半導體,半導體電路,半導體芯片,半導體元件最新技術匯編(168元/全套)
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[8166-0170-0001] 薄膜晶體管的制造方法
[摘要] 用液體材料形成構成薄膜晶體管的硅膜、絕緣膜、導電膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是，采用向基板上涂敷液體材料形成涂敷膜，對該涂敷膜進行熱處理的辦法形成所希望的薄膜。
[8166-0124-0002] 自發光器件及采用自發光器件的電氣設備
[摘要] 本發明的目的是提供一種能夠清晰地多灰度彩色顯示的自發光器件以及配備有此器件的電氣設備。利用時分驅動方法獲得了灰度顯示，其中提供在象素(104)中的el元件(109)被控制來按時發光或不發光，從而避免受到電流控制tft(108)的特性起伏的影響。
[8166-0010-0003] 軟式可膨脹伸縮的薄膜式熱管
一種軟式可膨脹伸縮的薄膜式熱管，具有一由上、下薄膜借周緣密封連結而成的熱管本體，并使該上、下薄膜多處也相連結，使上、下薄膜形成多個凸浮表面。當該熱管本體受熱時，將使該上、下薄膜形成的多個凸浮表面膨脹而可緊密觸抵發熱源，利用熱管本體與發熱源的多點接觸及緊密接觸來增加傳熱效率，提高散熱效果。
[8166-0195-0004] 半導體封裝及其倒裝芯片接合法
[摘要] 半導體芯片和有機基板在濕氣含量減少的氣氛中通過已進行清潔處理的金突點接合在一起。根據本發明，使用直徑不大于３００μm、高度不小于５０μm和高度／直徑比不低于１／５的金突點以足夠高的強度將半導體芯片和有機基板接合在一起，由此減少了應變。
[8166-0178-0005] 一種多選擇相干檢測方法
[摘要] 本發明公開了一種多選擇相干檢測方法，該方法采用把信號檢測所用長度ｌ分為nmulticoh段進行相干累加，再對相干結果分別進行相位調整，并以每個相干結果進行各種可能的組合；然后將這些可能的組合再相干累加，最后選擇最優的作為檢測結果。因此，本發明的方法克服了現有的檢測方法存在的缺點，在一定范圍內，抑制了頻偏、相位旋轉使信號檢測性能下降的影響，提高了信號檢測性能和概率。
[8166-0009-0006] 一種陶瓷厚膜電路炸裂的控制方法
[摘要] 一種陶瓷厚膜電路炸裂的控制方法，在電路的熱設計上將電路的相對熱區和相對冷區沿縱向或橫向適當分布，同時還可選擇一個相對熱區作為優先炸裂引導的熱區，在該熱區內使用炸裂引導技術即設計炸裂引導點，控制并引導控制電路炸裂方向的目的。本方法可在厚膜電路需要的位置及炸裂方向控制炸裂的全過程，并防止炸裂的電路碎片飛濺引起短路，提高陶瓷厚膜電路的性能。
[8166-0080-0007] 制備光電探測器的方法
[摘要] 一種制備光電探測器的方法。采用特殊版圖設計，寬引線鋁覆部分場區，氯離子處理爐管，在有氫氣氛的低溫爐中退火，慢降溫和磷吸雜工藝。經此方法制備的光電探測器反向擊穿高，暗電流小，結電容小，響應速度快，光譜響應范圍廣，參數優異并穩定。可廣泛應用于光電探測器的制備領域。
[8166-0142-0008] 半導體制作方法
[摘要] 本發明涉及到一種半導體電路的半導體制作方法，該電路具有多個一種類型的有源器件nmos1,nmos2,npn1,npn2。該方法包括下列步驟：在半導體襯底(1)上安排第一區域(4,16)，并在所述第一區域(4,16)中實現兩個具有不同種特性的所述類型的有源器件。實現所述有源器件的步驟包括在所述第一區域(4,16)中形成第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子區域，并進一步包括分別引入不同劑量參數的第一p1,p3和第二p2,p4摻雜劑，到所述第一區域的第一和第二區域，所述摻雜劑是同一類p型，以及包括退火所述襯底(1)以分別形成所述第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子區域，由此兩個具有不同摻雜分布的子區域能夠被制作在單個集成電路上。
[8166-0206-0009] 半導體裝置,液晶顯示裝置和它們的制造方法
[摘要] 提供具有高可靠性的半導體裝置、液晶顯示裝置和它們的制造方法。該半導體裝置包括：基板、半導體層、柵極絕緣膜和柵極電極。半導體層包括在基板的主面上形成且中間夾著溝道區而鄰接的源和漏區。柵極絕緣膜在溝道區上形成。柵極電極在柵極絕緣膜上形成，并具有側壁。柵極絕緣膜7a含有延長部分。源和漏區含有在離開延長部分的側壁的半導體層的區域內形成的高濃度雜質區和比該高濃度雜質區雜質濃度低的低濃度雜質區。
[8166-0152-0010] 多晶硅電阻器及其制造方法
[摘要] 一種電阻器，它具有由多晶硅組成的電阻器本體(11)以及排列在電阻器本體(11)上和/或中的電接觸區(23,15)，使電阻器部分(13)被制作在接觸區之間，它為電阻器提供電阻值。用例如硼，對電阻器本體中的材料進行摻雜，以確定其電阻值。為了使電阻器有良好的長期穩定性，用一個或多個由過渡金屬制作的氧化物基阻擋層(28,31)來保護電阻器部分(13)。這些阻擋層能夠防止諸如氫之類的可移動原子到達多晶硅中的不飽和鍵。這種可移動原子能夠例如存在于位于電阻器所在的集成電路最外圍的鈍化層(27)中。可以由具有30％的鈦和70％的鎢的用過氧化氫氧化的層來制作阻擋層。
[8166-0192-0011] 藍寶石硅上的超高分辨率液晶顯示器
[8166-0073-0012] 使半導體晶片適于使用液態導電材料的方法
[8166-0052-0013] 不易失存儲器
[8166-0175-0014] 硅膜的形成方法和噴墨用油墨組合物
[8166-0183-0015] 半導體器件的制造方法和設備
[8166-0100-0016] 有機膜的腐蝕方法、半導體器件制造方法及圖形形成方法
[8166-0186-0017] 發光半導體器件
[8166-0210-0018] 帶自對準柵極的快閃存儲單元及其制造方法
[8166-0025-0019] 半導體器件的包封金屬結構及包括該結構的電容器
[8166-0199-0020] 制備與硅平面工藝兼容的納米晶sno2薄膜的方法
[8166-0111-0021] 發光二極管燈
[8166-0147-0022] 鐵電晶體管、其在存儲單元系統內的應用及其制法
[8166-0150-0023] 氫損壞的鐵電薄膜的惰性氣體恢復性退火
[8166-0141-0024] 硅烷基多納米孔隙二氧化硅薄膜
[8166-0164-0025] 布線基板、具有布線基板的半導體裝置及其制造和安裝方法
[8166-0045-0026] 一種紅外探測器用的硅鍺/硅異質結材料
[8166-0072-0027] 半導體電路及其制造方法
[8166-0102-0028] 模擬缺陷晶片和缺陷檢查處方作成方法
[8166-0015-0029] 半導體裝置及其制造方法
[8166-0067-0030] 從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結構
[8166-0144-0031] 高密度集成電路
[8166-0216-0032] 半導體器件及其制造方法
[8166-0013-0033] 集成電路元件用連接模塊及適用于它的集成電路元件
[8166-0026-0034] 直流或交流電場輔助退火
[8166-0207-0035] 發光器件
[8166-0091-0036] 雙電鍍模具的導線架制造方法
[8166-0155-0037] 集成電路電力和地線路
[8166-0122-0038] 具有集成電容器的霍耳效應傳感元件
[8166-0058-0039] 半導體器件及其制造方法
[8166-0201-0040] 加強埋置溝道p場效應晶體管性能和可靠性的深草皮掩模
[8166-0213-0041] 驅動裝置
[8166-0077-0042] 半導體器件
[8166-0197-0043] 集成電路組件絲焊安裝至散熱器的技術
[8166-0001-0044] 激光處理方法
[8166-0057-0045] 具有防止電磁輻射作用的集成電路芯片
[8166-0043-0046] 具有分離柵的自對準雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管
[8166-0187-0047] 固定基片的裝置
[8166-0030-0048] 板狀體、引線框和半導體裝置的制造方法
[8166-0130-0049] 側壁堆積物除去用組合物和側壁堆積物除去方法
[8166-0131-0050] 提高集成電路中互連金屬化性能的方法和組合物
[8166-0033-0051] 3－5μm硅鍺/硅異質結內發射紅外探測器及其制備方法
[8166-0066-0052] 散熱器制造裝置及方法
[8166-0116-0053] 半導體器件的制造方法
[8166-0021-0054] 半導體襯底及其制造方法
[8166-0101-0055] 連接構造體
[8166-0017-0056] 化合物半導體器件的制造方法和化合物半導體器件的制造設備
[8166-0114-0057] 半導體金屬蝕刻工藝的方法
[8166-0189-0058] 處理高縱橫比結構的方法
[8166-0083-0059] 涂敷和顯影系統
[8166-0190-0060] 電聲換能器及其制造方法和使用該器件的電聲換能裝置
[8166-0023-0061] 半導體晶片及其制造方法
[8166-0215-0062] 對準管芯與柔性基板上互連金屬的裝置、方法及其產品
[8166-0074-0063] 具陶瓷基板及晶粒結構的二極管制造方法
[8166-0188-0064] 組合元件分離方法、薄膜制造方法和組合元件分離設備
[8166-0070-0065] 自掃描型發光裝置的掩模圖形設計方法
[8166-0003-0066] 不需打線之電子器件
[8166-0049-0067] 扁平型半導體裝置、其制造方法及使用該裝置的變換器
[8166-0076-0068] 以氧化鋁為埋層的絕緣層上硅結構的襯底材料及制備方法
[8166-0056-0069] 存儲單元的制法
[8166-0106-0070] 芯片倒裝型半導體器件及其制造方法
[8166-0171-0071] 靜電保護電路以及使用了該電路的半導體集成電路
[8166-0022-0072] 用于涂敷和顯影的方法和系統
[8166-0054-0073] 控制液體中溶解氣體濃度的方法和系統
[8166-0061-0074] 光斷續器及其框架
[8166-0099-0075] 一種鍍敷絕緣物質的方法
[8166-0196-0076] 制造電可尋址的藍寶石上硅光閥用的方法
[8166-0169-0077] 薄膜晶體管的制造方法
[8166-0086-0078] 用于將半導體芯片安裝到基片上的設備
[8166-0092-0079] 半導體電路裝置及其制造方法
[8166-0007-0080] 形成無鉛凸點互連的方法
[8166-0037-0081] 老化裝置的冷卻系統
[8166-0118-0082] 具有浮置柵的內存組件的制造方法
[8166-0148-0083] 玻璃的二氧化硅膜織構化
[8166-0108-0084] 金屬互接件以及采用金屬互接件的有源矩陣基底
[8166-0020-0085] 磁存儲器元件、磁存儲器及磁存儲器的制造方法
[8166-0218-0086] 與晶軸對準的垂直側壁器件及其制造工藝
[8166-0002-0087] 量子線場效應晶體管結構材料及器件制備方法
[8166-0211-0088] 太陽能電池的制造方法
[8166-0018-0089] 自發光設備及其制造方法
[8166-0165-0090] 多芯片模組裝置及其制造方法
[8166-0194-0091] 形成薄膜的方法
[8166-0014-0092] cmos半導體器件及其制造方法
[8166-0087-0093] 在低壓制造工藝中實現高壓信號輸入的電壓轉換裝置
[8166-0184-0094] 燈退火器及用于控制其處理溫度的方法
[8166-0180-0095] 用于生產半導體器件的工藝
[8166-0121-0096] 在絕緣體上硅中形成抗熔絲的結構和方法
[8166-0082-0097] 成膜裝置
[8166-0094-0098] 光學接收器
[8166-0059-0099] 生產晶體管的方法
[8166-0157-0100] 太陽能電池模塊
[8166-0065-0101] 具有改進的內部收氣的熱退火晶片
[8166-0185-0102] 多層光生伏特器件或光電導器件
[8166-0174-0103] 硅膜成形方法
[8166-0110-0104] 高電子遷移率晶體管及其制作方法
[8166-0062-0105] 發光二極管用磷進行波長轉換的方法和裝置
[8166-0140-0106] 使納米級微孔二氧化硅機械強度最優化的方法
[8166-0107-0107] 半導體器件的載體襯底的電極結構
[8166-0068-0108] 受熱表面上帶有突出部分的散熱器
[8166-0127-0109] 工件振動緩沖器
[8166-0161-0110] 半導體裝置及其制造方法
[8166-0097-0111] 用于熒光燈的壓電變壓器
[8166-0096-0112] 發光器件和電器
[8166-0040-0113] 集成電路封裝的堆疊模組
[8166-0041-0114] 半導體器件
[8166-0154-0115] 利用溝道技術和介質浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結構
[8166-0191-0116] 多層壓電元件及其制造方法
[8166-0031-0117] 采用碳素物質的可重寫數據存儲器及其寫/讀方法
[8166-0139-0118] 通過混合物流沉積的多納米孔隙二氧化硅
[8166-0008-0119] 各向異性導電粘接材料及連接方法
[8166-0137-0120] 元件粘貼方法和設備
[8166-0028-0121] 半導體集成電路器件的制造方法
[8166-0104-0122] 閃存的制造方法
[8166-0149-0123] 清洗晶片用的盛器
[8166-0103-0124] 鑲嵌結構的制造方法
[8166-0089-0125] 板狀體和半導體器件的制造方法
[8166-0063-0126] 其電極具有大量均勻邊沿的等離子聚合設備
[8166-0138-0127] 金屬用研磨液及研磨方法
[8166-0129-0128] 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
[8166-0005-0129] 具有可靠電連接的半導體器件
[8166-0158-0130] 混合屋頂覆蓋件
[8166-0172-0131] 銅深腐蝕方法
[8166-0202-0132] 一種半導體的封裝結構
[8166-0176-0133] 光產生電力裝置的制造方法
[8166-0016-0134] 半導體器件及其制造方法
[8166-0084-0135] 具有原位除去污物的離子束注入機
[8166-0088-0136] 組合式散熱片的制作方法及用該方法制的組合式散熱片
[8166-0173-0137] 硅氧化膜的形成方法
[8166-0179-0138] 散熱器及其制造方法
[8166-0006-0139] 芯片封裝焊接用錫球的制造方法
[8166-0112-0140] 空穴傳輸劑和包括它的光電轉化設備
[8166-0034-0141] 面發光裝置
[8166-0145-0142] 半導體電路裝置
[8166-0212-0143] 熱電轉換材料及其制作方法
[8166-0128-0144] 蝕刻溶液,蝕刻制品和制造蝕刻制品的方法
[8166-0156-0145] 受光器件陣列和受光器件陣列芯片
[8166-0029-0146] 板狀體及半導體裝置的制造方法
[8166-0051-0147] 用于降低集成電路中芯片開裂的方法
[8166-0019-0148] 半導體發光二極管及其制備方法
[8166-0136-0149] 作為發光二極管的穩定電子注入電極的金屬氧化物薄層
[8166-0123-0150] 固體攝像器件及其制造方法
[8166-0125-0151] 垂直mos三極管及其制造方法
[8166-0119-0152] 引線框、半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8166-0135-0153] 用于壓電驅動器的、經改進的錘子以及制造該錘子的方法
[8166-0075-0154] 疊層柵式快閃存儲器的制造方法
[8166-0047-0155] 拋光體、拋光設備、拋光設備調節方法、拋光膜厚度或拋光終點測量方法及半導體...
[8166-0079-0156] 具有平頂和陡邊響應的半導體光電探測器及實現方法
[8166-0205-0157] 用于消除浮體效應的soi半導體集成電路及其制造方法
[8166-0098-0158] 防止金屬腐蝕的半導體工藝的清洗方法
[8166-0042-0159] 多發射區擴散層接觸孔圓形構造
[8166-0113-0160] 堅固地粘附于下層的低阻硅化鎢膜和使用它的半導體器件
[8166-0126-0161] 高速半導體光電探測器
[8166-0214-0162] 與硅具有穩定結晶界面的半導體結構的制造方法
[8166-0177-0163] 半導體器件及其制造方法
[8166-0060-0164] 加工方法與裝置
[8166-0193-0165] 用于制造電子元件的濕法處理方法
[8166-0093-0166] 具備偏轉系統的陰極射線管裝置
[8166-0036-0167] 成膜方法、半導體器件及制造方法、記錄媒體的制造方法
[8166-0012-0168] 半導體封裝及其制造方法
[8166-0181-0169] 掩膜檢測裝置和掩膜檢測方法
[8166-0050-0170] 用于制造混合式半導體器件的引線框架
[8166-0024-0171] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8166-0198-0172] 一種用一連續頂部電極匹配電容器陣列的改進的布局技術
[8166-0039-0173] 改進了的集成電路結構
[8166-0081-0174] 二分旋轉全組合材料合成方法
[8166-0004-0175] 安裝半導體芯片的方法
[8166-0217-0176] 帶有包含可修整電容器的薄膜電路的模塊
[8166-0162-0177] 混合熔絲技術
[8166-0117-0178] 半導體器件及其制造方法、層疊型半導體器件和電路基板
[8166-0011-0179] 半導體器件及其制造方法
[8166-0109-0180] 具有寬安全工作范圍的高速、高頻半導體器件
[8166-0153-0181] 集成電路芯片、集成電路元件、印刷電路板及電子設備
[8166-0208-0182] 電致發光顯示器件
[8166-0134-0183] 超導晶體管配置和相關方法
[8166-0203-0184] 表面安裝元件和表面安裝元件的安裝結構
[8166-0146-0185] 晶體管陣列
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[8166-0053-0187] 光生伏打裝置
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[8166-0151-0190] 在兩側處理制造集成電路的方法
[8166-0038-0191] 用于封裝或測試應用中的多線格柵
[8166-0032-0192] 光電元件及其制造方法和包線與導體的連接方法
[8166-0095-0193] 增強太陽能電池發電量的方法
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[8166-0105-0196] 半導體元件連接用金線及半導體元件的連接方法
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[8166-0219-0219] 多級快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
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