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[8176-0091-0001] 圓柱形疊式電極的制造方法
[摘要] 一種制造圓柱形疊式電極的方法，在半導體基片上形成硅膜，在硅膜上面形成絕緣膜，刻蝕所述絕緣膜，開一達到硅膜下面的半導體基片的第一孔，以比第一孔寬的直徑貫穿所述絕緣膜形成第二孔，以硅膜作為掩膜開一接觸孔，填蓋接觸孔，形成形狀如圓柱形疊式電極的非晶硅膜，在非晶硅膜上形成第二絕緣膜以填蓋第二孔，刻蝕第二絕緣膜直至非晶硅表面，刻蝕非晶硅膜直至第一絕緣膜表面，清除所述絕緣膜和形成在半導體基片上的一部分硅膜。
[8176-0089-0002] 半導體裝置和半導體裝置用的引線框
[摘要] 一種半導體裝置，由引線框、半導體芯片和金線構成，其中該引線框包括模片底座、多條內引線、外引線、懸吊引線增強部件、第一懸吊引線以及第二懸吊引線。上述半導體芯片的一邊的長度比模塑體外徑的一邊尺寸小２．５mm，懸吊引線增強部件的最外周的一邊的長度不大于半導體芯片的一邊的長度，在與懸吊引線增強部件連接的附近進行模片底座的下沉，在該第二懸吊引線中設置了臺階差。可降低半導體裝置外形的翹曲，可得到高質量和高可靠性的半導體裝置。
[8176-0035-0003] 具有多層布線的半導體器件的制造方法
一種具有多層布線（6、11、14）的半導體器件的制造方法，鋁導電條（7、12、15）由絕緣層（9、13）相互絕緣。根據本方法，提供在半導體本體（2）表面（1）上的鋁導電條（20）由絕緣材料（21）覆蓋，于是具有向下到達導電條的側壁的接觸窗口（22）形成所述絕緣層內。導電中間層（24、28）和鋁層（25、29）提供在該壁上，進行熱處理使鋁（26）由導電條生長到接觸窗口內。鈦的導電中間層提供在接觸窗口的壁上。在熱處理期間同樣保持封閉的很薄的封閉鋁層可以形成在所述鈦上，提供在具有小厚度的壁上。因此該方法適合于制造接觸窗口為0．5μm以下和高寬比大于1的具有多層布線的半導體器件。
[8176-0197-0004] 半導體器件其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，其中，在形成在襯底上的層間絕緣膜中形成開孔，在開孔內形成有互連部分，其一端和所述襯底接觸，還形成有金屬層構成的通孔部分，位于所述的互連部分的另一端，在所述開孔中的所述通孔部分對面的內壁表面部分上形成有保護膜。
[8176-0191-0005] 一種半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明公開一種半球形顆粒狀（ｈｓｇ）下電極及其制備方法，提供一種電容器，其中包括：多晶硅下電極、介電膜、上電極，制備該電容器至少包括以下步驟：在下電極上形成一層半球形顆粒（ｈｓｇ）硅，其中每個ｈｓｇｓ在與下電極相接觸的一面都具有一個直徑較小的頸部；沉積一層硅膜，通過充填上述硅層的頸部外圍與ｈｓｇｓ之間的間隙來覆蓋住上述ｈｓｇｓ，同時保留所形成的ｈｓｇｓ的不平整形狀；形成介電膜；形成上電極。
[8176-0066-0006] 存儲單元陣列的制造方法
[摘要] 一種存儲單元陣列的制造方法，其步驟包括在半導體基底上形成多個渠溝與一晶體管；沉積第一絕緣層，以填滿渠溝，形成多個絕緣塞；沉積第二絕緣層，在其上形成一開口，露出半導體基底，以及露出絕緣塞之一的角落；蝕刻該角落，形成一凹槽，在凹槽中沉積一摻雜的多晶硅層；沉積導電層，以填滿凹槽，再進行蝕刻凹陷步驟，形成導電塞；在導電塞上及周緣形成第三絕緣層，以形成埋藏的位線；和進行回火，使得源極／漏極區和摻雜的多晶硅層中的雜質擴散而相接觸。
[8176-0120-0007] 半導體元件及其制造方法
[摘要] 在包含微晶態半導體的半導體元件中，在微晶態晶粒內提供半導體結。而且在包含微晶態半導體的半導體元件中，提供不同直徑的微晶態晶粒作為混合物，以便形成半導體層。因此，半導體結的不連續性得以改善，從而改善半導體元件的特性，耐用性，耐熱性。半導體層中的變形也降低。
[8176-0179-0008] 圖形曝光裝置用的試樣臺
[摘要] 一種曝光裝置用的試樣臺將在掩模上形成的電路圖形復制在試樣上，沒有放大倍數偏差、檢測部件和位置偏移計量部件而引起的精度降低，另外，也不會使掩模本身或掩模支持的基片受到損傷。即使在掩模圖形小的情況下，也可以在短時間內，將試樣硅基片伸長或縮短。圖形曝光裝置用的試樣臺，被分為中央部和周圍部，分別設有吸附試樣硅基片２１的吸盤機構，周圍的一部分或全部可以從試樣臺的中心沿半徑方向移動。
[8176-0102-0009] 半導體晶片退火用的燈管退火爐及方法
[摘要] 一種用燈管裝置加熱和退火放入腔室內的產品晶片的燈管退火爐。這種退火爐包括裝載產品晶片的第一腔室，僅僅裝載樣本晶片與第一腔室鄰近的第二腔室，測量第一腔室和第二腔室內的溫度的高溫計，和加熱第一腔室和第二腔室內的晶片的燈管。樣本晶片被周期性地放入第一和第二腔室，用高溫計測量同時被燈管加熱的第一腔室和第二腔室內的樣本晶片的溫度，并且當對產品晶片進行退火處理時，根據溫度差補償燈管的光強。
[8176-0174-0010] 超薄單相金屬導體擴散阻擋層
[摘要] 本發明旨在提供α－ｗ層，用于如溝槽電容器或鑲嵌布線級等互連結構中作為擴散阻擋層。該α－ｗ層是單相材料，是利以用六羰基鎢ｗ（ｃｏ）6作源材料的低溫／低壓化學汽相淀積形成的。
[8176-0115-0011] 半導體只讀存儲器及其制造方法
[8176-0133-0012] 半導體裝置的制造方法以及制造裝置
[8176-0022-0013] 半導體器件制造方法
[8176-0192-0014] 具有饋孔連接的多個器件集成電路塊
[8176-0180-0015] 半導體元件避免鎢插塞損失阻擋層的制造方法
[8176-0154-0016] 銅互連結構及其制作方法
[8176-0013-0017] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0087-0018] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0185-0019] 半導體晶片的制造方法、半導體芯片的制造方法及ic卡
[8176-0057-0020] 絕緣柵型半導體器件及其制造方法
[8176-0161-0021] 制造分析儀的方法
[8176-0187-0022] 光學組件
[8176-0168-0023] 檢測未完全腐蝕的通孔的方法
[8176-0002-0024] 在集成電路中形成溝槽式電容器的改進技術
[8176-0016-0025] 全彩色有機發光二極管及其制造方法
[8176-0075-0026] 產生直接繪圖數據的方法以及直接繪圖的方法和裝置
[8176-0164-0027] 集成電路器件中的互連
[8176-0171-0028] 紅外探測器
[8176-0213-0029] 金－合金細導線及其制造方法和應用
[8176-0036-0030] 平版印刷用清潔劑
[8176-0014-0031] 具有發光變換元件的發光半導體器件
[8176-0135-0032] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0205-0033] 電子元件裝置
[8176-0062-0034] 動態隨機存取存儲器單元及其形成方法
[8176-0144-0035] 制造無勢壘半導體存儲器裝置的方法
[8176-0010-0036] 以氮化鋁為絕緣埋層的絕緣體上的硅材料制備方法
[8176-0206-0037] 氧化鈰研磨劑以及基板的研磨方法
[8176-0156-0038] 最小接觸的晶片載架
[8176-0074-0039] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0110-0040] 用于制作沒有阻擋層的半導體存儲器裝置的方法
[8176-0113-0041] 特別用于置入芯片卡體的芯片模塊
[8176-0105-0042] 分立基板的制造方法
[8176-0127-0043] 雙冠狀電容器的制造方法
[8176-0064-0044] 帶有保護電路的半導體器件
[8176-0038-0045] 半導體裝置及其制造方法
[8176-0067-0046] 淺溝槽隔離方法
[8176-0196-0047] 用于制造beol布線的小接觸通孔的高生產率al-cu薄膜濺射工藝
[8176-0031-0048] 等離子體腐蝕反應器和方法
[8176-0028-0049] 由摻雜的玻璃形成源/漏
[8176-0095-0050] 集成電路及其制造方法
[8176-0111-0051] 具有“埋置的極板式電極”的集成半導體存儲器裝置
[8176-0123-0052] 高電阻負載靜態型ram及其制造方法
[8176-0085-0053] 具有高耦合比的快閃存儲單元及其制造方法
[8176-0194-0054] 集成電路的制造方法
[8176-0040-0055] 半導體器件及其制作方法
[8176-0092-0056] 改進的多晶硅－硅化物
[8176-0025-0057] 平面化腐蝕半導體器件的方法
[8176-0166-0058] 對氫暴露具有低敏感度的鐵電集成電路及其制造方法
[8176-0176-0059] 半導體器件的測試及半導體器件制造方法
[8176-0047-0060] 介層窗的制造方法
[8176-0162-0061] 熱電偶檢測器及其制造方法
[8176-0184-0062] 半導體器件及其制造方法
[8176-0024-0063] 自校準內埋板
[8176-0069-0064] 用易處理的硬掩模制作溝槽式電容器
[8176-0151-0065] 具有改進的鐵電電容特性的鐵電存儲器件
[8176-0214-0066] 半導體芯片的安裝結構體、液晶裝置和電子裝置
[8176-0153-0067] 半導體基片中的小型接頭及其制作方法
[8176-0100-0068] 管芯接合裝置
[8176-0217-0069] 形成金屬互連的方法
[8176-0088-0070] 具有高介電常數介質層的半導體器件電容器的制造方法
[8176-0082-0071] 具有導線插頭的半導體器件及其生產方法
[8176-0204-0072] 半導體封裝用芯片支持基片、半導體裝置及其制造方法
[8176-0125-0073] 半導體器件和設計方法及該方法的記錄介質和支持系統
[8176-0200-0074] 制造半導體器件的方法
[8176-0137-0075] 半導體器件及其制造方法
[8176-0149-0076] 靜態半導體存儲器
[8176-0045-0077] 制造半導體器件的方法
[8176-0152-0078] 安裝電子部件的結構和方法
[8176-0207-0079] 處理裝置、處理方法及機械手裝置
[8176-0175-0080] 溝槽隔離的形成方法
[8176-0037-0081] 透光窗戶層發光二極管
[8176-0023-0082] 三重阱結構的半導體集成電路的制造方法
[8176-0117-0083] 具有自對準的非集成電容器排布的存儲器裝置
[8176-0212-0084] 半導體存儲器件及其制造方法
[8176-0094-0085] 制造動態隨機存取存儲器單元電容器的方法
[8176-0059-0086] 采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
[8176-0048-0087] 半導體裝置及其制造方法
[8176-0096-0088] 半導體元件及其制造方法
[8176-0163-0089] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0009-0090] 單片線性光耦合器及其制造方法
[8176-0101-0091] 能夠抑制晶體管特性退化的制造雙極晶體管的方法
[8176-0050-0092] 金屬層間介電層及其制造方法
[8176-0084-0093] 用于絕緣體上硅集成電路的掩埋圖形的導體層
[8176-0188-0094] 一種提高熱釋電紅外探測器響應的方法
[8176-0046-0095] 動態隨機存取存儲器及金屬連線的制造方法
[8176-0167-0096] 半導體器件及其制造方法
[8176-0177-0097] 防止倒裝片鍵合區起伏的圖案
[8176-0097-0098] 半導體集成電路裝置的制造方法
[8176-0181-0099] 控制容性執行機構的方法和裝置
[8176-0208-0100] 基片處理裝置
[8176-0018-0101] 具有金屬硅化物薄膜的半導體器件及制造方法
[8176-0193-0102] 在動態隨機存取存儲器中制作半導體存儲單元的方法
[8176-0107-0103] 具有供疊層件使用備有被保護阻擋層的半導體構件
[8176-0139-0104] 減少半導體制造中的黑硅
[8176-0141-0105] 薄膜器件的轉移方法、薄膜器件、薄膜集成電路裝置、有源矩陣襯底、液晶顯示裝...
[8176-0134-0106] 半導體器件及其制造方法
[8176-0155-0107] 避免碟形凹陷的淺溝槽隔離方法
[8176-0041-0108] 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8176-0065-0109] 半導體器件及其制造方法
[8176-0093-0110] 半導體器件及其制造方法
[8176-0007-0111] 半導體器件的制造方法
[8176-0060-0112] 半導體存儲器件
[8176-0056-0113] 半導體薄膜及其制造方法以及使用該薄膜的太陽能電池
[8176-0126-0114] 金屬氧化物半導體晶體管對裝置
[8176-0140-0115] 具有線性電流電壓特性的半導體元件
[8176-0148-0116] 光半導體裝置及其裝配的光半導體模塊
[8176-0118-0117] 高-ε-介電層或鐵電層的制造方法
[8176-0006-0118] 半導體裝置的制造方法
[8176-0070-0119] 利用多晶硅半球的晶粒回蝕刻來形成電容器的方法
[8176-0034-0120] 半導體器件及其制造方法
[8176-0195-0121] 形成溝槽隔離結構的方法
[8176-0112-0122] 帶多層電容器的半導體存儲器裝置
[8176-0122-0123] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[8176-0215-0124] 半導體器件的制造方法
[8176-0108-0125] 高壓半導體元件
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[8176-0189-0127] p溝道槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管結構
[8176-0172-0128] 形成配線結構的方法
[8176-0090-0129] 耐熱性優異的固態傳感器件及其制造方法
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[8176-0043-0131] 動態隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
[8176-0044-0132] 制造半導體器件的方法
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[8176-0058-0135] 垂直型金屬絕緣體半導體場效應晶體管及其制造方法
[8176-0182-0136] 球狀半導體器件及其制造方法和球狀半導體器件材料
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[8176-0170-0138] 引入了金屬籽晶層的銅互連結構
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[8176-0033-0147] 半導體封裝及其制造方法
[8176-0198-0148] 焊料球載帶及其制造方法
[8176-0017-0149] 光電導薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
[8176-0049-0150] 基板的操作方法與裝置及其所使用的吸附檢查方法與裝置
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[8176-0076-0152] 壓電變壓器裝置
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[8176-0160-0158] 熱電半導體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
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[8176-0124-0188] 半導體存儲器件
[8176-0103-0189] 半導體器件制造方法
[8176-0063-0190] 半導體器件
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[8176-0147-0192] 圖象傳感器
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