半導體,半導體存儲,制造半導體器件,半導體裝置類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8109-0037-0001] 半導體器件及單元
[摘要] 一種單元(100)包括在半導體襯底上的三層布線層(柵電極層、源/漏電極層和端子層)，該半導體襯底含有其上形成晶體管。形成了用于連接一個單元到另一個ピ氖淙攵俗?151)和輸出端子(152)的布線層(端子層)之一包括電源線經過區(153)，可以設置電源線穿過該電源線經過區，以從外部電源向單元內的晶體管施加電源電壓和地電壓的。<
[8109-0034-0002] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在同一襯底上邊形成了cmos器件等和存儲器等的情況下，提高cmos器件的載流子遷移率，而且防止存儲器的可靠性因漏電流而降低。本發明的半導體器件包括：具有第1區域和與上述第1區域相鄰的第2區域、且在表面上具有第1硅層的襯底；設置在上述第1區域的上述第1硅層的上邊的第2硅層；具有比上述第2硅層大的晶格常數，設置在上述第2區域的上述第1硅層的上邊的緩和層；以及具有與上述緩和層大致相同的晶格常數、設置在上述緩和層的上邊的應變硅層。
[8109-0102-0003] 半導體裝置的制造方法
本發明提供一種半導體裝置的制造方法。在雙鑲嵌式方法中，防止彎曲和蝕槽的產生。對于如圖2(a)所示的那樣具有斷面構造的制造過程的半導體裝置，進行如圖2(b)所示的氮化硅蝕刻。其結果是銅膜(26)的一部分被氧化而變成氧化物(43)，另外，cfx沉積物(44)在其上堆積。但是，在圖2(c)中，可以通過使用氫等離子體進行有機絕緣膜的蝕刻，使氧化物(43)還原為銅，另外，可以通過將cfx沉積物轉換為揮發性的化合物而除去。
[8109-0105-0004] 半導體器件
[摘要] 本發明涉及半導體器件，特別是具有接地端、以及配置在其周邊的多個信號端的半導體器件，其目的在于提供提高其性能的技術。為了達到上述目的，使得與功能塊(11)連接的接地端(5、35)和與功能塊(12)連接的接地端(6、36)分離。因此，對某一功能塊通過接地端供給的接地電位不隨流過另一功能塊的電流大小而變化。其結果，各功能塊的性能提高，半導體器件的性能提高。
[8109-0117-0005] 半導體存儲器件
[摘要] 本發明的課題在于：提供能夠用一個晶體管實現2位的存儲保持，并能實現微細化的半導體存儲器件。在柵電極13的側壁的兩側形成與柵絕緣膜12獨立的2個電荷保持部61、62。據此，使電荷保持部61、62擔當的存儲器功能和柵絕緣膜12擔當的晶體管工作功能分離。由于在柵電極13的兩側形成的2個電荷保持部61、62通過柵電極13分離，能有效地抑制改寫時的干擾。因此，能夠提供用一個晶體管實現2位的存儲保持，并能實現微細化的半導體存儲器件。
[8109-0080-0006] 借助于通孔的光學芯片封裝
[摘要] 一種光學芯片(32)或光學芯片(32)與電子芯片(38)的封裝方法，其可用于兩個芯片之間的緊密接合。該方法減小了寄生電容和電感，同時，當把一個冷卻用的散熱片連接到電子芯片上時，仍能提供暢通無阻的光學通路。
[8109-0186-0007] 鐵電體膜、鐵電存儲器、以及壓電元件
[摘要] 本發明提供一種可以得到可靠性高的鐵電裝置的鐵電體膜，其由用abo3表示的鈣鈦礦結構鐵電體構成，在a位上包括作為a位補償離子的si2+、ge2+、以及sn2+中的至少一種，在b位上包括作為b位補償離子的nb5+。
[8109-0088-0008] 照明方法和曝光方法及其裝置
[摘要] 一種曝光裝置，特征在于包括照明光學系統和投影光學系統，該明光學系統具有：把分開的多個光源以一維或二維排列的光源陣列；使從該光源陣列的各光源射出的光聚光的聚光光學系統；在空間上分解由該聚光光學系統聚光的光來生成多個疑似二次光源的、由棒狀透鏡的排列構成且各棒狀透鏡的垂直于光軸的剖面形狀的縱橫比r1與上述被照明區域的縱橫比r0之比r1/r0為大于或等于0.8且小于或等于1.2的光學積分器；以及使來自利用該光學積分器生成的多個疑似二次光源的光疊加在一起來照明具有應該曝光的圖形的被照明區域的聚光透鏡；該投影光學系統把透射或反射了由該照明光學系統照明的應該曝光的圖形的光投影、曝光到被曝光物上的被曝光區上。
[8109-0217-0009] 避免asic/soc制造中原型保持的制造方法和設備
[摘要] 一種用于lsi的制造過程采用事件測試器以避免原型保持。該lsi制造方法包括如下步驟：在eda(電子設計自動化)環境下設計lsi，以便產生被設計lsi的設計數據；利用測試臺在eda環境下在lsi設計的器件模型上進行邏輯仿真，并作為邏輯仿真的結果產生事件基測試矢量的測試矢量文件；通過操作事件測試仿真器利用設計數據和測試臺檢驗仿真數據文件；利用設計數據通過制造供應者產生原型lsi；和使用測試矢量文件和仿真數據文件事件測試器測試原型lsi，并將測試結果反饋給eda環境或制造供應者。
[8109-0208-0010] 具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
[摘要] 發光二極管芯片(1)，具有基于gan的進行輻射的外延層序列，該外延層序列具有一個有源區、一個n摻雜層和一個p摻雜層。所述p摻雜層在其背向有源區的主面上設有進行反射的接觸金屬敷層(6)，該接觸金屬敷層具有一個能穿透輻射的接觸層(15)和一個進行反射的層。另外還給出了一種用薄膜技術制造這種發光二極管芯片的方法以及一種具有這種發光二極管芯片的發光二極管器件。穿透輻射的接觸層被布置在所述p摻雜層和所述反射層之間，而且所述的n摻雜層在其背向所述p摻雜層的主面上設有一個n接觸層。
[8109-0133-0011] 剝離裝置和剝離方法
[8109-0083-0012] 無電淀積設備和方法
[8109-0170-0013] 百葉窗鰭片結構電子芯片散熱器
[8109-0201-0014] 一種固態染料敏化納米晶太陽能電池及其制備方法
[8109-0162-0015] 柵極氧化物的選擇性滲氮
[8109-0003-0016] 半導體集成電路器件的制造方法
[8109-0046-0017] 馬賽克式彩色濾光的光子感應器陣列
[8109-0191-0018] 電介質分離型半導體裝置及其制造方法
[8109-0189-0019] 半導體裝置及其制造方法
[8109-0136-0020] 制備gan晶體襯底的方法
[8109-0137-0021] 用于提供具有活性摻雜劑層結構的半導體襯底的方法
[8109-0032-0022] 射頻半導體器件及其制造方法
[8109-0068-0023] 發光元件用封裝件及其制造方法
[8109-0122-0024] 光伏打電池及其制作方法
[8109-0021-0025] 半導體集成電路器件
[8109-0104-0026] 用于制作mim電容器的方法
[8109-0017-0027] 半導體器件
[8109-0119-0028] 肖特基二極管
[8109-0194-0029] 半導體裝置及其形成方法
[8109-0026-0030] 半導體裝置
[8109-0195-0031] 隨機數生成元件
[8109-0181-0032] 具復合多晶硅層的半導體結構及其應用的顯示面板
[8109-0156-0033] 防止芯片破裂的控制裝置與方法
[8109-0016-0034] 一種制造半導體器件的方法
[8109-0005-0035] 制造半導體器件的方法
[8109-0098-0036] 半導體處理系統中的基板支持機構
[8109-0035-0037] 半導體集成電路器件
[8109-0076-0038] 一種四氯苯醌/三苯基磷可控摻雜四取代酞菁銅薄膜及其制備方法
[8109-0101-0039] 真空中的襯底保持方法和裝置、液晶顯示裝置制造方法
[8109-0085-0040] 盤狀物體的濕處理方法
[8109-0138-0041] 使用具有si-si鍵的含有機si化合物形成含si薄膜的方法
[8109-0206-0042] 發光二極管管芯及其制造方法
[8109-0210-0043] 光電元件
[8109-0079-0044] 具角度的旋轉、清洗、及干燥模組與其制造及實施方法
[8109-0087-0045] 曝光裝置和曝光方法
[8109-0128-0046] 合成硒化鎘和硒化鎘硫化鎘核殼結構量子點的方法
[8109-0009-0047] 包含電感元件的電路板和功率放大模塊
[8109-0148-0048] 混合集成電路裝置的制造方法
[8109-0053-0049] 具有高介電常數柵極介電層的半導體組件及其制造方法
[8109-0118-0050] 功率半導體器件
[8109-0039-0051] 具有階梯狀柱形結構的電容器的半導體器件及其制造方法
[8109-0169-0052] 混合集成電路裝置及其制造方法
[8109-0031-0053] 半導體裝置及其制造方法
[8109-0065-0054] 光源裝置及投影機
[8109-0022-0055] 改善熱管理的功率轉換器封裝
[8109-0157-0056] 監控ic加工的方法與系統
[8109-0139-0057] 移除晶片上顆粒與金屬顆粒的方法
[8109-0141-0058] 一種臺面整流器件的玻璃鈍化形成工藝
[8109-0130-0059] 用于接合工具定位的裝置和方法
[8109-0153-0060] 雙電熱絲熔切法錫球制備機
[8109-0089-0061] 半導體器件用基板的清洗液及清洗方法
[8109-0058-0062] 半導體裝置及其制造方法
[8109-0091-0063] 研磨墊、平臺孔蓋及研磨裝置和研磨方法及半導體器件的制造方法
[8109-0216-0064] 在離散片上沉積多層涂層的裝置
[8109-0111-0065] 非易失性存儲器及其制造方法
[8109-0050-0066] 半導體器件
[8109-0116-0067] 沙漏隨機訪問存儲器
[8109-0135-0068] 制備電容器裝置中的硬質掩模的方法及用于電容器裝置中的硬質掩模
[8109-0149-0069] 半導體裝置的制造方法及使用于其中的耐熱性粘合帶
[8109-0108-0070] 具有引線接合焊盤的半導體器件及其方法
[8109-0213-0071] 氣體驅動的行星旋轉設備及用于形成碳化硅層的方法
[8109-0115-0072] 利用多晶硅的薄膜晶體管制造方法
[8109-0027-0073] 電力半導體裝置
[8109-0179-0074] 層疊型半導體存儲裝置
[8109-0165-0075] 非易失半導體存儲器件的制造方法
[8109-0110-0076] 非易失性存儲器及其制造方法
[8109-0199-0077] 薄膜晶體管及其制造方法
[8109-0161-0078] 半導體裝置及內聯機結構的形成方法及銅制程整合方法
[8109-0120-0079] 具有電容器的單片集成soi電路
[8109-0178-0080] 半導體器件的測試圖案及利用其的測試方法
[8109-0004-0081] 半導體集成電路的自動布局方法
[8109-0151-0082] 形成半導體封裝以及在其上形成引線框的方法
[8109-0150-0083] 提高環氧粉末包封的電子元器件擊穿電壓的設計方法
[8109-0086-0084] 熱處理裝置及熱處理方法
[8109-0038-0085] 半導體存儲器及其制造方法
[8109-0155-0086] 內連接線最低阻擋層厚度的預測方法
[8109-0025-0087] 高頻模塊
[8109-0072-0088] 光半導體裝置
[8109-0143-0089] 蝕刻液回收系統與方法
[8109-0059-0090] 半導體裝置
[8109-0183-0091] 半導體裝置
[8109-0114-0092] 高頻半導體器件及制造方法
[8109-0140-0093] 半導體元件清洗用組合物
[8109-0024-0094] 半導體功率模塊
[8109-0198-0095] 至少五側面溝道型鰭式場效應晶體管及其制造方法
[8109-0187-0096] 半導體存儲器件及其制造方法
[8109-0164-0097] 半導體器件的制造方法
[8109-0015-0098] 半導體芯片和半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
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[8109-0095-0100] b-階底填密封劑及其應用方法
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[8109-0096-0103] 電子電路設備和其生產方法
[8109-0077-0104] 柔性金屬箔/聚酰亞胺層壓制品的制備
[8109-0132-0105] 半導體晶圓加工方法
[8109-0154-0106] 雙電熱絲熔切直接釬料凸點制作方法
[8109-0212-0107] 一種在有機半導體器件的有機層中阻擋空穴的方法
[8109-0073-0108] 氮化物發光裝置及其制備方法
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[8109-0126-0110] 電子顯示裝置
[8109-0174-0111] 具有晶片中的雙金屬鑲嵌結構的半導體器件及其制造方法
[8109-0147-0112] 半導體器件及其制造方法
[8109-0048-0113] 用于制造固態成像裝置的方法
[8109-0112-0114] 粘合基片及其制造方法、以及其中使用的晶片外周加壓用夾具類
[8109-0202-0115] 氮化物發光器件及其制造方法
[8109-0056-0116] 半導體器件及其制造方法
[8109-0145-0117] 在finfet中形成翅片的后退法
[8109-0109-0118] 包括有損耗的介質的電磁干擾屏蔽件
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[8109-0211-0120] 有機發光二極管及包含該有機發光二極管的顯示器
[8109-0028-0121] 半導體組裝體及其制造方法
[8109-0029-0122] 半導體集成電路裝置
[8109-0019-0123] 半導體元件的制造方法
[8109-0044-0124] 光電探測器
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[8109-0012-0151] 混合集成電路裝置及其制造方法
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