柵極,分離柵極,半導體,制造半導體器件類技術資料(168元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F320310
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[8120-0059-0001] 具有二極管存儲胞光罩式只讀存儲器的制作方法
[摘要] 一種具有二極管存儲胞光罩式只讀存儲器的制作方法。一具有第一導電性的摻雜導電層是形成于位元線上。一具有光罩式只讀存儲器編碼圖案的光阻層形成于摻雜導電層上方的一介電層上，以供作一蝕刻罩幕，藉以形成多個開口于此介電層中摻雜導電層曝露的部分區域上方。執行一離子植入步驟，以形成具有電性與第一導電性相反的第二導電性的一擴散區于摻雜導電層的每一曝露的部分區域中。藉此，曝露的部分摻雜導電層與形成于其中的擴散層構成一二極管單元(diodecell)，以供做一存儲胞。一接觸插塞形成于每一開口中，并抵靠一二極管單元。一導電層形成于接觸插塞上方，以供形成字元線。
[8120-0122-0002] 具有微米級熱電臂的微型熱電元件的微加工方法
[摘要] 本發明公開了一種具有微米級熱電臂的微型熱電元件的微加工方法。具有微米級熱電臂的微型熱電元件的微加工方法是結合硅晶片的深度離子反應刻蝕技術、微型模具粉末填充技術以及氣壓熔融微型壓鑄技術在同一片硅片上一次性制備出p-型和n-型材料交錯排列的熱電臂陣列結構，并配置上下基板，利用半導體的干法氣體腐蝕技術去掉硅膜后，組裝成熱電元件。排列密度可達10000對p-n結/cm2。本發明的技術適合于制備基于熱電效應的微型溫差電電池和溫差制冷器件。
[8120-0211-0003] 掩埋布線的形成方法及半導體器件
本發明公開了一種掩埋布線的形成方法及半導體器件，提供一種抑制發生布線不良、能夠形成可靠性高的銅布線的掩埋布線的形成方法以及利用該形成方法而制造的半導體器件。在形成了溝槽的絕緣膜(10)上依次淀積氮化鉭膜(11)、銅膜(12)，再利用對銅的研磨速率遠遠大于對氮化鉭的研磨速率且含有足夠的銅保護膜形成劑的漿液進行第一化學機械研磨。于是，溝槽內的銅膜的上面位置便與氮化鉭膜的上面位置一樣高。接著，再在對銅的研磨速率大于或等于對氮化鉭的研磨速率的條件下進行第二化學機械研磨而形成銅布線(13)。通過根據銅膜的上面位置適當地改變第二化學機械研磨的條件，第二化學機械研磨后的銅膜的上面位置便與絕緣膜的上面位置一樣高或者比它低，從而能減少布線不良的產生。
[8120-0217-0004] 半導體集成電路裝置操作分析方法和系統及最優設計方法
[摘要] 本發明包括：基于電路信息通過計算電源端的一個半導體集成電路的每個實例的電壓波形并且分析每個實例的電壓波形，從而形成電壓波形信息的步驟，通過抽象電壓波形信息來形成電壓抽象信息的步驟，以及基于電壓抽象信息來計算實例的一個延遲值的步驟。
[8120-0038-0005] 等離子體蝕刻方法和等離子體處理裝置
[摘要] 本發明在兩頻率疊加施加方式中實現匹配電路的小型化及低造價。在該等離子體蝕刻裝置中，上部電極(18)通過腔室(10)連接到接地電位(接地)，第一高頻電源(40)(例如13.56mhz)及第二高頻電源(42)(例如3.2mhz)分別通過第一和第二匹配器(36、38)電連接到下部電極(16)。低頻率一側的第二匹配器(38)由在最終輸出部分具有線圈(62)的t型電路來構成，并可以兼用作用于遮斷來自該線圈(62)上的第一高頻電源(40)的高頻(13.56mhz)的高頻截止濾波器。
[8120-0080-0006] 半導體元件
[摘要] 本發明的半導體元件包含一具有一阱區的襯底、一設置在該阱區中的漏極擴散區與源極擴散區、一設置在該阱區表面的柵絕緣層、一設置在該柵絕緣層上的柵極、一設置在該阱區中的襯底接觸擴散區以及絕緣槽。該襯底接觸擴散區的導電型態與該阱區的導電型態相反。本發明的半導體元件可視為是由一金屬氧化物半導體晶體管、一結二極管及一電氣連接該金屬氧化物半導體晶體管及結二極管的電阻構成。結二極管可視為由該襯底接觸擴散區與該阱區構成，而該電阻則是該阱區的本征電阻。
[8120-0058-0007] 降低集成電路制程的對準準確度要求的方法
[摘要] 本發明是關于一種降低集成電路制程的對準準確度要求的方法。該方法是在基底上形成一層罩幕層，并將該罩幕層形成數個第一開口，接著，再在第一開口中填入一緩沖層。其后，在基底上形成一光阻層，再將光阻層圖案化，以形成一個與該些第一開口之一對應并且裸露出部分緩沖層的第二開口。其后，以等向性蝕刻法將第二開口所裸露的緩沖層去除，并使得與第二開口對應的第一開口的側壁裸露出來。之后，去除光阻層，使嵌有緩沖層且具有開口圖案的罩幕層裸露出來，以作為后續制程的硬罩幕。本發明可以降低集成電路制程的對準準確度要求，從而可以大幅增加制程的裕度，從而更加適于實用。
[8120-0181-0008] 低泄漏異質結垂直晶體管及其高性能器件
[摘要] 本發明描述了場效應晶體管的垂直溝道的結構及形成方法，場效應晶體管以及cmos電路，在垂直單晶半導體結構的側壁上組合了漏、主體和源區域，其中在晶體管源和主體之間形成異質結，其中源區域和溝道獨立地相對于主體區域晶格應變，并且其中漏區域含有放置摻雜劑(例如b和p)擴散進主體的摻碳區域。本發明減小了短溝效應問題，例如：漏所引入的勢壘降低以及通過異質結從源到漏區域的泄漏電流，同時通過選擇半導體材料，獨立地允許了溝道區域中的晶格應變，以提高遷移率。通過源和主體區域之間的異質結克服了柵長小于100nm的縮放問題。
[8120-0074-0009] 具有控制電路的esd保護電路
[摘要] 一種esd保護電路，具備作為與半導體集成電路連接的外部連接端的第1焊盤、作為與上述半導體集成電路連接的外部連接端的第2焊盤、連接諫鮮齙?焊盤與第2焊盤之間的鉗位電路。進一步，將上述鉗位電路控制為處于導通狀態或者處于非導通狀態的控制電路。
[8120-0152-0010] 薄膜涂布單元和薄膜涂布方法
[摘要] 薄膜涂布單元和薄膜涂布方法，為了通過控制施加在基質表面上的涂布溶液的干燥狀態而在基質表面上形成均勻的絕緣膜。解決問題的方式：薄膜涂布單元有：基質保持器，用于水平保持基質；涂布溶液排出噴嘴；以及防干燥板，該防干燥板對著基質表面。當基質保持器相對于涂布溶液排出噴嘴沿從晶片前端向后端的方向進行相對運動時，涂布溶液施加在晶片表面上。這時，防干燥板布置在在離基質表面最大2mm的高度處，以便在晶片表面和防干燥板之間形成較濃的溶劑氣體。因此，將防止在晶片表面上的涂布溶液干燥，并在晶片表面上形成均勻厚度的涂布膜。
[8120-0018-0011] 蝕刻中止層的重作方法
[8120-0100-0012] 半導體裝置
[8120-0076-0013] 半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[8120-0030-0014] 光掩膜、制造圖形的方法以及制造半導體器件的方法
[8120-0164-0015] 半導體裝置的制造方法
[8120-0201-0016] 襯底定位的方法和裝置
[8120-0203-0017] 半導體器件及其制造方法和半導體器件制造工藝評價方法
[8120-0195-0018] 半導體組件測試方法及測試半導體組件之系統
[8120-0218-0019] 制造半導體元件的方法
[8120-0153-0020] 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關器件
[8120-0124-0021] 有源矩陣襯底的制造方法及使用所述襯底的圖象顯示設備
[8120-0154-0022] 形成絕緣體上硅鍺襯底材料的方法、襯底材料及異質結構
[8120-0064-0023] 一種集成電路用熱管散熱器及其制造方法
[8120-0117-0024] 發光二極管燈
[8120-0114-0025] 一種發光芯片及發光二極管
[8120-0182-0026] 電鍍電極的制作方法
[8120-0197-0027] 不合格檢測方法和不合格檢測裝置
[8120-0209-0028] 銅金屬鑲嵌工藝及其結構
[8120-0172-0029] 半導體制造裝置
[8120-0060-0030] 具犧牲層的嵌入式非揮發性存儲器的制造方法
[8120-0123-0031] 一種制備大面積鐵電薄膜的方法
[8120-0092-0032] 固體攝像裝置的制造方法
[8120-0026-0033] 真空容器
[8120-0167-0034] 超音波振動裝置及采用該裝置的濕式處理裝置
[8120-0177-0035] 形成金屬硅化物的方法
[8120-0115-0036] 多重曲率透鏡及其具有多重曲率透鏡的發光二極管的封裝結構
[8120-0020-0037] 多晶硅薄膜的制造方法
[8120-0039-0038] 高介電常數膜的精確圖案化
[8120-0096-0039] 一種氮化物器件倒裝的方法
[8120-0139-0040] 更換等離子體反應室的電極組合的方法
[8120-0011-0041] 包括輔助支架鍵合修正的發光二極管及其制造方法
[8120-0067-0042] 無引線型半導體封裝及其制造方法
[8120-0014-0043] 取代并五苯半導體
[8120-0174-0044] 不需要單獨溶劑沖冼步驟的脫除側壁聚合物和蝕刻劑殘余物的組合物
[8120-0071-0045] 半導體集成電路裝置
[8120-0162-0046] 圖形形成方法
[8120-0157-0047] 噴淋頭組合和具有噴淋頭組合用于制造半導體裝置的設備
[8120-0056-0048] 分離柵極快閃內存單元的字符線結構及其制造方法
[8120-0199-0049] 基板運送裝置和基板運送方法以及真空處理裝置
[8120-0052-0050] 氣壓差吸引裝置
[8120-0214-0051] 切割芯片焊接薄膜,固定碎片工件的方法及半導體器件
[8120-0012-0052] 充當多層鏡面的封裝結構
[8120-0120-0053] 發光二極管
[8120-0015-0054] 使用ir和/或nir輻射干燥有機半導體層、導體層或濾色器層的方法
[8120-0062-0055] 避免1t sram加工中上電極層因應力導致縫隙產生的方法
[8120-0036-0056] 晶片加工方法
[8120-0110-0057] 基于區熔硅單晶的雙極光晶體管及其探測方法
[8120-0101-0058] 半導體元件及其制造方法
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[8120-0070-0060] 半導體裝置及其制造方法
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[8120-0169-0064] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置制造系統
[8120-0024-0065] 多結構的硅鰭形及制造方法
[8120-0087-0066] 以部分空乏與完全空乏晶體管建構的靜態存儲元件
[8120-0176-0067] 制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
[8120-0126-0068] 測試襯底的回收方法和裝置
[8120-0160-0069] 用于真空處理裝置的真空室
[8120-0044-0070] 制造半導體器件的方法
[8120-0023-0071] 硅晶圓及其制造方法
[8120-0144-0072] 形成結晶半導體層的方法和裝置，以及制造半導體裝置的方法
[8120-0150-0073] 感光性板狀構件吸附機構和圖像記錄裝置
[8120-0173-0074] 終點檢測方法及終點檢測裝置
[8120-0037-0075] 一種清潔半導體裝置的方法和設備
[8120-0061-0076] 多位元堆疊式非易失性存儲器及其制造方法
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[8120-0049-0078] 用于記憶體積體電路的晶圓等級燒錄
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[8120-0006-0081] 非易失存儲器,及其制造和編程方法
[8120-0216-0082] 不對稱晶體結構存儲單元
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