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[8110-0131-0001] 對包含第viii族金屬的表面采用氧化性氣體的平面化方法
[摘要] 一種平面化方法，其中包括提供包含第二和/或第三行viii族金屬的表面(優選包含鉑的表面)，在包括氧化性氣體的平面化組合物存在下，將其放到與拋光表面接觸的位置上。
[8110-0206-0002] 半導體集成電路器件的制造方法
[摘要] 以低成本有效地對包括半導體存儲器的半導體集成電路器件進行存儲器測試。在老化測試系統中，利用時間差依次處理24個測試板，且測試板被一個接一個地循環。在此情況下，利用單板處理的順序進行存儲器測試：從其中已插入半導體集成電路器件的測試板開始測試，并從已經歷測試的測試板為起點卸下半導體集成電路。
[8110-0096-0003] 評估半導體制程的方法
一種評估半導體制程的方法，先以包含一待評估半導體制程的制作方法制作一半導體結構，該制作方法包含形成一多晶硅層于一基材之上，其中該多晶硅層具有一摻雜濃度，再于該多晶硅層表面進行一洗凈制程，之后依序形成一隔離層以及一加強層于該隔離層之上，其中該加強層的形成溫度高于該隔離層的形成溫度。而后，觀察該多晶硅層與該隔離層間是否存在水痕缺陷，并計算水痕缺陷的數量，再根據該水痕缺陷的數量判斷該半導體制程的優劣程度。
[8110-0207-0004] 使用具有真空通道的機械開槽的存儲托盤的管芯級檢驗
[摘要] 一種使用具有真空通道的機械開槽的存儲托盤的檢驗管芯的方法。本方法包括在管芯上抽真空同時將管芯保持于存儲托盤中，使用自動觀察系統繪制在存儲托盤的儲槽中管芯的位置圖。利用該位置圖，相對檢驗探針移動存儲托盤，以便在離散管芯和檢驗探針之間進行接觸和檢驗。
[8110-0035-0005] 一種形成雙大馬士革結構中刻蝕阻擋層的方法
[摘要] 本發明屬集成電路制造工藝技術領域。為了能夠簡化工藝，并對材料的介電常數進行調節，提出兩種形成介質間抗刻蝕層的方法，分別針對有機和無機lowk材料。當使用無機lowk材料時，在cvd淀積的最后階段，加入一些其它氣體，通過反應，形成新的材料，如sion作為刻蝕阻擋層。而對于有機lowk材料而言，在旋涂結束后的烘焙過程中通入一些氣體進行表面處理，或者在有機lowk材料(沒有完全固化時)進行離子注入、等離子體處理，使用如含n基團，使表面發生變性，形成新的抗刻蝕層。
[8110-0010-0006] 半導體器件的制造裝置
[摘要] 提供一種半導體器件的制造方法和半導體器件的制造裝置。在半導體襯底主面上形成感光性膜把半導體襯底送到曝光裝置；給上述感光性膜選擇性曝光掩模上檢查標記，在該感光性膜上形成檢查標記的潛像；加熱至少檢查標記的潛像形成區的上述感光性膜，浮現第2檢查標記的潛像；測量浮現的檢查標記像；根據測量結果，變更選擇性曝光時上述曝光裝置的設定值，使其曝光條件為設計值；按照變更后的設定值，給上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件圖形，使該感光性膜形成器件圖形的潛像；加熱整個上述感光性膜；以及使上述感光性膜顯影。
[8110-0087-0007] 應用于微影制程的結構及半導體元件的制造方法
[摘要] 本發明是有關于一種應用于微影制程的結構及半導體元件的制造方法。該應用于微影制程的結構，是依序由配置在一基底上的至少一膜層、一光線阻隔層、一抗反射層以及一光阻層所組成。在微影制程中，光線阻隔層可用以阻擋光線穿透至底下的膜層。在本發明中，因為光阻層的底下是配置有光線阻隔層，所以曝光的光線就無法穿透光阻層底下的膜層再由基底表面反射出。換言之，光阻層底下的膜層厚度的變化將不會影響微影制程的關鍵尺寸，從而更加適于實用。
[8110-0061-0008] 一種化學-機械拋光漿料和方法
[摘要] 本發明提供一種在金屬鑲嵌結構的制作過程中移除阻擋層所用的化學-機械拋光漿料。本發明的漿料包括可抑制在下面的含硅電介質層移除速率的試劑。目前，在本發明的最優選實施例中，可抑制在下面的含硅電介質層移除速率的試劑是左旋賴氨酸和/或左旋精氨酸。本發明也提供一種在金屬鑲嵌結構的阻擋層的化學-機械拋光過程中可抑制下面的含硅電介質層的移除速率的方法。本發明的方法包括用包含有可抑制所述的在下面的含硅電介質層的移除速率的試劑的漿料拋光阻擋層。
[8110-0157-0009] 半導體器件的制造方法
[摘要] 本發明的一個目的是提供一種不損傷剝離層以進行不僅剝離具有小尺寸區域的剝離層而且剝離具有大尺寸區域的整個剝離層、具有較好的成品率的剝離方法。在本發明中，在粘貼固定基板后，通過劃線或在玻璃基板上進行其引起提供了觸發的激光照射來移除一部分玻璃基板。然后，通過從移除了的部分進行剝離，實現具有較好的成品率的剝離。另外，除了端子電極的連接部分(包括端子電極的外圍區域)之外，通過用樹脂覆蓋整個表面來防止破裂。
[8110-0089-0010] 一種避免漩渦效應缺陷的方法
[摘要] 一種避免漩渦效應缺陷(swirl defect)的方法，包括步驟：以物理氣相沉積法(pvd)形成銅種子層(seeding layer)于一底材之上；將形成的銅種子層儲存于pod之中以阻隔氧氣或其它有機氣體與銅反應；將該底材加載一旋轉裝置中于進行干旋轉(于空氣中旋轉)；以化學電鍍(electrical chemical plating)技術在該pvd種子層(seeding layer)上形成所要厚度的銅薄膜。
[8110-0134-0011] 具有過程控制組件的半導體晶片
[8110-0159-0012] 薄膜形成方法和裝置、有機電致發光裝置的制造方法
[8110-0142-0013] 有機半導體溶液
[8110-0190-0014] 制造半導體器件的方法
[8110-0043-0015] 集成電路芯片結構
[8110-0106-0016] 非揮發性內存元件的制造方法及金屬內連線制程
[8110-0138-0017] 功率半導體模塊
[8110-0145-0018] 半導體電路器件及其設計方法和半導體電路的設計方法
[8110-0184-0019] 具有獨立限位環和多區域壓力控制結構的氣動隔膜式拋光頭及其使用方法
[8110-0063-0020] ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及ⅲ族氮化物系化合物半導體元件
[8110-0041-0021] 散熱裝置及其制備方法
[8110-0167-0022] 激光照射方法以及晶質半導體膜的制作方法
[8110-0175-0023] 改善熱載子注入效應的方法
[8110-0091-0024] 晶圓快速冷卻退火的方法和裝置
[8110-0117-0025] 超導飽和鐵心故障限流器
[8110-0200-0026] 形成倒裝芯片的凸塊焊盤的方法及其結構
[8110-0015-0027] 一種可以減小柵特征尺寸的兩步削減刻蝕工藝
[8110-0189-0028] 半導體裝置的制造方法
[8110-0102-0029] 用于制造半導體晶片的半色調掩模的制造方法和結構
[8110-0080-0030] 發光二極管
[8110-0083-0031] 具有安全保護功能的密碼芯片的制備方法
[8110-0075-0032] 半導體器件及其制造方法
[8110-0100-0033] 集成電路布局數據的處理方法
[8110-0110-0034] 生產芯片級封裝用焊墊的方法與裝置
[8110-0137-0035] 形成極限尺寸的電連接裝置的方法及包含該裝置的器件
[8110-0169-0036] 半導體器件的制作方法
[8110-0018-0037] 晶圓噴洗裝置
[8110-0129-0038] 曝光裝置、基片處理系統和器件制造方法
[8110-0126-0039] 使用衰減相移反射掩膜在半導體晶片上形成圖案的方法
[8110-0197-0040] 微電子電路的平面型載體空腔氣密性封裝方法
[8110-0153-0041] 襯底處理器件及其清洗方法
[8110-0165-0042] 激光束圖案掩模及采用它的結晶方法
[8110-0125-0043] 傳送晶片的工具和外延生長臺
[8110-0016-0044] 一種新的超薄含氮柵介質制備方法
[8110-0139-0045] 由光敏和/或x-射線敏傳感器組成的傳感器設備
[8110-0047-0046] 大功率mos晶體管及其制造方法
[8110-0037-0047] 高精度模擬電路芯片制造方法
[8110-0185-0048] 半導體晶片的清洗方法
[8110-0132-0049] 半導體功率器件和形成方法
[8110-0003-0050] 用于高密度等離子體制程的注射裝置
[8110-0181-0051] 從半導體晶片上移除不必要物質的方法及使用其的裝置
[8110-0143-0052] 用于顯示裝置的密封結構
[8110-0203-0053] 半導體芯片及其制造方法、和半導體裝置
[8110-0024-0054] 一種減少通孔側壁上mocvd tin膜厚的等離子體處理工藝
[8110-0172-0055] 半導體器件中形成插孔接觸點的方法
[8110-0170-0056] 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶體管的方法
[8110-0111-0057] 直接連結式芯片封裝結構
[8110-0109-0058] 半導體元件的結構
[8110-0012-0059] 可保持圖形完整性良好的厚外延方法
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[8110-0095-0061] 晶片金屬互連線可靠性在線測試方法
[8110-0001-0062] 半導體發光器件及制造方法、集成半導體發光設備及制造方法、圖像顯示設備及制...
[8110-0077-0063] 2f2存儲器件的系統和方法
[8110-0216-0064] 用于低k介電材料的包括回蝕的鑲嵌互連結構
[8110-0092-0065] 一種制作具有延伸閘極晶體管的方法
[8110-0174-0066] 在半導體器件中形成柵極的方法
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[8110-0176-0068] 具有金屬柵電極和硅化物觸點的fet柵極結構
[8110-0161-0069] 用于制造半導體器件的方法
[8110-0133-0070] 在連續多步拋光處理中防止晶片損傷的方法
[8110-0215-0071] 半導體器件的制造方法
[8110-0073-0072] 決定集成電路esd/閂鎖強度之方法
[8110-0179-0073] 襯底表面清洗方法、薄膜制造方法、半導體裝置及其制法
[8110-0103-0074] 利用注入晶片的注入機的低能量劑量監測
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[8110-0182-0076] 氮化物系化合物半導體元件的制造方法
[8110-0158-0077] 半導體組件制造系統及其熱力補償次系統
[8110-0212-0078] 電子裝置的通用矩陣托盤
[8110-0057-0079] 用于智能結構的形狀記憶合金增強型壓電驅動器及制作工藝步驟
[8110-0060-0080] 有機發光二極管的制作方法
[8110-0154-0081] 清洗高介電常數材料沉積室的方法
[8110-0162-0082] 制造半導體器件中的電感的方法
[8110-0205-0083] 電子部件、電子部件制造方法及電子器械
[8110-0072-0084] 半導體輻射襯底及其生產方法和組件
[8110-0007-0085] 在具有圖形的絕緣硅基襯底上制作硅薄膜的方法
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[8110-0196-0087] 通過使用一個矩陣框架來制造一個半導體裝置的方法
[8110-0104-0088] 帶有氧化層隔離物的dram結構及其制造方法
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[8110-0004-0090] 控片回收再生方法以及其控片結構
[8110-0033-0091] 一種集成電路制造工藝技術中的淺溝隔離工藝
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[8110-0093-0094] 用于鈦硅化物制造工藝窗口的pmos的制作方法
[8110-0097-0095] 定位結構及其定位方法
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