半導體,半導體裝置,半導體器件制造,氧化物半導體晶體管最新技術匯編(168元/全套)
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[8156-0062-0001] 等離子體蝕刻氣體
[摘要] 本發明是有關于一種等離子體蝕刻氣體，適用于在蝕刻氧化硅的蝕刻機臺中蝕刻硅層，此氣體至少包括部分取代的氟烷氣體、全取代的氟烷氣體、氬氣與氮氣。其中部分取代氟烷氣體與全取代氟烷氣體的比例為3/1至15/1左右。
[8156-0099-0002] 硅基薄膜晶體管室溫紅外探測器
[摘要] 硅基薄膜晶體管室溫紅外探測器屬于單片集成式紅外探測器技術領域，其特征在于：它是一種用薄膜晶體管作為熱敏感元件且采用倒置參差結構的室溫紅外探測器，它含有：做在懸空微橋的橋面上用作熱敏感元件的薄膜晶體管，做在選擇性地在硅襯底的部分區域形成的一層多孔硅層上用作參考元件的薄膜晶體管，做在襯底上的信號檢測ic電路。該懸空微橋是通過把熱敏感元件薄膜晶體管下方的多孔硅腐蝕掏空而形成的。當參考元件下方的多孔硅層的厚度為6μm，電流偏置工作時間小于5μs時，差分電路抵消了自熱升溫和環境溫度變化引起的輸出溫漂；參考元件中受紅外輻射引起的平衡態升溫僅是熱敏元件的1/60，即采用參考元件削弱熱敏感元件的探測響應率僅不到2％。
[8156-0151-0003] gap系半導體發光組件
在gap系半導體基體70中，以p型層側的主面作為第一主面10，以其相反側的主面作為第二主面12。在第二主面，藉由研磨后用王水蝕刻，以形成可提高光全反射之向半導體基體70內側凸之鏡面狀凹曲面51的集合；另一方面，在半導體基體70之第一接觸層62形成區域及第二主面11以外，藉由實施異向性蝕刻，以形成為降低光全反射之向外側凸之凸曲面53的集合。又，將形成于第二主面11上之第二接觸層64(第二電極63)，用au、si及ni所組成的合金所形成，將形成于第一主面10上之第一接觸層62，用au和be或zn之合金所形成。藉此，可提供出就算在間接躍遷型的發光形態也能充分的提高亮度之gap系半導體發光組件。
[8156-0050-0004] 減小光阻粗糙的方法
[摘要] 一種減小光阻粗糙的方法，至少包括：提供具有凹槽并位于底材上的光阻；填補凹槽直至凹槽為附加材料所填補；移除位于光阻表面上及底材上的附加材料；處理附加材料借以增強附加材料與光阻間的附著性。并且，當附加材料的填補可以精確到只有凹槽被填補時，可以省略移除部份附加材料的步驟；當附加材料與光阻的附著性良好時，可以省略處理光阻以增強附著性的步驟。
[8156-0134-0005] 高密度的電路小片間互連結構
[摘要] 一種把第一集成電路制備結構上的間距緊密的多個電氣元件和第二集成電路制備結構上的工作電路相連的互連結構。在一個實施例中，第一集成電路制備結構包括多個光敏器件。第一集成電路制備結構上的導電互連元件提供單個光敏器件和第二集成電路制備結構上的工作電路之間的電連接。
[8156-0045-0006] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 半導體裝置的制造方法，包含：準備具備半導體基片、p型半導體層、n型半導體層、被形成在半導體基片上的具有多個開口的絕緣膜、被形成在上述開口內以及上述絕緣膜上的導體的基體，在研磨襯墊表面與基體的器件面接觸的狀態下，一邊向該研磨襯墊和該基體之間提供膏劑，一邊進行化學式機械研磨，除去絕緣膜上的導體，在上述多個開口內分別形成配線，在使上述基體的器件面和上述研磨襯墊表面接觸的狀態下，在該研磨襯墊和該基體之間，提供從由陽極水、使水溶解具有酸性的氣體的第1溶液、使水含有游離原子?分子的第2溶液、陰極水，以及使水溶解具有還原性的氣體的第3溶液組成的組中選擇出的至少1種液體，解除上述研磨襯墊對上述基體的緊密接觸。
[8156-0148-0007] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[摘要] 一種肖特基勢壘二極管及其制造方法。目前，由于有臺面型晶體管蝕刻及厚的聚酰亞胺層等，故不能推進芯片的小型化，并且，電極間存在距離，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基結部分的蝕刻控制很困難。本發明通過在基板表面設置n型及n+型離子注入區域形成動作區域，不再需要設置臺面及聚酰亞胺層，可實現化合物半導體的平面型肖特基勢壘二極管。可降低晶片的成本，由于可使電極間距離接近，故可實現芯片的縮小，也可提高高頻特性。由于形成肖特基結區域時不蝕刻gaas，故可制造再現性好的肖特基勢壘二極管。
[8156-0196-0008] 動態隨機存取存儲器模塊封裝
[摘要] 一種動態隨機存取存儲器模塊封裝，該封裝以“芯片上基板”的方式，在模塊印刷電路板上形成多個窗口，再將芯片直接粘接于模塊印刷電路板的背面，并使得芯片的焊點位于窗口的中央。接著以導線穿過窗口，而跨接于模塊印刷電路板正面的內接點與芯片的焊點。最后進行封膠，以保護導線、模塊印刷電路板的內接點、芯片及其焊點。
[8156-0027-0009] 固態圖像檢測器件
[摘要] 為了防止固態圖像傳感器的成像靈敏度因為粘合劑的使用而降低。一增強板形成在可彎曲印刷電路板1的一個表面上，一固態圖像傳感器4形成在另一個表面上。電路板1和增強板裝有開口1b和2a，在傳感器4與光學設備單元之間形成一條光學路徑。開口1b的開口面積小于開口2a的開口面積，并且開口1b的內圓周端表面比開口2a的內圓周端表面更靠近開口內側定位。一種粘合劑6插入在電路板1與傳感器4之間。粘合劑6通過毛細管作用到達開口1b的內圓周端表面，而開口1b和增強板2的內圓周端表面不平齊，因此粘合劑不會到達增強板2。因此，粘合劑6形成一個小傾斜部分6a，并且粘合劑6不會到達固態圖像傳感器4的光接收部分4a。
[8156-0197-0010] 層疊型半導體裝置
[摘要] 一種層疊了多層半導體集成電路芯片的層疊型半導體裝置，各半導體集成電路芯片包括：保持被電氣性寫入的自己的識別信息的保持電路；在層疊了多層半導體集成電路芯片的狀態下，在保持電路上設定自己的識別信息的識別信息設定電路；用于在保持電路上設定自己的識別信息才至少一個設定端子；其中，各半導體集成電路芯片對應的設定端子之間都共同連接。
[8156-0185-0011] 制造具有碳化硅膜的半導體器件的方法
[8156-0159-0012] 功率晶體管模塊和功率放大器及其制造方法
[8156-0017-0013] 電子電路以及半導體存儲裝置
[8156-0005-0014] 能夠抑制電流在焊盤里集中的半導體器件及其制造方法
[8156-0102-0015] 半導體器件及其制造方法
[8156-0034-0016] 壓電裝置、階梯型濾波器及壓電裝置的制造方法
[8156-0079-0017] 晶片表面量測機臺的散熱系統
[8156-0105-0018] 薄膜晶體管及矩陣顯示裝置
[8156-0087-0019] 半導體裝置的制造方法
[8156-0217-0020] 金屬遮罩在ic制備過程的應用
[8156-0071-0021] 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
[8156-0075-0022] 復合高密度構裝基板與其形成方法
[8156-0166-0023] 電光裝置
[8156-0171-0024] 一種制造含有復合緩沖層半導體器件的方法
[8156-0210-0025] 半導體裝置
[8156-0092-0026] 半導體器件
[8156-0011-0027] 一種用于防止電荷充電的氮化物只讀存儲器制作方法
[8156-0135-0028] 半導體裝置及其制造方法
[8156-0201-0029] 半導體裝置和半導體裝置的制造方法
[8156-0119-0030] 氣化供給方法
[8156-0145-0031] 半導體器件及其制造方法
[8156-0008-0032] 集成射頻電路
[8156-0042-0033] led模塊
[8156-0215-0034] 鎳鈦記憶合金與壓電陶瓷異質三步復合工藝
[8156-0129-0035] 程序化及抹除p型信道sonos記憶單元的操作方法
[8156-0111-0036] 有機電致發光器件
[8156-0113-0037] 曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法
[8156-0106-0038] 一種zno肖特基二極管
[8156-0127-0039] 探測器裝置
[8156-0063-0040] 蝕刻多晶硅層以形成多晶硅閘極的方法
[8156-0033-0041] 單芯稀土復合套管熱電偶
[8156-0065-0042] 生成掩膜數據、掩膜、記錄介質的方法和制造半導體器件的方法
[8156-0191-0043] 薄膜基板、半導體器件、電路基板及其制造方法
[8156-0085-0044] 金屬－絕緣體－金屬電容器制造方法
[8156-0024-0045] 半導體裝置及其制造方法
[8156-0094-0046] 半導體器件
[8156-0110-0047] 單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
[8156-0123-0048] 化合物半導體裝置的制造方法
[8156-0083-0049] 形成具有monos元件與混合信號電路之集成電路的方法
[8156-0189-0050] 半導體集成電路及其制造方法和制造裝置
[8156-0093-0051] 半導體器件
[8156-0003-0052] 布線設計方法
[8156-0160-0053] 帶有光敏元的矩陣陣列顯示裝置
[8156-0115-0054] 制造自旋開關薄膜的方法和制造磁阻效應磁頭的方法
[8156-0059-0055] 晶片自動對正的方法
[8156-0153-0056] 多晶態硅膜的制造方法和制造裝置、以及半導體裝置及其制造方法
[8156-0109-0057] 摻鉺氧化鋅近紅外光源
[8156-0067-0058] 形成金屬硅化物的方法
[8156-0133-0059] 集成電路塊和印刷電路板裝置
[8156-0175-0060] 一種用于制造半導體組件的干式蝕刻方法
[8156-0098-0061] 制作主動像素感測器的方法
[8156-0096-0062] 同步型半導體存儲裝置
[8156-0040-0063] 含有電可編程非易失存儲器單元的布置的半導體裝置
[8156-0206-0064] 半導體存儲器及其測試方法
[8156-0101-0065] 半導體器件的結構及其制造方法
[8156-0194-0066] 避免存儲器芯片周圍阻抗不匹配的方法、存儲系統及模板
[8156-0026-0067] 非揮發性半導體存儲器件
[8156-0086-0068] 降低非掃描可測試性設計管腳開銷的方法
[8156-0012-0069] 半導體基片制造方法、半導體基片、電光學裝置及電子設備
[8156-0081-0070] 用于收納芯片型電子元件的基帶的紙基材及使用該紙基材的基帶
[8156-0023-0071] 半導體存儲器與半導體存儲器控制方法
[8156-0043-0072] 磁致電阻效應元件的制造方法和磁致電阻效應型磁頭的制造方法
[8156-0157-0073] 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的集成元件
[8156-0107-0074] 等離子體濾波器氮化銦半導體薄膜
[8156-0090-0075] 半導體器件及其制造方法
[8156-0061-0076] 具有單鏡頭雙視窗的對正系統
[8156-0149-0077] 太陽電池及其制造方法以及太陽電池的制造裝置
[8156-0139-0078] 非揮發性內存的結構
[8156-0006-0079] 增加低介電層涂布能力的方法
[8156-0104-0080] 具有resurf層的功率用半導體器件
[8156-0204-0081] 半導體裝置
[8156-0009-0082] 去除高密度等離子體介電層缺陷的方法
[8156-0211-0083] 半導體器件及其制造方法
[8156-0039-0084] 處理薄金屬層的方法與設備
[8156-0053-0085] 柵絕緣膜的形成方法
[8156-0126-0086] 用于裝配電子器件的層疊薄膜和用于裝配電子器件的薄膜載帶
[8156-0207-0087] 包含影像隨機存取存儲器的半導體存儲設備
[8156-0213-0088] 光生伏打元件和光生伏打器件
[8156-0121-0089] 研磨墊
[8156-0162-0090] 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制作方法
[8156-0141-0091] 垂直式的氮化物只讀存儲單元
[8156-0036-0092] 圖案形成方法、裝置及半導體器件、電路、顯示體模件和發光元件
[8156-0112-0093] 薄膜壓電體元件及其制造方法并致動器
[8156-0182-0094] 微細圖形檢查裝置和方法、cd-sem的管理裝置和方法
[8156-0048-0095] 硅半導體襯底及其制造方法
[8156-0138-0096] 具有加密/解密功能的半導體集成電路
[8156-0114-0097] 半導體器件及其制造方法
[8156-0057-0098] 可即時補償研磨曲面的控制系統
[8156-0193-0099] 半導體裝置
[8156-0014-0100] 電子元件
[8156-0018-0101] 具有較短數據傳送時延的半導體存儲器件
[8156-0010-0102] 分析動態隨機存取存儲器冗余位修復是否正確的方法
[8156-0031-0103] 具有溝渠隔離結構的半導體元件
[8156-0186-0104] 半導體裝置的制造方法及其結構
[8156-0164-0105] 用于退火多種處理物的裝置和方法
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[8156-0095-0107] 恒定電壓產生電路及半導體存儲器件
[8156-0156-0108] 雙注模集成電路封裝
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[8156-0203-0113] 半導體集成電路
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[8156-0131-0116] 電腦cpu散熱器
[8156-0058-0117] 濕式處理裝置
[8156-0199-0118] 半導體集成電路裝置
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[8156-0082-0131] 應用硅過飽和氧化層的雙鑲嵌制程及其構造
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