半導體,半導體裝置,半導體功率,制造半導體最新技術匯編(168元/全套)
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[8160-0097-0001] 用于半導體存儲器件的薄膜晶體管及其制造方法
[摘要] 用于半導體存儲器件的ｔｆｔ，包括第一絕緣層１上形成的第一導電層２、覆蓋在其上的第二絕緣層３，第二絕緣層內形成的開口４，在開口４中暴露第一導電層的表面及在第二絕緣層３上預定部分表面形成半導體層５，覆蓋在半導體層５上的薄柵極絕緣層６，在其上形成第二導電層７，在半導體層５之第一部分內形成的第一雜質區，在半導體層５之第二部分內形成的第二雜質區，和在半導體層５內第一與第二雜質區間所確定的溝道區５ｃ。
[8160-0165-0002] 半導體器件
[摘要] 一種橫向dmost resurf型半導體器件，包括:第1導電型的半導體本體和毗連表面的第2導電型表面區。多個第1導電型的擊穿電壓增高區設在背柵區與漏區間。按照本發明，至少背柵區的形成區和最靠近背柵區的第1擊穿電壓增高區的一個區，設有至少一伸向另一區的部分，該部分處，這個區與另一個區間的距離要小于這個區相鄰部分處的距離。通過這個凸出部能發生背柵區與第1擊穿電壓增高區之間的電荷交換，使半導體器件能更快地開關。
[8160-0044-0003] 用帶有傾斜澆口的設備將半導體器件密封在模制物料中
本發明公開了一種高度可靠的在模制物料中密封半導體器件的密封設備。該密封設備包括一模腔、一澆道和一澆口。模腔由上模具與下模具固定在一起形成。澆道用以輸送模制物料。澆口則用以將澆道與模腔連通起來。該密封設備的特點在于,澆口(47a)有一個向模腔傾斜的部分(48a)。模制物料在模腔內的流率可通過調節傾斜部分的斜度妥善加以控制。傾斜部分的斜度最好在２０度與３５度之間。
[8160-0056-0004] 一種改進大功率雙向晶閘管換向能力的方法
[摘要] 本發明是一種用１２mｅv電子輻照提高大功率雙向晶閘管換向能力的方法。通過三種不同方式的輻照和輻照后的退火工藝，來實現器件全面參數的最佳化，這一新工藝可使雙向晶閘管的成品率明顯提高，將會創造一定的經濟效益。
[8160-0020-0005] 發光二極管集成矩陣組件及制法
[摘要] 發光二極管集成矩陣組件及制法，屬半導體電光集成器件及其制備方法，本發明以發光材料ｇａａｓｐ／ｇａａｓ（ｎ）與本征ｇａａｓ：ｚｎ疊層復合，以空間隔離溝和ｐ－n結隔離技術形成發光矩陣芯片再與黑瓷厚膜電路基座組成為組件，可用作貼片式信息記錄顯示光源，用于大小型光電經緯儀，紅外夜視等領域。
[8160-0127-0006] 形成半導體器件的方法
[摘要] 本發明公開了一種改進了的制造絕緣柵場效應晶體管的方法。該方法包括下列步驟：在絕緣襯底上形成半導體薄膜，在所說半導體薄膜上形成柵絕緣薄膜，在所說的柵絕緣薄膜上形成柵電極，陽極氧化所說柵電極，以形成覆蓋柵電極的外表面的氧化物薄膜，按相應的半導體薄膜給柵電極加負電壓或正電壓。加負電壓能有效地消除在正電壓進行陽極氧化過程中產生的晶格缺陷和界面態。
[8160-0190-0007] 形成半導體器件接觸塞的方法
[摘要] 采用選擇性ｃｖｄ鎢形成通路接觸塞的方法中，通過在高溫下，進行ｈ２還原工藝，在通路接觸孔的下部淀積上第一層鎢；隨后，再在低溫下，進行ｓｉｈ４還原工藝，在第一層鎢上淀積上第二層鎢，經過第一和第二層鎢來填充通路接觸孔，于是形成了接觸塞。因此，防止了鎢的選擇性衰減，從而實現可靠的半導體器件。
[8160-0158-0008] 大陶瓷制品及其制造方法
[摘要] 一種供電子電路應用的大陶瓷基片制品，它至少包括一層燒結的陶瓷材料，所述的層包括有多個邊對邊地接合的陶瓷材料毛坯塊。還公開了一種制造未燒結的大陶瓷毛坯制品的方法，以及一種大陶瓷基片制品。
[8160-0091-0009] 具有平面構圖表面的多片組件和集成電路襯底
[摘要] 本發明為一種填充襯底的形貌而使該襯底上產生平面構圖表面的方法，包括：提供一個包含形貌圖形的襯底；在其上淀積一層導體，導體層的第一部分覆蓋電介質材料，第二部分填充形貌，第三側壁部分與第一和第二部分相連；用光致抗蝕劑涂覆襯底，使光致抗蝕劑具有與形貌圖形相似的圖形；在防止導體層側壁部分橫向腐蝕的條件下，腐蝕掉該導體層的除第二部分以外的所有部分；再除去光致抗蝕劑。[8160-0207-0010] 防止液體中雜質附著的溶液和使用它的腐蝕方法及裝置
[摘要] 本發明的目的在于提供氟酸水溶液或在氟酸＋氟化銨混合水溶液中防止雜質附著的技術。通過向氫氟酸水溶液或氟酸＋氟化銨混合水溶液等的氫氟酸系的腐蝕溶液中添加可以降低雜質和基板ζ電位的物質，特別是以低于臨界膠束濃度的濃度添加陰離子表面活性劑，可以防止或降低混合水溶液中的雜質附著。可以提高半導體裝置等的電子元件的產率。
[8160-0216-0011] mis半導體器件及其制造方法
[8160-0083-0012] 閾值開關器件
[8160-0203-0013] mis半導體器件及其制造方法
[8160-0005-0014] 制造紫外增強型光電二極管的方法
[8160-0063-0015] 硅單晶薄片制造晶體管的方法
[8160-0107-0016] 提高硅高壓平面器件擊穿電壓的良品率的方法
[8160-0193-0017] 半導體器件
[8160-0033-0018] 發光半導體器件及其制造方法
[8160-0196-0019] 半導體器件及其制造方法
[8160-0139-0020] 用高能離子注入實現si/n+埋層結構及元件內部互聯
[8160-0036-0021] 肖特基結半導體器件
[8160-0130-0022] 絕緣半導體管殼
[8160-0123-0023] 一種大功率晶體管的制造方法
[8160-0024-0024] 半導體功率器件
[8160-0164-0025] 集成電路的制造方法和運用此方法獲得的集成電路
[8160-0019-0026] 筒形超導厚膜量子干涉器
[8160-0178-0027] 高靈敏度的光電導膜及其制備方法
[8160-0195-0028] 半導體器件及其制造方法
[8160-0086-0029] 傾角附加吸收區型超輻射發光管
[8160-0197-0030] 新型半導體器件
[8160-0027-0031] 具有改良的絕緣柵型晶體管的半導體器件
[8160-0218-0032] 電可擦可編程只讀存儲器,有其之存儲器件和集成電路板
[8160-0076-0033] 硅平面工藝中新的磷擴散技術
[8160-0065-0034] 封裝
[8160-0156-0035] 疊層型陶瓷元件的制造方法
[8160-0035-0036] 一種硅膜電容壓力傳感器及其制造方法
[8160-0135-0037] 一種半導體器件及其制造方法
[8160-0182-0038] 處理半導體晶片的方法
[8160-0167-0039] 半導體器件及其形成方法
[8160-0217-0040] 半導體存儲器及其類型的設置方法
[8160-0070-0041] 半導體引線架
[8160-0129-0042] 豎直腔面發射激光器光學互連工藝
[8160-0004-0043] 一種獲得半導體異質結與超晶格材料的方法及設備
[8160-0169-0044] 用于從基板上拆除電子元件的方法和裝置
[8160-0209-0045] 鎵銦砷(gainas)橫向光電晶體管及其集成技術
[8160-0090-0046] △－摻雜量子阱場效應晶體管的制作方法
[8160-0069-0047] 形成觸頭的方法和裝置
[8160-0188-0048] 半導體存儲器的制造方法
[8160-0199-0049] 改性偏鈮酸鉛高溫壓電陶瓷材料及其制備方法
[8160-0115-0050] 難熔金屬覆蓋的低阻值金屬導線和通道
[8160-0202-0051] 一種介質隔離半導體器件及其制造方法
[8160-0009-0052] 低電容大面積半導體光電檢測器及光電檢測系統
[8160-0043-0053] 具有埋入電極的半導體器件
[8160-0214-0054] 半導體器件及其制造方法
[8160-0125-0055] 小電流耐熱性好的電可擦存儲元件
[8160-0161-0056] 半導體存儲器及其制造方法
[8160-0163-0057] 光源及裝配發光二極管的技術
[8160-0154-0058] 表面可安裝的時鐘振蕩器組件以及制造該組件的方法
[8160-0179-0059] 利用二步退火制造pn結的技術
[8160-0061-0060] 一種壓點腐蝕劑及刻蝕工藝
[8160-0089-0061] 可網版印刷的厚膜漿料組合物
[8160-0116-0062] 強磁性金屬薄膜磁敏電阻及其制造工藝
[8160-0031-0063] 半導體元件的電極和具有電極的半導體器件及其制造方法
[8160-0082-0064] 半導體基體材料的制作方法
[8160-0080-0065] 腐蝕多孔硅用的腐蝕液、使用該腐蝕液的腐蝕方法及用該腐蝕液制作半導體基片的...
[8160-0145-0066] 微電子器件就位設置裝置
[8160-0159-0067] 一種獲得低表面分凝硅/鍺硅異質結構的外延生長方法
[8160-0173-0068] 簡單、實用的電器封裝材料
[8160-0136-0069] 1.06μm和10.6μm雙波長增透薄膜器件
[8160-0028-0070] 一種制造半導體的方法
[8160-0092-0071] 熱循環和老化粘合力高的富銀導體組合物
[8160-0058-0072] 半導體部件及其制造方法
[8160-0183-0073] 半導體器件及其制造方法和透明導電薄膜的制造方法
[8160-0105-0074] 一種太陽能電池的制造方法及其太陽能電池
[8160-0113-0075] 互補金屬氧化物半導體集成電路
[8160-0205-0076] 形成微細圖形的方法
[8160-0102-0077] 帶反向ｍｉｓｆｅｔ基片的超導場效應晶體管及其制作方法
[8160-0120-0078] 離子注入局部補償集電區的方法
[8160-0180-0079] 半導體器件的制造方法
[8160-0162-0080] 具有薄膜晶體管的電子器件、矩陣器件、光電顯示器件和半導體存貯器
[8160-0093-0081] 在順序多層基片中集成淀積垂直電阻
[8160-0146-0082] 半導體器件
[8160-0040-0083] 高度集成的半導體存儲器件及其制造方法
[8160-0041-0084] 電力晶體三極管
[8160-0149-0085] 常溫一氧化碳氣體敏感元件的制備方法
[8160-0189-0086] 圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制法
[8160-0023-0087] 用背面曝光和非鏡面反射層光刻形成自對準掩模的方法
[8160-0138-0088] 具有銅-半導體化合物冶金材料的電子器件
[8160-0011-0089] 電氣薄膜元件
[8160-0133-0090] 電路及其制造方法
[8160-0022-0091] 高光電轉換效率的p-n結硅光電二極管
[8160-0095-0092] 激光高溫超導開關
[8160-0210-0093] 離子束致多重精細打印平面微細加工工藝
[8160-0096-0094] 向物體施加力的裝置
[8160-0141-0095] 電子器件的冷卻裝置
[8160-0112-0096] 雙柵襯底極板動態隨機存取存儲器單元陣列
[8160-0198-0097] 套迭式晶體管電極及其制造技術
[8160-0118-0098] 擴散隱埋極板溝槽ｄｒａｍ單元陣列
[8160-0006-0099] 熱電式燃具熄火保護用熱電偶
[8160-0148-0100] 半導體溫差電致冷組件及技術
[8160-0200-0101] 晶體管及其制作方法
[8160-0008-0102] 砷化鎵襯底上的混合并質外延
[8160-0208-0103] 晶體管及其制造方法
[8160-0039-0104] 雙極型和互補金屬氧化物半導體晶體管的集成制造工藝
[8160-0101-0105] 半導體器件及其形成方法
[8160-0037-0106] 半導體器件及其制造方法
[8160-0062-0107] 用于電子電路組件的殼體
[8160-0068-0108] 硅的深槽刻蝕技術
[8160-0108-0109] 金屬氧化物半導體混成靜態感應半導體閘流管
[8160-0213-0110] 高速電路電光采樣分析儀
[8160-0184-0111] 雙膜復合氫敏器件及其制備方法
[8160-0085-0112] 片式陶瓷鋁擴散源
[8160-0098-0113] 一種靜電感應晶閘管的制造方法及其器件
[8160-0021-0114] 集成電路再生供電法
[8160-0049-0115] 一種大功率壓電陶瓷材料
[8160-0124-0116] 自屏蔽半導體器件及其制造方法
[8160-0155-0117] 鍵合在絕緣體上硅的減薄方法
[8160-0111-0118] 具有多晶硅薄膜的半導體器件
[8160-0032-0119] 改進了元件隔離結構及布線結構的半導體器件
[8160-0014-0120] 位層積兼容的輸入/輸出電路
[8160-0016-0121] 含有基座的半導體器件及其制造方法
[8160-0012-0122] 陶瓷高溫超導零件連接法
[8160-0038-0123] 一種制造半導體元件的方法和由此方法制成的太陽能電池
[8160-0177-0124] 激光加工方法
[8160-0215-0125] 用于電子元件制造框架的預處理方法和設備
[8160-0030-0126] 含靜電電容元件的半導體裝置及其制造方法
[8160-0088-0127] 用于光電應用的均勻集聚太陽光通量的方法和裝置
[8160-0204-0128] 功率v型場效應管及其制造方法
[8160-0194-0129] 鈦酸鉍鐵電薄膜的制備方法
[8160-0055-0130] 一種雙向晶閘管的燒結工藝
[8160-0013-0131] 一種電源裝置
[8160-0029-0132] 發光半導體器件及其制造這種半導體器件的方法
[8160-0201-0133] 一種擊穿電壓高的薄有源層半導體器件
[8160-0087-0134] 制造半導體器件的方法
[8160-0212-0135] 四極可關斷晶閘管
[8160-0121-0136] 可見光致發光的硅量子點制備方法
[8160-0110-0137] 類金剛石薄膜作光學增透膜的新應用
[8160-0050-0138] 直流驅動型超導量子干涉儀元件及其制造方法
[8160-0206-0139] 表面粘著式二極體的制造方法
[8160-0054-0140] 一種光控雙向晶閘管的設計
[8160-0015-0141] 電分色紅外接收器件
[8160-0175-0142] 半導體器件及其制造方法
[8160-0045-0143] 金屬薄膜形成方法
[8160-0074-0144] 日輻射發電
[8160-0002-0145] 半導體器件及其制造方法
[8160-0003-0146] 液相外延等電子摻雜工藝
[8160-0153-0147] 半導體存貯器的老化使能電路及相應的老化測試方法
[8160-0152-0148] 改善效率的壓電體驅動器系統
[8160-0067-0149] 銦鎵砷光電探測器
[8160-0100-0150] 半導體基體材料的制作方法
[8160-0143-0151] 無觸點有源可調電阻
[8160-0059-0152] 一種半導體器件靜電放電特性的改進方法
[8160-0131-0153] 專用集成電路樣機
[8160-0053-0154] 整流二極管的制造方法
[8160-0142-0155] 具有電路化表面和保持涂層的晶片載體
[8160-0007-0156] 一種提高晶體管性能的方法
[8160-0066-0157] 銦鎵砷光電探測器
[8160-0010-0158] 硅器件芯片背面銀系濺射金屬化
[8160-0192-0159] 電子電路
[8160-0174-0160] 厚膜電路的基片及其制造方法
[8160-0057-0161] 具有對準標記的半導體器件的制造方法
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[8160-0128-0163] 發光二極管顯示組件
[8160-0073-0164] 一種半導體器件的制造方法及其制得的器件
[8160-0109-0165] 電容熱電器件
[8160-0134-0166] 薄膜晶體管和有源矩陣液晶顯示器件
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[8160-0160-0168] 光生伏打電池
[8160-0026-0169] 一種開管鋁鎵擴散工藝
[8160-0034-0170] 具有識別電路的半導體集成電路芯片
[8160-0114-0171] 用pvd和cvd法形成難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線與通路
[8160-0122-0172] 發光線及其制造方法
[8160-0157-0173] 一種具有雙負阻特性的負阻器件
[8160-0119-0174] 用于擴散法制圖的方法及組合物
[8160-0052-0175] 電子電路的散熱裝置
[8160-0168-0176] 一種硅雙面太陽電池
[8160-0018-0177] 電荷耦合器件
[8160-0147-0178] 圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制法
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[8160-0166-0183] 化學汽相沉積過飽和稀土摻雜的半導體層
[8160-0140-0184] 半導體器件以及形成該器件的方法
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[8160-0072-0189] 一種高壓晶閘管制造方法及裝置
[8160-0094-0190] 擴散法制作電路圖案的方法和組合物
[8160-0001-0191] 一種半導體硅表面清洗方法
[8160-0106-0192] 半導體裝置
[8160-0071-0193] 鈉燈電子觸發器及雙向二極硅閘流管
[8160-0137-0194] 半導體器件的散熱器裝配系統
[8160-0170-0195] 去除硅中的雜質及提高其少數載流子壽命的方法
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