半導體,半導體集成電路器件,半導體存儲,制造半導體器件最新技術匯編(168元/全套)
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[8175-0116-0001] 帶保護電路的半導體器件
[摘要] 一種帶有保護電路的引線在芯片上（ｌｏｃ）的或是芯片在引線上（ｃｏｌ）的半導體器件。將非接線端制作得比接線端短，以降低非接線端的電感，或為非接線端與接線端的保護電路取得互不相同的保護能力。將非接線端保護電路的時間常數制作得比接線端保護電路的長。還使接線端的箝位能力比鄰近接線端的另一接線端的強。
[8175-0169-0002] 用于多芯片封裝的引線框及其制造方法
[摘要] 多芯片封裝ｍｃｐ的引線框，包括：在其上部分或完全形成第一鍍層的引線框；用于安裝多個芯片的印刷電路板ｐｃｂ，具有形成的第二鍍層的結合部分；和在第一鍍層和第二鍍層之間插入的兩者的低共熔點結合層。因此不出現ｐｃｂ的受熱變形。結合層的結合力強，制造方法簡單，而且可防止ｐｃｂ表面被焊料污染。此外，在完成ｍｃｐ后，不必擔心封裝外的外部引線腐蝕，不需要為防止腐蝕及為粘附ｍｃｐ至主ｐｃｂ上的額外的焊接和鍍敷步驟，簡化了制造方法。
[8175-0010-0003] 表面微機械的多次局部氧化
多locos（局部氧化）工藝加工襯底表面，以形成彼此垂直隔離的一系列平面區。一個例示墓ひ瘴看蜭ocos操作形成一個硬掩模。另一例示工藝包括形成氮化硅掩模層，并重復改變掩模層的圖形。圖形的每次改變對應于要形成的一個平面區；每次改變后，在穿過掩模層的開口中生長氧化物。氧化物的生長消耗部分襯底，提供對應于該圖形的平面級與下一較高平面級間的垂直距離。由掩模圖形暴露的襯底區可以保持暴露，以便隨后的locos操作保持先前建立的兩級間的距離。硬掩模層可以包括多晶硅層，用于保護氮化硅層不在重復的locos操作中變成氧化物。
[8175-0151-0004] 電子部件和半導體裝置、其制造方法和裝配方法、電路基板與電子設備
[摘要] 本發明涉及封裝尺寸接近芯片尺寸并具有應力吸收層，可以省去制成圖形的撓性基板，而且，能同時制造多個部件的半導體裝置。具有在圓片（１０）上形成電極（１２）的工序、避開電極（１２）在圓片（１０）上設置作為應力緩沖層的樹脂層（１４）的工序、從電極（１２）直到樹脂層（１４）的上邊形成作為布線的鉻層（１６）的工序、在樹脂層（１４）的上方在鉻層（１６）上形成作為外部電極的焊料球的工序、以及將圓片（１０）切斷成各個半導體芯片的工序，在鉻層（１６）和焊料球的形成工序中，應用圓片工藝過程中的金屬薄膜形成技術。
[8175-0006-0005] 熱電元件及其制造方法
[摘要] 通過絕緣層（50）有規則地配置或者固定由n型熱電半導體構成的多個n型棒狀元件（51）和由p型熱電半導體構成的多個p型棒狀元件（52）制成熱電元件塊（53）。在成為熱電元件塊（53）的配線端面的上面（53a)、下面（53b）上用配線用導電體（58a)連接n型棒狀元件（51）和p型棒狀元件（52）的端部，形成多個串聯連接的熱電偶。另外，在成為熱電元件塊（53）的配線端面的上面（53a）和下面（53b）以外的側面（53c）上，形成與位于被串聯連接的n型以及p型棒狀元件（51，52）的至少一端和另一端的棒狀元件（51a、52a）連接的一對端子用導電體（58b、58b），在端子用導電體（58b、58b）上連接導線。
[8175-0029-0006] 減少了襯底缺陷的cmos集成電路
[摘要] 一種用來在制造過程中減少硅襯底中硅缺陷形成的互補金屬氧化物（ｃｍｏｓ）集成電路。硅缺陷以間隙原子的形式形成于硅襯底中。該ｃｍｏｓ集成電路包括形成在硅襯底內的深注入區。還包括至少一個形成在硅襯底中的垂直溝槽。這樣形成的溝槽，使得至少部分溝槽穿透到硅襯底的深注入區，以在深注入區中形成垂直表面，由此使硅間隙原子在垂直表面復合。
[8175-0047-0007] 熱電元件的制造方法
[摘要] 本發明是制造熱電元件的方法，該方法如下，分別留下厚度方向的一部分，按照相同的間隔制作平行地形成了多個槽（１６、２６）的n型熱電半導體的開槽塊(１１）以及p型熱電半導體的開槽塊（２１），使該n型和p型熱電半導體的開槽塊（１１、２１）相互嵌套，在其嵌套部分的縫隙中充填具有粘接性的絕緣材料進行粘合，形成一體化塊（３）。除去該一體化塊（３）中的n型和p型熱電半導體相互嵌套著的嵌套部分以外的部分，使得n型以及p型熱電半導體單元露出來，形成把該各熱電半導體單元相互串聯連接的電極。進而，在該上述一體化塊（３）上，留下厚度方向的一部分，沿著與上述槽（１６、２６）的方向相交叉的方向上進行多個槽加工，在該槽加工部分中充填絕緣材料并使其固化以后，最好進行使上述半導體單元露出來的工藝和形成電極的工藝。
[8175-0155-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 結型場效應晶體管與雙極型晶體管連接起來的復合型雙極型晶體管器件，可保證良好和穩定的特性而不會導致結型場效應晶體管中較大的面積。雙極型晶體管的收集極和結型場效應晶體管的源極連接起來，結型場效應晶體管的柵區、柵極接觸導電層和用于漏區的漏極接觸導電層由用相同的導電材料或互不相同的材料形成為各自不同的層的導電層形成，柵極接觸導電層的漏極一側的邊緣部分的配置表面位于在漏極接觸導電層的柵極一側的邊緣部分的配置表面之下。
[8175-0104-0009] 在集成電路上形成電可熔斷熔絲的制造方法
[摘要] 在半導體襯底上制造電可熔斷熔絲的方法，包括在半導體襯底上形成熔絲部分。熔絲部分構成在超過預定電流流過熔絲部分時能變為不導電。還包括在熔絲部分上淀積保形的第一介質材料層和在第一層上淀積第二介質材料層，以在熔絲部分上形成介質材料的凸出部分。還包括對凸出部分上進行化學機械拋光，以在凸出部分上形成穿過第二層的開口。還包括通過開口以各向同性方式腐蝕部分第一層，在熔絲部分形成微腔。還包括在第二層上淀積保形的第三介質材料層６０６，以封閉第二層中的開口。
[8175-0093-0010] 自對準漏接觸p溝mos快速存儲器及其制造工藝
[摘要] 本發明提出的工藝和結構減少了用來分隔多晶硅柵與漏接觸的介電質的數量，從而減小了單個存儲器單元的尺寸，提高了存儲器陣列的密度。在源和漏制作、自對準漏接觸掩模和腐蝕之前，在多晶硅柵的頂部和側壁上制作氮化硅，使制作漏接觸到漏區的窗口的后續氧化物腐蝕在掩模不對準的情況下不至于清除多晶硅。因此，在出現掩模不對準時為了在制作漏接觸窗口過程中保護多晶硅柵所必需的多晶硅柵與漏接觸之間的額外的氧化物就不再需要，從而獲得了密度更高的存儲器陣列。
[8175-0069-0011] 具有壓力補償接觸板的功率半導體器件
[8175-0145-0012] 用于制造具有大的高寬比結構的方法
[8175-0133-0013] 非易失性半導體存儲器
[8175-0011-0014] 用于半導體器件或液晶器件生產過程的清潔劑
[8175-0102-0015] 熱可靠性能改善的半導體裝置
[8175-0205-0016] 利用相變來制造半導體器件的方法
[8175-0013-0017] 耿氏二極管、非輻射性介質波導耿氏振蕩器及其制造方法和其安裝結構
[8175-0213-0018] 有源矩陣顯示器及其制造方法
[8175-0045-0019] 雙鑲嵌結構
[8175-0032-0020] 具有以亞模塊方式集成的冷卻器的功率半導體模塊
[8175-0092-0021] 槽形柵靜電感應器件
[8175-0183-0022] 使用導電針用于光掩模的抗靜電方法
[8175-0189-0023] 驅動圖像傳感器的方法
[8175-0009-0024] 凸點的形成方法和半導體裝置
[8175-0054-0025] 減少不需要電流的半導體集成電路
[8175-0033-0026] 高頻集成電路裝置及其制造方法
[8175-0154-0027] 發光二極管無導柱封膠成型工藝
[8175-0218-0028] 多芯片模塊
[8175-0081-0029] 大規模集成半導體存儲器和制造該半導體存儲器的方法
[8175-0164-0030] 半導體器件的制造方法
[8175-0027-0031] 有高介電常數的電介質和厚電極的電容器及其制造方法
[8175-0002-0032] 具有改進栓塞電導率的層疊電容器
[8175-0177-0033] 雙極型靜態感應晶體管的制造方法
[8175-0094-0034] 包括存儲器件的半導體集成電路器件
[8175-0129-0035] 保護性陶瓷材料的應用
[8175-0132-0036] 驅動固態圖像傳感器的方法
[8175-0124-0037] 半導體器件的制造工藝
[8175-0146-0038] 在半導體器件中形成接觸塞的方法
[8175-0082-0039] 半導體器件及其制造方法
[8175-0056-0040] 半導體器件及其制造方法
[8175-0084-0041] 芯片封裝裝置
[8175-0209-0042] 集成半導體電路
[8175-0049-0043] 電子功率模塊和包括多個所述模塊的電子功率系統
[8175-0044-0044] 預備帶電粒子束繪圖數據的方法以及記錄其程序的記錄介質
[8175-0113-0045] 半導體器件
[8175-0128-0046] 采用微摻雜漏極結構的半導體器件及其制備方法
[8175-0141-0047] 半導體器件及其制造方法
[8175-0106-0048] 瓶狀槽的形成
[8175-0207-0049] 電子器件及其制造方法
[8175-0057-0050] 半導體器件的制造方法
[8175-0023-0051] 用于半導體加工設備的形狀記憶合金頂升桿
[8175-0176-0052] 制作半導體器件的方法
[8175-0099-0053] 半導體器件及其制造方法
[8175-0191-0054] 帶有槽隔離結構的場效應晶體管及其制造方法
[8175-0061-0055] 生成加氟絕緣薄膜的方法
[8175-0179-0056] 高速變深度刻蝕方法及其裝置
[8175-0197-0057] 散熱板引入樹脂模制的半導體封裝及其制造方法
[8175-0038-0058] 將低劑量離子植入基質的方法
[8175-0079-0059] 波長變換澆注材料、它的應用及其制造方法
[8175-0168-0060] 含有多個存儲體的半導體存儲裝置
[8175-0005-0061] 熱電裝置
[8175-0172-0062] 動態隨機存取存儲器結構及其制造方法
[8175-0115-0063] 組合基片只讀存儲器及其制造方法
[8175-0012-0064] 在玻璃襯底上形成結晶半導體薄膜
[8175-0107-0065] 高可靠性的槽式電容器型存儲器單元
[8175-0098-0066] 球格陣列集成電路元件的印刷電路基板承載盤
[8175-0215-0067] 增進多晶硅電阻穩定性的結構及其方法
[8175-0139-0068] 半導體器件
[8175-0210-0069] 斜屋頂用光電裝置
[8175-0153-0070] 半導體光發射器件
[8175-0170-0071] 具有交替的長焊盤和短焊盤的半導體器件
[8175-0062-0072] 用流體分離組合元件的方法和裝置
[8175-0171-0073] 半導體器件的制造方法
[8175-0216-0074] 改進的激光熔絲連接及其制造方法
[8175-0190-0075] 光電元件及其制備方法
[8175-0051-0076] mis半導體器件及其制造方法
[8175-0037-0077] ic安裝結構、液晶器件和電子裝置
[8175-0131-0078] 雙向功率半導體元件
[8175-0007-0079] 有機材料制備的場致發光裝置
[8175-0110-0080] 有機電致發光器件及其制備方法
[8175-0076-0081] 結構形成方法
[8175-0064-0082] cmos裝置
[8175-0111-0083] 太陽能電池組件和用于太陽能電池組件的加強構件
[8175-0182-0084] 半導體晶片的濕法處理裝置
[8175-0025-0085] 半導體器件及其生產方法
[8175-0118-0086] 半導體基板和層疊的半導體封裝及其制作方法
[8175-0066-0087] 半導體裝置及其制造方法
[8175-0075-0088] 結構化方法
[8175-0175-0089] 卷帶自動焊接球陣式集成電路封裝方法
[8175-0152-0090] 介電陶瓷組合物及使用該組合物的疊層陶瓷電容器
[8175-0059-0091] 半導體內阻擋層的制造方法和有這種阻擋層的半導體元件
[8175-0068-0092] 半導體裝置及半導體裝置的引線框架
[8175-0201-0093] 半導體器件的制造方法,沖壓模具,導軌
[8175-0071-0094] 存儲器單元的布局圖
[8175-0091-0095] mos－技術中的數字開關電路
[8175-0127-0096] 熱電組件的制造及制造過程中所使用的焊料
[8175-0083-0097] 利用復合氧化膜的槽式隔離法
[8175-0212-0098] led裝置
[8175-0034-0099] 用于機動車的傳感器安裝結構
[8175-0036-0100] 集成電路及其制造方法
[8175-0028-0101] 具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件
[8175-0052-0102] 固態成象器件及其驅動方法
[8175-0149-0103] 可分斷式連接橋(斷路器)和可連接式線路中斷器(連通器),以及用于制造與啟...
[8175-0180-0104] 基片處理裝置,基片支承裝置,基片處理方法和基片制造方法
[8175-0203-0105] 用于大直徑晶片的空間均勻的氣體供給源和泵結構
[8175-0120-0106] 使用水蒸氣中和離子束的系統和方法
[8175-0166-0107] 生產薄膜的方法及實施該方法的裝置
[8175-0163-0108] 卷帶自動焊接球陣式集成電路封裝方法
[8175-0017-0109] 半導體集成電路器件的制造工藝和半導體集成電路器件
[8175-0031-0110] 多層安裝襯底上的表面安裝式半導體封裝
[8175-0043-0111] 用犧牲可流動氧化物雙嵌埋形成多共面金屬/絕緣膜的方法
[8175-0008-0112] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8175-0119-0113] 制作半導體存貯器件的電容器下電極的方法
[8175-0181-0114] 對準方法
[8175-0147-0115] 防止器件出現化學機械拋光誘發缺陷的方法
[8175-0085-0116] 光刻膠噴涂的裝置及其方法
[8175-0001-0117] 形成多個不同深度接觸窗的方法
[8175-0018-0118] 一種集成電路測試插座
[8175-0105-0119] 等離子體處理方法及設備
[8175-0217-0120] 多芯片模塊
[8175-0022-0121] 安全半導體器件
[8175-0160-0122] 動態隨機存取存儲器單元電容器及其制造方法
[8175-0144-0123] 一種半導體器件及其生產方法
[8175-0078-0124] 立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
[8175-0135-0125] 存儲單元及備有該存儲單元的非易失性半導體存儲器
[8175-0021-0126] ⅲ－ⅴ/ⅱ－ⅵ族半導體界面的制備方法
[8175-0024-0127] 用單個掩模形成互補阱和自對準槽的方法
[8175-0137-0128] 通過具不同擊穿電壓的場效應晶體管釋放電流的保護電路
[8175-0174-0129] 半導體裝置及其制造方法
[8175-0003-0130] 成膜設備和形成結晶硅薄膜的方法
[8175-0125-0131] 半導體器件的制造方法
[8175-0200-0132] 帶難熔金屬襯里的銅栓結構
[8175-0121-0133] 用于光刻法的孔裝置及其制造方法
[8175-0214-0134] 壓電致動器、紅外線傳感器和壓電光偏轉器
[8175-0080-0135] 光檢測器用的有機發光涂層
[8175-0187-0136] 臨界溫度典型值為95k的釹鋇銅氧高溫超導外延薄膜
[8175-0077-0137] 光刻膠的顯影工藝
[8175-0126-0138] 曝光圖形掩模及其制造方法
[8175-0100-0139] 球柵陣列半導體封裝
[8175-0178-0140] 半導體裝置的制造方法
[8175-0103-0141] 電荷存儲結構的制造方法
[8175-0196-0142] 半導體器件
[8175-0136-0143] 有動態自放大存儲單元的dram單元裝置及其制造方法
[8175-0184-0144] 磁性元件和使用這種磁性元件的磁頭和磁存儲器
[8175-0198-0145] 光檢測器
[8175-0186-0146] 利用巨磁阻效應的磁傳感器
[8175-0019-0147] 拋光裝置
[8175-0087-0148] 立方氮化硼單晶-金剛石薄膜異質p-n結的制備方法
[8175-0148-0149] 一種用于表面工藝多晶硅結構釋放的工藝
[8175-0173-0150] 結構形成方法
[8175-0188-0151] 氮化鎵系ⅲ-ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
[8175-0015-0152] 半導體裝置
[8175-0101-0153] 具有傾斜設置的端子的功能塊的半導體器件
[8175-0086-0154] 制造半導體器件的清洗組合物和用其制備該器件的方法
[8175-0167-0155] 半導體器件及其制造方法
[8175-0193-0156] 半導體裝置
[8175-0097-0157] 搭載有dram的半導體集成電路
[8175-0130-0158] 一種半導體器件及其生產方法
[8175-0208-0159] 半導體襯底的處理方法和半導體襯底
[8175-0040-0160] 腐蝕工藝中減少裝載變化的方法
[8175-0202-0161] 晶體管的制造方法
[8175-0109-0162] 三維只讀存儲器
[8175-0089-0163] 半導體裝置及其制造方法
[8175-0090-0164] 半導體芯片的小型化
[8175-0074-0165] 半導體器件的制造方法和制造設備
[8175-0112-0166] 帶有阻性耦合浮柵的鐵電存儲晶體管
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[8175-0114-0169] 半導體集成電路及其制造方法
[8175-0165-0170] 半導體裝置及其制造方法
[8175-0063-0171] 光電池太陽能屋面
[8175-0060-0172] 半導體或絕緣材料層的機械-化學新拋光方法
[8175-0142-0173] 半導體器件制造方法
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[8175-0108-0175] 使半導體圓片的芯片成品率達到最大的方法
[8175-0058-0176] 半導體器件的制造方法
[8175-0185-0177] 隧道結結構及其制造方法和磁敏傳感器
[8175-0070-0178] 半導體裝置和用于半導體裝置的布線帶
[8175-0206-0179] 用于減少柵極結構中摻雜劑向外擴散的方法和裝置
[8175-0199-0180] 半導體裝置及其制造方法
[8175-0123-0181] 半導體器件的生產方法
[8175-0055-0182] 集成電路組件和半導體元件
[8175-0158-0183] 卷帶自動焊接球陣式集成電路封裝方法
[8175-0122-0184] 半導體襯底的對準掩模及其制造方法
[8175-0157-0185] 半導體器件及其制造方法
[8175-0004-0186] 聚合物發光二極管
[8175-0041-0187] 用可原位探測晶片背面顆粒的導軌加工晶片的方法和設備
[8175-0194-0188] 減小器件制備中的氧化應力
[8175-0192-0189] 電荷耦合器件型固態攝象器件
[8175-0138-0190] 樹脂密封半導體器件及該器件的制造方法
[8175-0140-0191] 具有高輻射特性的半導體器件及其制造方法
[8175-0030-0192] 半導體存儲器
[8175-0048-0193] 高功率微波混合集成電路
[8175-0117-0194] 用于半導體存儲器元件的熔絲裝置
[8175-0020-0195] 半導體元件、及其驅動方法和驅動裝置
[8175-0095-0196] 非易失性半導體存儲裝置及其生產方法
[8175-0026-0197] 傳感器系統和制造方法以及自測方法
[8175-0134-0198] 非易失性半導體存儲器
[8175-0204-0199] 基片清洗方法及裝置
[8175-0035-0200] 劈柵閃速存儲單元的制造方法
[8175-0195-0201] 用于晶片上金屬熔絲段線性排列的方法
[8175-0161-0202] 能改善平面化的半導體器件的制造方法
[8175-0150-0203] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子設備
[8175-0016-0204] 半導體器件的制造方法
[8175-0014-0205] 具有彎曲柵電極的半導體器件及其制造工藝
[8175-0073-0206] 半導體器件及其制作方法
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