光電導薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
[8176-0086-0151] 多階快閃存儲器結構及其制造方法
[8176-0051-0152] 劃片座及利用它來切割無帶襯底的方法和設備
[8176-0200-0153] 制造半導體器件的方法
[8176-0137-0154] 半導體器件及其制造方法
[8176-0145-0155] 半導體器件和制作方法
[8176-0002-0156] 在集成電路中形成溝槽式電容器的改進技術
[8176-0124-0157] 半導體存儲器件
[8176-0154-0158] 銅互連結構及其制作方法
[8176-0199-0159] 研磨方法以及用于研磨方法中的研磨顆粒的制造方法
[8176-0192-0160] 具有饋孔連接的多個器件集成電路塊
[8176-0098-0161] 測定用于最佳靜電吸盤箝位電壓的晶片翹曲的方法和裝置
[8176-0179-0162] 圖形曝光裝置用的試樣臺
[8176-0058-0163] 垂直型金屬絕緣體半導體場效應晶體管及其制造方法
[8176-0060-0164] 半導體存儲器件
[8176-0183-0165] 電子控制裝置
[8176-0210-0166] 場效應晶體管及其控制方法和混頻器裝置
[8176-0015-0167] 熱油脂的引入和保留
[8176-0142-0168] 半導體器件及其制造方法
[8176-0216-0169] 在集成電路中形成接觸芯柱且同時平面化襯底表面的方法
[8176-0118-0170] 高-ε-介電層或鐵電層的制造方法
[8176-0010-0171] 以氮化鋁為絕緣埋層的絕緣體上的硅材料制備方法
[8176-0085-0172] 具有高耦合比的快閃存儲單元及其制造方法
[8176-0194-0173] 集成電路的制造方法
[8176-0087-0174] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0143-0175] 使用六甲基乙硅氮烷的液體源薄膜的形成
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[8176-0185-0177] 半導體晶片的制造方法、半導體芯片的制造方法及ic卡
[8176-0093-0178] 半導體器件及其制造方法
[8176-0208-0179] 基片處理裝置
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[8176-0184-0181] 半導體器件及其制造方法
[8176-0211-0182] 半導體器件中的電容器結構及其形成方法
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[8176-0034-0184] 半導體器件及其制造方法
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[8176-0193-0188] 在動態隨機存取存儲器中制作半導體存儲單元的方法
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