歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F320011
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8121-0090-0001] 具有由相同材料制成的電阻器圖形和栓塞圖形的集成電路器件及其形成方法
[摘要] 通過在襯底上形成電阻器圖形而形成集成電路器件。在電阻器圖形上形成層間介質層。構圖層間介質層，以形成露出電阻器圖形的至少一個開口。形成填充至少一個開口的栓塞圖形，以及使用相同的材料形成栓塞圖形和電阻器圖形。
[8121-0156-0002] 電平位移電路
[摘要] 在電平位移電路中，例如，當輸入信號in從l電平變成h電平時，使n型信號輸入晶體管導通，并且電流在n型晶體管中流動。因此，第一電流鏡電路將在n型晶體管中流動的電流放大預定倍數，增加用于反相輸出節點的電流驅動能力，并且將反相輸出節點迅速變到l電平。當反相輸出節點變成l電平時，輸出節點變為h電平，通過該變化使p型晶體管(第一電流中斷電路)不導通，并且中斷從第一電流鏡電路提供的電流。因此，即使當降低用于輸入信號和反相輸入信號的電源電壓時，也能高速執行操作。
[8121-0042-0003] 經涂覆的半導體晶片、及制造該半導體晶片的方法及裝置
本發明涉及一種在半導體晶片正面上通過化學汽相沉積法(cvd)沉積層的過程中用以放置半導體晶片的基座，該基座的氣體透過結構的孔隙率至少為15％，其密度為0.5-1.5克/立方厘米。本發明還涉及一種具有背面、經化學汽相沉積法(cvd)涂覆正面及拋光或蝕刻背面的半導體晶片，其中以高度波動峰谷(pv)表示，背面的納米形貌低于5納米，本發明再涉及的是一種制造半導體晶片的方法。
[8121-0165-0004] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 電容元件(26)具有：在設置在半導體襯底(10)的第三層間絕緣膜(22)上的開口部(22a)的底面和壁面上形成的由貴重金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶體構成的下部電極(23)、形成在該下部電極(23)之上的由介質構成的電容絕緣膜(24)和形成在該電容絕緣膜(24)上的由貴重金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶體構成的上部電極(25)。通過該結構，能防止對電容絕緣膜(24)的用于介質結晶的熱處理時產生的下部電極(23)和上部電極(25)的斷線、構成電容絕緣膜(24)的原子的擴散。能防止由于對介質進行比較高溫的熱處理而產生的電極斷線。
[8121-0075-0005] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 提供一種裝配性及可靠性非常優越的半導體裝置及其制造方法。準備安放了形成有多個第一焊盤(14)的第一半導體芯片(10)的布線基板(20)。各第一焊盤(14)與各布線圖案(22)之間分別用導線(30)電連接。在第一半導體芯片(10)上設置樹脂漿(40)。將形成有多個第二焊盤的第二半導體芯片(50)通過介入樹脂漿(40)搭載在第一半導體芯片(10)上。樹脂漿(40)被固化后形成隔離層(60)，將第一與第二半導體芯片(10、50)固定。隔離層(60)，形成在第二焊盤(54)下方直到外側。導線(30)按其最高部位被配置在第一半導體芯片(10)的外側的方式而進行設置。
[8121-0008-0006] 以離子植入增加局部側壁密度的方法
[摘要] 提供一種方法，該方法包括形成第一導電結構，以及在該第一導電結構的上方形成第一介電質層。該方法也包括在位于該第一導電結構的至少一部分的上方的該第一介電質層中形成第一開口，該第一開口具有側壁，以及增加該側壁的密度。
[8121-0209-0007] 壓電層及其形成方法和所述方法使用的加熱裝置、壓電元件
[摘要] 本發明提供了一種可使鐵電前驅體膜可靠脫脂并可獲得良好結晶性的壓電層的形成方法和其所使用的加熱裝置、以及具有良好結晶性的壓電層和壓電元件。本發明的壓電層的形成方法包括：干燥工序，在襯底的下電極上至少形成一層鐵電前驅體膜并使鐵電前驅體膜干燥；脫脂工序，將襯底導入與被加熱到一定溫度的熱板相對的區域，在由接近栓支承的狀態下對鐵電前驅體膜進行脫脂；燒結工序，將脫脂的鐵電前驅體膜進一步燒結作為鐵電膜；以及，通過重復進行預定次數的鐵電前驅體膜的干燥工序、脫脂工序及燒結工序來形成壓電層，并在進行脫脂工序時，調節熱板與襯底之間的間隔，同時冷卻與襯底的熱板相反側的空間溫度，從而調節鐵電前驅體膜的加熱溫度的工序。
[8121-0160-0008] 非易失性半導體存儲裝置、電子卡及電子裝置
[摘要] 本發明提供一種非易失性半導體存儲裝置，能減小配置傳輸晶體管的區域面積。與配置成塊bk的存儲器單元連接的字線wl0～15與傳輸晶體管q0～15的雜質區域41連接。在q0～15的雜質區域43中，連接有向字線wl0～15供給電壓的驅動線dl0～15。為了向與字線wl3連接的存儲器單元寫入數據，對字線wl3施加20v電壓，對兩相鄰字線wl1、5施加0v電壓。在字線wl3的傳輸晶體管q3的兩側及對面不配置字線wl1、5的傳輸晶體管q1、5。據此，就可以防止相鄰的傳輸晶體管之間的電位差增大。
[8121-0029-0009] 半導體制造系統
[摘要] 本發明提供一種可以無縫處理涉及半導體的設計、制造以及檢查信息的半導體制造系統，該半導體制造系統具有：把將涉及半導體的設計、半導體的制造及半導體的檢查的所有信息，按照邏輯表現形式，賦予表示所述信息作用的元數據的范例作為類別進行表現存儲的存儲裝置3000～3003；分別連接該存儲裝置3000～3003和半導體制造裝置4000、4001以及半導體檢查裝置4002間的存儲裝置用網絡2000。所述存儲裝置可以從所述半導體制造裝置、半導體檢查裝置及半導體的設計環境進行無縫訪問。
[8121-0206-0010] 電極層、含有電極層的發光器件及形成電極層的方法
[摘要] 提供一種用于發光器件的電極層、以及形成該電極層的方法和含有該電極層的發光器件。電極層包括含有鑭系元素和金屬元素的氧化物的固溶體。電極層還可以包括從金(au)、金鑭(aula)化合物和鑭鎵(laga)化合物構成的組中選擇的至少一種。本發明的電極層具有低電阻和高透光率。因此，在發光器件中電極層的使用能降低工作電壓并提高led的透射率。因而，相比于傳統led能顯著改善發光器件的發光效率。
[8121-0212-0011] 有機發光二極管顯示面板及制造方法
[8121-0052-0012] 盤狀工件分割裝置
[8121-0096-0013] 制造半導體器件的方法和使用該方法的半導體器件制造裝置
[8121-0023-0014] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0021-0015] 圖形處理方法與裝置
[8121-0185-0016] 半導體裝置
[8121-0128-0017] 襯底上的電互連結構及其制作方法
[8121-0026-0018] 結晶裝置、結晶方法
[8121-0119-0019] 層壓片
[8121-0171-0020] 固體攝像器件及其制造方法
[8121-0013-0021] 固體攝像元件及其制造方法
[8121-0152-0022] 圖像傳感器集成電路
[8121-0009-0023] 具有凸起橋的集成電路器件及其制造方法
[8121-0168-0024] 半導體裝置
[8121-0184-0025] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0077-0026] 中央焊墊記憶體堆疊封裝組件及其封裝制程
[8121-0030-0027] 表面紋理化的方法
[8121-0016-0028] 壓電致動器及液體噴頭
[8121-0207-0029] 發光器件
[8121-0068-0030] 半導體裝置的制造方法及半導體襯底
[8121-0057-0031] 研磨裝置的管理方法
[8121-0147-0032] 半導體器件及分壓電路
[8121-0025-0033] 用于拾取工件的方法和裝置以及安裝機
[8121-0126-0034] 半導體器件及引線框架
[8121-0149-0035] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0134-0036] 多指型靜電放電保護元件
[8121-0183-0037] 縱向化合物半導體型場效應晶體管結構
[8121-0196-0038] 硅薄膜太陽能電池的制造方法
[8121-0044-0039] 用于等離子體摻雜的方法和裝置
[8121-0129-0040] 半導體器件
[8121-0136-0041] 具有集成的過熱保護部分的半導體組件
[8121-0176-0042] 固體攝像裝置
[8121-0218-0043] 形成可靠銅互連器的方法
[8121-0194-0044] 橫向結型場效應晶體管
[8121-0100-0045] 具有凹入的柵極電極的半導體器件的集成方法
[8121-0163-0046] 電荷捕捉記憶單元
[8121-0097-0047] 制造半導體裝置的電容器的方法
[8121-0181-0048] 異質結雙極型晶體管及其制造方法
[8121-0048-0049] 半導體器件的制造方法
[8121-0022-0050] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0195-0051] 半導體組件
[8121-0108-0052] 半導體芯片側接觸方法
[8121-0143-0053] 磁存儲器裝置和磁存儲器裝置的制造方法
[8121-0145-0054] 半導體器件及分壓電路
[8121-0138-0055] 半導體器件的堆疊封裝
[8121-0161-0056] 含有非易失性存儲器的半導體器件及其制造方法
[8121-0098-0057] 讀/編程電位發生電路
[8121-0071-0058] 薄膜晶體管及其制造方法
[8121-0099-0059] 具有一非易失性內存的集成電路及其制造方法
[8121-0011-0060] 半導體器件及其制造方法
[8121-0065-0061] 氮化硅膜、半導體器件、顯示器件及制造氮化硅膜的方法
[8121-0063-0062] 強化抗腐蝕的制程組件
[8121-0125-0063] 半導體器件及其制造方法
[8121-0142-0064] 電源裝置
[8121-0155-0065] 微分電容器、差動天線元件和差動諧振器
[8121-0116-0066] 降低成本、簡化工藝的布線板及其制造方法
[8121-0007-0067] 電子器件及其制造方法
[8121-0073-0068] 制造半導體器件的方法
[8121-0043-0069] 固體有機金屬化合物用填充容器及其填充方法
[8121-0193-0070] 薄膜半導體襯底及制造方法、薄膜半導體器件及制造方法
[8121-0113-0071] 高密度芯片尺寸封裝及其制造方法
[8121-0122-0072] 制造一種直接芯片連接裝置及結構的方法
[8121-0214-0073] 等離子體處理裝置
[8121-0110-0074] 呈現出高擊穿電壓的二極管
[8121-0131-0075] 半導體裝置
[8121-0191-0076] 薄膜晶體管、有源矩陣基板、顯示裝置和電子設備
[8121-0018-0077] 輸送和處理襯底的對接型系統和方法
[8121-0102-0078] 儲存電容器之埋入式帶接觸及其制造方法
[8121-0162-0079] 鐵電隨機存取存儲器電容器及其制造方法
[8121-0103-0080] 存儲節點觸點形成方法和用于半導體存儲器中的結構
[8121-0051-0081] 制造半導體器件的柵電極的方法
[8121-0167-0082] 具有選擇晶體管的電可擦可編程只讀存儲器及其制造方法
[8121-0040-0083] 溶液淀積硫族化物薄膜
[8121-0036-0084] 一字排列式顯影處理裝置及顯影處理方法
[8121-0035-0085] 半導體裝置的制造方法及使用這種方法的半導體襯底的制造方法
[8121-0177-0086] 圖象傳感器的制造方法及圖象傳感器
[8121-0032-0087] 制造超窄溝道半導體器件的方法
[8121-0190-0088] 高壓組件及其制造方法
[8121-0205-0089] 發光器件和發光器件的制造方法以及照明裝置
[8121-0089-0090] 具有含圓化邊緣的電極的靜電夾頭
[8121-0208-0091] 紅外投射裝置
[8121-0038-0092] 半導體裝置及防止去除光阻期間損壞抗反射結構的方法
[8121-0006-0093] 模塊部件
[8121-0084-0094] 在基底蝕刻制程中的干涉終點偵測
[8121-0076-0095] 半導體器件的制造方法及半導體制造裝置
[8121-0170-0096] 固體攝像裝置及其制造方法
[8121-0049-0097] 金屬柵極場效應晶體管的柵極結構的制作方法
[8121-0144-0098] 半導體集成電路和電子系統
[8121-0111-0099] 電路模塊及其制造方法
[8121-0092-0100] 鑲嵌式金屬內連線的制造方法及介電層的修復程序
[8121-0141-0101] 半導體裝置
[8121-0217-0102] 在凹槽刻蝕之前通過干涉法實現的現場監測進行平坦化刻蝕的方法
[8121-0061-0103] 半導體蝕刻速度改進
[8121-0150-0104] 半導體器件及其制造方法
[8121-0093-0105] 半導體集成電路器件的制造方法
[8121-0133-0106] 具有位置對照用標記的半導體器件
[8121-0019-0107] 無塵室系統
[8121-0216-0108] 基片處理裝置及基片處理方法
[8121-0117-0109] 帶內置電子部件的電路板及其制造方法
[8121-0123-0110] 用于半導體封裝的引線框架
[8121-0050-0111] 透明電極膜的形成方法
[8121-0127-0112] 半導體載體用膜、及使用其的半導體裝置和液晶模塊
[8121-0157-0113] 半導體集成電路
[8121-0189-0114] 半導體裝置以及其制造方法
[8121-0140-0115] 芯片裝置
[8121-0059-0116] 基片接合方法和設備
[8121-0087-0117] 裸晶粒托盤夾
[8121-0091-0118] 具有溝槽形式的裝置隔離層的半導體裝置的制造方法
[8121-0083-0119] 半導體功率模塊和該模塊的主電路電流測量系統
[8121-0107-0120] 絕緣體上sige襯底材料的制作方法及襯底材料
[8121-0210-0121] 包含多層柵絕緣體的有機薄膜晶體管
[8121-0017-0122] 輻射能量兆赫茲超音波換能器
[8121-0053-0123] 激光束處理方法和激光束處理裝置
[8121-0062-0124] 半導體晶片的濕化學表面處理方法
[8121-0114-0125] 形成包封器件和結構的方法
[8121-0109-0126] 半導體構裝封環結構與其制造方法以及半導體構裝結構
[8121-0182-0127] 絕緣柵型雙極晶體管及其制造方法以及變流電路
[8121-0199-0128] 多色發光二極管封裝
[8121-0204-0129] 制備用于發光器件的量子點硅酸類薄膜的方法
[8121-0174-0130] 固體攝像元件的制造方法
[8121-0056-0131] 研磨墊、研磨裝置及晶片的研磨方法
[8121-0118-0132] 半導體封裝及其制造方法
[8121-0081-0133] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0024-0134] 使用激光的半導體晶片分割方法
[8121-0172-0135] 光器件及其制造方法
[8121-0179-0136] 固態成像器件及其驅動方法
[8121-0041-0137] gan基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
[8121-0164-0138] 電容器及其制造方法
[8121-0187-0139] 具有應力施加層的非平面器件及制造方法
[8121-0020-0140] 圖形修正方法、系統和程序、掩模、半導體器件制造方法、設計圖形
[8121-0005-0141] 晶片的研磨方法及晶片研磨用研磨墊
[8121-0153-0142] 半導體集成電路裝置
[8121-0213-0143] 半導體器件及其制造方法
[8121-0088-0144] 晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝
[8121-0086-0145] 開放框架托盤夾
[8121-0215-0146] 處理裝置和處理方法
[8121-0033-0147] 形成多層互連結構方法、電路板制造方法及制造器件方法
[8121-0078-0148] 增進有效黏晶面積的封裝制程
[8121-0200-0149] 全方向反射鏡及由其制造的發光裝置
[8121-0066-0150] 形成硅化鎳層以及半導體器件的方法
[8121-0197-0151] 太陽能電池
[8121-0072-0152] 半導體裝置的制造方法
[8121-0151-0153] 高頻功率放大器模塊及半導體集成電路器件
[8121-0045-0154] 等離子體摻雜裝置
[8121-0148-0155] 有部分或全包圍柵電極的非平面半導體器件及其制造方法
[8121-0201-0156] 芯片發光二極管及其制造方法
[8121-0173-0157] 水平控制的影像感測晶片封裝結構及其封裝方法
[8121-0034-0158] 內部裝有半導體的模塊及其制造方法
[8121-0178-0159] 光電二極管和其制造方法及半導體裝置
[8121-0058-0160] 半導體晶片的清洗方法和清洗裝置
[8121-0211-0161] 有機薄膜晶體管及其制造方法
[8121-0031-0162] 半導體晶片、半導體元件及其制造方法
[8121-0121-0163] 半導體器件及其制造方法
[8121-0105-0164] 形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構
[8121-0158-0165] 磁阻設備的制造方法
[8121-0012-0166] 提高散熱性的絕緣體上硅器件及其制造方法
[8121-0074-0167] 半導體器件的制造方法
[8121-0104-0168] 非揮發性存儲單元及其形成方法
[8121-0112-0169] 半導體封裝構造用的基板
[8121-0146-0170] 半導體器件及分壓電路
[8121-0037-0171] 涂布方法和涂布裝置
[8121-0010-0172] 用于電源布線和接地布線的由交錯凸起冶金法制成的條
[8121-0132-0173] 具有對角方向線路的半導體集成電路器件及其布置方法
[8121-0137-0174] 混合集成電路
[8121-0064-0175] 半導體器件制造方法和蝕刻系統
[8121-0082-0176] 支持寫緩沖的flash內部單元測試方法
[8121-0175-0177] 使用高幀頻的具有幀相加和運動補償的cmos圖像傳感器
[8121-0203-0178] 半導體器件的制造方法
[8121-0159-0179] 半導體存儲裝置及其制造方法
[8121-0069-0180] 形成低溫多晶硅薄膜晶體管的方法
[8121-0054-0181] 晶圓背面研磨制程
[8121-0055-0182] 清潔部件和清潔方法
[8121-0046-0183] 具有高介電常數介電層的柵極結構及其制作方法
[8121-0070-0184] 底柵控制型多晶硅薄膜晶體管的制造方法
[8121-0003-0185] 硅膜形成用組合物和硅膜的形成方法
[8121-0028-0186] 使用混合耦合等離子體的裝置
[8121-0080-0187] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0135-0188] 對稱高頻scr結構和方法
[8121-0027-0189] 用于半導體處理的氣體分配設備
[8121-0015-0190] 光電元件
[8121-0106-0191] 制造非揮發性存儲器晶體管的方法
[8121-0067-0192] 研磨金屬層的方法
[8121-0085-0193] 具有晶圓定位柱的晶圓貯存容器
[8121-0039-0194] 帶有抗蝕膜的基片的制造方法
[8121-0154-0195] 電容裝置及其制造方法
[8121-0047-0196] 用于制造具有改善刷新時間的半導體裝置的方法
[8121-0186-0197] 垂直雙溝道絕緣硅晶體管及其制造方法
[8121-0180-0198] 具有減小的直流電流飽和度的電力電感器
[8121-0101-0199] 制造快閃存儲裝置的方法
[8121-0014-0200] 有機光生伏打器件
[8121-0130-0201] 半導體器件及其制造方法
[8121-0192-0202] 晶體管制造方法和電光裝置以及電子儀器
[8121-0139-0203] 芯片層疊型半導體裝置及其制造方法
[8121-0202-0204] 氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
[8121-0004-0205] 在半導體晶片上形成劃線的方法以及用以形成這種劃線的設備
[8121-0169-0206] 半導體存儲器件及半導體集成電路
[8121-0166-0207] 非易失性半導體存儲器件
[8121-0115-0208] 定向芯片固定裝置和方法
[8121-0095-0209] 反熔絲型存儲器組件的結構與制造方法
[8121-0001-0210] cvd設備以及使用所述cvd設備清洗所述cvd設備的方法
[8121-0079-0211] 半導體裝置及其制造方法
[8121-0120-0212] 芯片封裝結構
[8121-0002-0213] cvd設備以及使用cvd設備清洗cvd設備的方法
[8121-0124-0214] 半導體裝置及混合集成電路裝置
[8121-0060-0215] 基板支持裝置及基板取出方法
[8121-0188-0216] 具有凸起的結區域的pmos晶體管應變最優化
[8121-0198-0217] 太陽能電池模塊
[8121-0094-0218] 電子器件的制造方法和半導體器件的制造方法
[8121-0219-0219] 具低電阻含金屬薄層的制造方法
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298   13050204739
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。

本公司供應半導體,半導體存儲,制造半導體器件,半導體集成電路器件類技術資料(168元/質量保證，歡迎咨詢洽談。

新手教學

批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。