半導體,半導體存儲,半導體封裝,半導體制造類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8113-0175-0001] 壓入密封型電子部件及其制造方法
[摘要] 一種壓入密封型電子部件及其制造方法，所述壓入密封型電子部件的特征在于：具有電子部件(10)、設置了電子部件(10)的塞子部(20)和通過壓入塞子部(20)而被密封的罐部(30)，塞子(20)和罐部(30)通過不含有錫的合金層(21、32)密接。本發明的密封型電子部件的制造方法，其特征在于具有：由銅鎳鋅合金材料形成塞子部(20)和罐部(30)的工序，在其上鍍敷錫-銅鍍敷材料(40)的工序，通過加熱處理在上述銅鎳鋅合金材料和錫-銅鍍敷材料(40)的界面上形成銅-鋅合金層(21、32)的工序，除去錫-銅鍍敷材料，露出銅-鋅合金層(21、32)的工序，通過該露出的銅-鋅合金層(21、32)密接塞子部(20)和罐部(30)，進行壓入密封的工序。根據本發明，防止產生晶須并且保證密封罐和塞子部的氣密性。
[8113-0095-0002] 陶瓷封裝密封結構、具有所述密封結構的陶瓷封裝及所述陶瓷封裝的制造方法
[摘要] 本發明提供一種陶瓷封裝、具有這種密封結構的陶瓷封裝及其制造方法。在陶瓷封裝中，由多個疊置的陶瓷片制成并且在中央部分中具有腔體的壁層疊置在由多個疊置的陶瓷片制成的基底層的頂部上。金屬層涂覆在腔體周圍的壁層上，以露出壁層外周邊部分。玻璃層涂覆在沒有被金屬層覆蓋的壁層的外周邊部分，以與金屬層接觸。蓋附著到金屬層上以密封腔體。玻璃層涂覆在附著在腔體周圍的陶瓷壁上的金屬層周圍，以提高金屬層和下面陶瓷壁層之間的粘結力，由此可以防止在金屬層和下面的陶瓷壁層之間產生裂縫。
[8113-0136-0003] 壓電器件及其制造方法
本發明涉及壓電器件，它有一個由多個重疊的壓電層(2)和位于壓電層之間的電極層(3a，3b)構成的疊層體(1)，其中，這些電極層(3a，3b)在該疊層體(1)內具有一個中央部(4)以及一個以該疊層體(1)的垂直邊緣區(5)的內側為界的端部(6)，這些電極層(3a，3b)的所述端部(6)被第一壓電材料(7)包圍住，第一壓電材料的相對伸長小于第二壓電材料(9)的相對伸長，第二壓電材料布置在一個在相鄰的電極層(3a，3b)之間的中央區(8)內。本發明還涉及壓電器件的制造方法。本發明的器件的優點是減小了在內電極端部附近的機械負荷并由此延長了器件的使用壽命。
[8113-0114-0004] 太陽電池裝置及其制造方法以及電子設備
[摘要] 本發明提供一種發電效率高的太陽電池裝置。在基板(52)上形成多個根據入射的光而進行發電的發電元件(53)。每個⒌繚?53)上具有設置在上述光的輸入側，且聚光上述光，以導入發電元件(53)的透鏡部(54)。
[8113-0020-0005] 適用于快閃的字節操作的非易失存儲技術
[摘要] 本發明提供一種非易失性存儲單元結構，適合于快閃存儲單元和eeprom單元(電擦除可編程只讀存儲單元)，以執行字節編程和字節擦除操作。在編程操作中，一個較高負電壓施加到漏極區，這樣，產生熱空穴，以減少經過橫向電場內隧道氧化層進入浮動柵極的熱電子。另外，柵極電壓約為閾值電壓，它依賴于集成電路裝置設計。此外，非易失性存儲單元利用溝通fowler-nordheim隧道效應進行擦除操作。為了執行字節擦除操作，將漏極結用作一個禁止開關。這樣，通過將漏極偏置到接地，禁止相同字線上未選單元。因此，未選單元的字線接地。
[8113-0085-0006] 一種一體化接收頭的塑模制造方法及其復合塑料模粒
[摘要] 一種一體化接收頭的塑模制造方法，包括原料加熱、灌封、插腳、固化、脫模，其工藝步驟如下：1.將環氧樹脂加熱成液態，2.將液態環氧樹脂倒入塑模模具中灌封，3.將信號引腳插入塑模模具中并予固定，4.將步驟c所得塑模模具烘烤至環氧樹脂固化，5.脫模。本發明的塑模灌封開模造價經濟，新外形開發時間較短，一般為7-10天，塑模灌封的原料為環氧樹脂，極易采購，室溫儲藏；封裝機械造價低，為：灌封機：4000元/臺，一臺已足夠6000組模粒使用；遠紅外線烘爐配備10臺，價格1200元/臺；微波爐一臺，價格300元左右。
[8113-0165-0007] 將粘性帶貼附到半導體晶片背面上的方法和設備
[摘要] 在一種用于在加工半導體晶片背面的工序之后將粘性帶貼附到半導體晶片背面上的方法中，將半導體晶片保持成其上形成有圖案的面朝上的狀態，并將粘性帶從下方貼附到半導體晶片的背面上。
[8113-0031-0008] 染料敏化太陽能電池及其電池組
[摘要] 一種染料敏化太陽能電池包括：一第一電極，其包括一透明導電基片及一形成于該透明導電基片、載有染料分子的薄膜；一第二電極；及一位于第一及第二電極之間的電解液；其中，該染料敏化太陽能電池進一步包括一具金屬導光層的光導向裝置，該光導向裝置靠近所述的第一電極，以使得該染料敏化太陽能電池工作時，至少部分光線通過所述的光導向裝置轉向后進入所述的第一電極。本發明還提供一種以上述染料敏化太陽能電池為電池單元組成的電池組。本發明在染料敏化太陽能電池及其電池組加入光導向裝置，解決現有的染料敏化太陽能電池無法層疊使用的問題。
[8113-0111-0009] 存儲器混裝半導體裝置及其制造方法
[摘要] 提供一種存儲器混裝半導體裝置，在共同的半導體襯?1)上設置包括存儲器晶體管的存儲器部(rdram)和包括邏輯晶體管的邏輯部(rlogc)。邏輯晶體管包括在半導體襯底上設置的柵電極(11)和在半導體襯底內形成的源/漏擴散層(17)，在該源/漏擴散層(17)上形成硅化物膜(12)。另一方面，存儲器晶體管包括在半導體襯底上設置的柵電極(21)和在半導體襯底內形成的源/漏擴散層(27)。在此源/漏擴散層(27)上形成比在邏輯晶體管的源/漏擴散層(17)上形成的硅化物膜(12)膜厚還要薄的硅化物膜(22)。由此，在維持邏輯晶體管的性能的同時，可以降低存儲器晶體管的泄漏以及使動作高速化。
[8113-0087-0010] 用于ic芯片封裝的精密定位裝置
[摘要] 本發明涉及兩維驅動系統的高速高精度定位平臺。用于ic芯片封裝的精密定位裝置，x向與y向直線音圈電機均固定安裝于基座，由x向與y向兩個直線音圈電機各自驅動的x、y定位工作臺運動的合成，確定其焊頭在x-y平面上的位置，同時與直線音圈電機驅動的焊頭在z方向上運動的結合，實現焊頭的三自由度運動，完成定位和焊接任務。y向定位工作臺和y向驅動電機間由無間隙解耦機構連接，不但使機構具有傳統xy定位工作臺運動學解耦的特點，而且x、y定位工作臺采用直線光柵尺作為末端位置反饋元件，保證系統實現高速高精度運動。本發明除適用于ic芯片封裝外還可用于mems器件的微連接和微組裝。
[8113-0174-0011] 用于封裝半導體的玻璃及玻璃管
[8113-0086-0012] 搭接方法及其搭接裝置
[8113-0126-0013] 用低能量等離子體增強化學氣相沉積法形成高遷移率硅鍺結構
[8113-0129-0014] 用于鍵合并轉移一種材料以形成半導體器件的方法
[8113-0121-0015] 半導體發光元件
[8113-0144-0016] 半導體制造裝置
[8113-0075-0017] 化學機械拋光墊
[8113-0048-0018] 半導體集成電路器件的制造方法
[8113-0077-0019] 制造閃存裝置的方法
[8113-0208-0020] 導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
[8113-0041-0021] 熱電換能模塊
[8113-0038-0022] 半導體發光元件
[8113-0108-0023] 制造半導體器件的方法
[8113-0125-0024] 基板檢查裝置、涂敷?顯影裝置和基板檢查方法
[8113-0139-0025] 反應室處理的方法
[8113-0099-0026] 半導體器件
[8113-0205-0027] 發光二極管的制造方法及其結構
[8113-0049-0028] 等離子體反應用氣體、其制備方法和應用
[8113-0017-0029] 半導體集成電路器件
[8113-0173-0030] 氮化物只讀存儲器的制造方法
[8113-0094-0031] 分離柵極型非易失性存儲器的制造方法
[8113-0105-0032] 靜電破壞保護裝置
[8113-0193-0033] 固體攝像裝置及其制造方法
[8113-0090-0034] 半導體器件的制造方法
[8113-0113-0035] 局部長度氮化物sonos器件及其制造方法
[8113-0171-0036] 制造在互連孔的下部側壁處具有斜面的半導體器件的方法
[8113-0214-0037] 在半導體襯底上制作集成半導體元件的方法
[8113-0078-0038] 填充間隙的方法與淺溝渠隔離結構的制造方法
[8113-0143-0039] 準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
[8113-0080-0040] 形成氮氧化硅的方法
[8113-0025-0041] 具有熱防護功能的晶體管結構
[8113-0148-0042] 半導體元件的閘極結構的制造方法
[8113-0015-0043] 半導體器件和顯示器件
[8113-0010-0044] 具有多個倒裝芯片的多芯片封裝及其制造方法
[8113-0180-0045] 半導體裝置的修理熔絲盒
[8113-0097-0046] 半導體器件及其制造方法
[8113-0176-0047] 晶片封裝結構及其基板
[8113-0112-0048] 包括突然金屬-絕緣體相變器件的電流跳變控制電路
[8113-0132-0049] 掃描顯示器
[8113-0018-0050] 半導體器件及其制造方法
[8113-0134-0051] 非易失半導體存儲單元及制造方法
[8113-0182-0052] 半導體設備的電容器和使用同樣電容器的存儲器設備
[8113-0155-0053] 旋涂玻璃組合物和在半導體制造工序中使用該旋涂玻璃形成氧化硅層的方法
[8113-0008-0054] 靜電放電保護電路
[8113-0216-0055] 基座、氣相生長裝置、外延晶片的制造裝置、外延晶片的制造方法和外延晶片
[8113-0088-0056] 半導體裝置的制造方法
[8113-0188-0057] 金屬硅化物層設于源、漏區域上及柵極上的半導體器件及其制造方法
[8113-0063-0058] 具有載流子傳輸性能的聚合物材料以及使用該材料的有機薄膜元件、電子器件和導...
[8113-0035-0059] 具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發光二極管及固態白光器件
[8113-0021-0060] 半導體器件以及制造該器件的方法
[8113-0065-0061] 處理裝置及方法
[8113-0146-0062] 提高cosi2薄膜熱穩定性的方法
[8113-0203-0063] 提高氮化鎵光導型紫外光電探測器響應度方法及探測器
[8113-0069-0064] 半導體器件及其制造方法
[8113-0023-0065] 高遷移率異質結互補場效應晶體管及其方法
[8113-0059-0066] 半導體存儲裝置及其制造方法
[8113-0164-0067] 晶片基座
[8113-0145-0068] 多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的顯示器件
[8113-0044-0069] 具有改進微型結構的層狀超晶格材料的制造方法
[8113-0052-0070] 倒裝芯片結合器及其方法
[8113-0194-0071] 固體攝像器件及其控制方法
[8113-0055-0072] 芯片模塊
[8113-0076-0073] 用以避免條紋現象的蝕刻方法
[8113-0117-0074] 高效節能照明發光管
[8113-0066-0075] 制備大面積、高度有序納米硅量子點陣列的方法
[8113-0202-0076] 碲鎘汞紅外雙色焦平面探測器列陣芯片
[8113-0019-0077] 交差點型強電介質存儲器
[8113-0024-0078] 多指狀晶體管
[8113-0012-0079] 半導體芯片
[8113-0039-0080] 發光元件收納用封裝、發光裝置以及照明裝置
[8113-0141-0081] 用于修正卷到卷工藝中薄片變形的方法和系統
[8113-0167-0082] 在半導體裝置中形成金屬線的方法
[8113-0073-0083] 形成接觸孔的改進方法
[8113-0201-0084] 太陽能電池組件及其制造方法
[8113-0037-0085] 電極結構以及具有該電極結構的半導體發光器件
[8113-0034-0086] 發光二極管高效能散熱的支持裝置
[8113-0107-0087] 半導體集成電路
[8113-0123-0088] 化學反應器模板:犧牲層的制備和模板的應用
[8113-0137-0089] 化合物半導體疊層構造體、霍爾元件和霍爾元件的制造方法
[8113-0100-0090] 引線框及使用該引線框制造半導體封裝的方法
[8113-0200-0091] 一種新型的有機太陽能電池結構及其制備方法
[8113-0046-0092] 制造電容器之方法
[8113-0009-0093] 可編程電阻器元件及其形成方法與程序化方法
[8113-0169-0094] 在半導體器件中形成金屬線的方法
[8113-0092-0095] 半導體集成電路及其設計方法
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[8113-0150-0106] 晶片加工方法
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