半導體,半導體裝置,半導體封裝,半導體安裝最新技術匯編(168元/全套)
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[8140-0218-0001] 薄膜晶體管陣列面板
[摘要] 本發明提供一種薄膜晶體管陣列面板，其包括：絕緣襯底；在襯底上形成的柵線；在襯底上形成的多個存儲導體，每個存儲導體包括多個分支；在柵線和存儲導體上形成的柵絕緣層；在柵絕緣層上形成的半導體層；在半導體層上形成的數據導體；在數據導體上形成的鈍化層；在鈍化層上形成的像素電極，其中每一存儲導體的最多一個分支具有絕緣端。
[8140-0024-0002] 制造半導體晶片的方法
[摘要] 本發明公開了一種制造半導體晶片的方法。在本發明中，通過低溫退火過程在深入晶片的區域形成成核位置，且通過快速加溫退火工序將氧或沉淀物質、金屬雜質等捕獲在成核位置。當使用快速加溫退火工序提高了吸氣效果后，晶片表面的雜質濃度可以降低，且裝置的可靠性得到提高。此外，與現有技術相比，減少了退火步驟從而提高了裝置的生產率。
[8140-0008-0003] 化合物半導體發光器件的外延襯底及制造方法和發光器件
為了提高發光效率而不致降低發光層結構的保護性能，設置了一種與發光層結構相接觸的由第一到第三層組成的3-層p-型層結構。第一層是一層n-型algan層，它用作保護層，第三層是一層gan∶mg層，它用作接觸層，形成在這兩層之間的第二層是一層作為中間層的algan∶mg層，設置中間層，即使在n-型algan層做得很薄的情況下，也能使ingan層在其上生長延層時得到徹底的防熱保護，以此可以使gan∶mg層設置得接近發光層結構，以增強向發光層結構中注入空穴的效率，從而提高發光效率。
[8140-0058-0004] 電學感應源漏擴展區mos晶體管及其制作方法
[摘要] 本發明提供了一種感應源漏擴展區mos晶體管結構及其制備方法。該結構采用倒置多晶硅側墻充當感應源漏擴展區柵極；感應源漏擴展區是利用倒置多晶硅電學感應產生，同時溝道區利用倒置多晶硅側墻形成；柵電極和倒置多晶硅側墻之間有二氧化硅隔離層；柵極和倒置多晶硅側墻下面均有氧化層；溝道區和感應源漏擴展區獨立摻雜。采用倒置多晶硅側墻充當感應源漏擴展區柵極，解決了縮短電學感應源漏擴展區長度的困難；采用溝道區和感應源漏擴展區獨立摻雜，實現了溝道區和感應源漏擴展區各自閾值電壓的優化。其制備是利用倒置多晶硅側墻圖形轉移實現溝道區和利用倒置多晶硅側墻充當感應源漏擴展區柵電極實現電學感應源漏擴展區，從而最終實現mos器件。
[8140-0152-0005] 監測氧化層品質的方法
[摘要] 一種監測氧化層品質的方法，利用晶片可接受度測試(wat)設備來快速監測隧穿氧化層品質；首先電連接存儲單元的控制柵極與浮置柵極，接著施加復數個擺動式且隨時間改變的直流漸變電壓，并測量各相應的柵極漏電流以計算出各相應的β值，然后計算各該β值的比值并繪制一β值-柵極電壓曲線計算該第二常數對該第一常數的一第一比值，最后進行一比較步驟以比較該第一比值與一預設值的大小；本發明用于監測快閃存儲單元以及mos晶體管中的氧化層品質，利用潔凈室中的晶片可接受度測試設備做線上監測，其優點為簡單、快速并且可以高度自動化地實時模擬出元件的失敗情形。
[8140-0213-0006] 半導體集成電路
[摘要] 本發明涉及一種半導體集成電路，其包括以推挽方式對負載提供預定電壓的電源電路，能夠在電源電路工作開始時，防止大電流從輸出級的p溝道晶體管流向n溝道晶體管。該半導體集成電路具有以下電路：第一放大電路(10)，其接收第一電位，向輸出端供電；第二放大電路(20)，其接收第二電位，從輸出端吸收電流；控制電路(30)，其在第一放大電路開始工作之后，控制第二放大電路，以使經過預定的時間后，第二放大電路開始工作。
[8140-0087-0007] 自對齊磁性包層寫入線及其方法
[摘要] 在此公開一種用于磁阻存儲單元(240a)的自對齊磁性包層位線結構(274)及其形成方法，其中自對齊磁性包層位線結構(274)在一個的溝槽(258)內延伸，并且包括導電材料(250)、磁性包層側壁(262)以及磁性包層蓋(252)。磁性包層側壁(262)至少部分地包圍導電材料(264)，并且磁性包層蓋(252)至少實質性地在該溝槽內相對于該溝槽的頂部凹陷。
[8140-0093-0008] 絕緣膜的蝕刻方法
[摘要] 作為蝕刻氣體用至少包含：c≥4、c/f比在0.625以上的第一氟碳系氣體；f≥4、c/f比0.5以下的第二氟碳系氣體；ar氣；和o2氣的混合氣體，對由氧化硅膜等形成的絕緣膜進行蝕刻。據此，即使在形成深徑比高的接觸孔的情況下，在提高蝕刻速度以及抗蝕劑掩膜選擇比的同時，可抑制接觸孔變成彎曲狀。
[8140-0132-0009] 場效應晶體管及其制備用的材料和方法
[摘要] 一種場效應晶體管，其中連續的半導體層含有：a)有機氳繼澹緩蚥)有機粘合劑，其固有導電率小于10-6scm-1，在1,000hz的介電常數小于3.3，以及制備它的方法，該方法包括：用含有有機半導體和能夠發生反應形成粘合劑的材料的液層涂敷基材；和通過使所述材料發生反應而形成粘合劑將液層轉化為含有半導體和粘合劑的固體層。
[8140-0173-0010] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[摘要] 本發明提供在具有具備柵絕緣膜的場效應晶體管的半導體器件及其制造方法中，晶體管可進一步微細化的半導體器件及其制造方法。在含有多個元件區域和由使上述元件區域彼此間電隔離的sti(淺溝隔離)形成的元件隔離區域的半導體器件中，上述每一個元件區域都具備：溝道區域；在水平方向上夾持上述溝道區域形成的源、漏區；在上述溝道區域上形成，而且，與上述源、漏區夾持上述溝道區域的上述方向大體上垂直的水平方向上的、在和與上述溝道區域對向的面相反一側的面上從上述元件隔離區域側形成的、鳥喙的角度在1度以下的柵絕緣膜；在上述柵絕緣膜上形成的柵電極層。
[8140-0150-0011] 超音波接合方法及超音波接合裝置
[8140-0056-0012] 用于調制摻雜的場效應晶體管的增強的t形柵極及其制造方法
[8140-0096-0013] 磁阻存儲元件
[8140-0174-0014] 薄膜半導體裝置及其制造方法
[8140-0040-0015] 非易失性半導體存儲器的制造方法和非易失性半導體存儲器
[8140-0120-0016] 利用特定晶體管取向的cmos制造方法
[8140-0098-0017] 含光輻射元素的光源
[8140-0052-0018] 靜態型半導體存儲器
[8140-0186-0019] 接觸孔的成型方法
[8140-0005-0020] 輻射探測器
[8140-0009-0021] 氮化鎵系ⅲ-ⅴ族化合物半導體器件
[8140-0001-0022] 應用于紅外線成像器與傳感器的懸浮微結構及其制造方法
[8140-0023-0023] 護墊蝕刻程序后去除氟化鋁缺陷的方法
[8140-0178-0024] 一種自組織量子點為有源區的超輻射發光管
[8140-0147-0025] 一種陣列碳納米管薄膜晶體管的制備方法
[8140-0179-0026] 高效高亮度多有源區隧道再生白光發光二極管
[8140-0086-0027] 處理方法和處理裝置
[8140-0141-0028] 一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法
[8140-0137-0029] 形成柵極結構及自對準接觸孔結構的方法
[8140-0205-0030] 熱管裝置和熱管型換熱器
[8140-0004-0031] 硅接合型二極管及其制造方法
[8140-0018-0032] 一種p型導電的摻銦氧化錫薄膜
[8140-0198-0033] 生產半導體器件的方法及相應的半導體器件
[8140-0165-0034] 疊層式半導體器件
[8140-0015-0035] 顯示設備的制造方法
[8140-0199-0036] 在芯片設計的驗證中建立無限測試矢量的方法
[8140-0129-0037] 發光組件及其制造方法、可見光發光裝置
[8140-0060-0038] 混光層和混光方法
[8140-0068-0039] 用于在集成電路中形成電池的設備和方法
[8140-0153-0040] 晶圓級預燒裝置
[8140-0055-0041] 場電極金屬半導體場效應晶體管
[8140-0075-0042] 圖樣化的埋入絕緣體
[8140-0130-0043] 增強界面熱電冷卻器
[8140-0175-0044] 庫侖島型整流單分子二極管及其制備方法
[8140-0045-0045] 具有多級互連的半導體集成電路器件
[8140-0103-0046] 具有t型接觸電極的半導體器件的制造方法
[8140-0048-0047] 半導體存儲器件和采用鑲嵌位線工藝制造該器件的方法
[8140-0208-0048] 半導體封裝和半導體裝置
[8140-0106-0049] 互連結構和無電鍍引入互連結構的方法
[8140-0196-0050] 掩模缺陷檢查方法及其應用
[8140-0191-0051] bga集成電路植珠裝置及工藝
[8140-0092-0052] 用于均勻加熱襯底的腔室
[8140-0017-0053] 感應耦合等離子體處理裝置
[8140-0088-0054] 非揮發半導體記憶胞元及其半導體電路配置的制造方法
[8140-0032-0055] 基板用框架
[8140-0047-0056] 一種集成電容及其制法
[8140-0156-0057] 形成埋層電極板的方法
[8140-0050-0058] 高抗輻射的六角形柵極的快閃存儲單元
[8140-0099-0059] 電介質薄膜元件及使用它的執行元件、噴墨頭和噴墨記錄裝置
[8140-0072-0060] 觀察裝置及其制造方法、曝光裝置和微型器件的制造方法
[8140-0145-0061] 形成自對準金屬硅化物的方法
[8140-0134-0062] 一種消除旁瓣圖案的集成電路制造方法
[8140-0012-0063] 半導體元件及其制造方法
[8140-0107-0064] 具自行鈍化銅合金之銅墊\接合\銅線
[8140-0206-0065] 導線框和制造導線框的方法
[8140-0170-0066] 借助晶體管從光電二極管讀取信號的半導體器件
[8140-0126-0067] 自對準非易失性存儲單元
[8140-0180-0068] 高密度數據存儲介質及其制造方法
[8140-0033-0069] 介層窗的制造方法
[8140-0094-0070] 硅晶片應用的助焊和填縫材料,和用其制造的層狀電子組件
[8140-0184-0071] 半導體元件的圖案的形成方法
[8140-0128-0072] 復合光學元件及光接收元件裝置
[8140-0168-0073] 存儲電路、顯示電路，以及顯示裝置
[8140-0053-0074] 雙位罩幕式只讀存儲器的結構及其制造方法
[8140-0031-0075] 能保持薄膜平面度的薄膜夾緊裝置
[8140-0154-0076] 集成電路的導線檢測裝置
[8140-0161-0077] 引線框及其制造方法，以及用該引線框制造的半導體器件
[8140-0079-0078] 半導體光檢測器的制作方法
[8140-0163-0079] 互連、互連形成方法、薄膜晶體管及顯示器
[8140-0189-0080] 半導體器件的生產方法
[8140-0003-0081] 耐高溫固態壓阻式平膜力敏芯片及其制作方法
[8140-0177-0082] 氮化鎵系發光二極管的結構及其制造方法
[8140-0090-0083] 脈沖控制的雙穩態雙向電子開關
[8140-0124-0084] 具有半導電層的基板、電子組件、電子電路、可印刷組合物,以及制造半導體基板...
[8140-0127-0085] 成型橫向溝槽光檢測器的方法
[8140-0119-0086] 基片處理裝置及基片處理方法、基片平坦化方法
[8140-0143-0087] 低介電常數材料的表面處理方法
[8140-0027-0088] 半導體模塊及制造半導體模塊的方法
[8140-0057-0089] 半導體器件
[8140-0081-0090] 減少邊緣接觸的晶片搬運系統以及改進和使用該系統的方法
[8140-0212-0091] 具有非易失性數據存儲電路的集成電路
[8140-0044-0092] 包含應力調節覆蓋層的互連結構及其制造方法
[8140-0042-0093] 焊球組件及其生產方法，形成焊塊的方法
[8140-0112-0094] 半導體裝置
[8140-0123-0095] 信息存儲裝置和安裝了該信息存儲裝置的電子設備
[8140-0139-0096] 一種平整半導體晶片表面的方法
[8140-0104-0097] 用于在印刷電路板中設置通路的方法和裝置
[8140-0210-0098] 半導體裝置
[8140-0059-0099] 一種能夠發射平行光的發光二極管
[8140-0022-0100] 高密度電漿氧化沉積物的去除方法
[8140-0176-0101] 一種發光二極管及其制法
[8140-0183-0102] 周期結構寬帶隙半導體氧化鋅薄膜的制備方法
[8140-0193-0103] 半導體器件制造方法
[8140-0062-0104] 含有草酸銨的拋光系統及方法
[8140-0181-0105] 基于硅硅鍵合的全干法深刻蝕微機械加工方法
[8140-0200-0106] 瓶型溝槽的形成方法
[8140-0036-0107] 電源雜訊的分析方法及降低方法
[8140-0021-0108] 等離子體處理裝置以及等離子體處理方法
[8140-0164-0109] 靜電放電保護電路
[8140-0007-0110] 包括一組有機發光器件的有機發光設備
[8140-0111-0111] 采用襯底溝槽的非易失性存儲單元
[8140-0113-0112] 采用集成電路技術的光敏傳感器
[8140-0013-0113] 壓電執行元件、其制造方法及噴墨頭與噴墨式記錄裝置
[8140-0049-0114] 非揮發性存儲器的結構及其操作方法
[8140-0100-0115] 載臺系統及曝光裝置,以及元件制造方法
[8140-0216-0116] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8140-0080-0117] 半導體元件
[8140-0211-0118] 靜電放電防護電路與相關的金屬氧化半導體晶體管結構
[8140-0091-0119] 雙機電元件
[8140-0166-0120] 半導體器件及其制造方法
[8140-0065-0121] 用于高度密封裝應用的高性能的散熱器結構
[8140-0167-0122] 永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存儲器
[8140-0217-0123] 可電擦除可編程邏輯元件
[8140-0192-0124] 半導體裝置的樹脂密封方法及裝置
[8140-0051-0125] 存儲器件的結構及其制造方法
[8140-0197-0126] 于低介電材料層中形成導電結構的方法
[8140-0074-0127] 確定終點的方法以及半導體圓片
[8140-0010-0128] 氮化鎵系ⅲ-ⅴ族化合物半導體器件
[8140-0061-0129] 發光二極管的構造改良
[8140-0078-0130] 發光或感光半導體組件及其制造方法
[8140-0067-0131] 在引線框上形成倒裝芯片半導體封裝的方法
[8140-0114-0132] 發光裝置
[8140-0182-0133] 半導體裝置的制造方法
[8140-0028-0134] 電子部件安裝設備及方法
[8140-0064-0135] 對準方法及裝置
[8140-0070-0136] iii族氮化物半導體器件
[8140-0083-0137] 微電子器件的制造方法及由該方法制造的微電子器件
[8140-0169-0138] 固態圖像傳感器和圖像讀取方法
[8140-0148-0139] 一種微距覆晶載板的結構及其制造方法
[8140-0063-0140] 半導體集成電路裝置及其識別和制造方法以及半導體芯片
[8140-0073-0141] 摻雜半導體層的方法、制造薄膜半導體器件的方法、及薄膜半導體器件
[8140-0203-0142] 電子器件模塊
[8140-0014-0143] 多層反射膜及其制程
[8140-0102-0144] 電介質膜及其形成方法、半導體器件、非易失性半導體存儲器件及半導體器件的制...
[8140-0131-0145] 增強界面熱電冷卻器
[8140-0089-0146] 制作和cmos電路集成在一起的異質結光電二極管的方法
[8140-0214-0147] 集成電路電容器
[8140-0194-0148] 半導體元件的制造方法以及半導體元件
[8140-0190-0149] 制造具有低溫多晶硅的頂柵型薄膜晶體管的方法
[8140-0185-0150] 干光刻法及用其形成柵圖案的方法
[8140-0207-0151] 集成電路芯片組件
[8140-0140-0152] si蝕刻方法及蝕刻裝置
[8140-0159-0153] 混合模式制程
[8140-0202-0154] 半導體器件
[8140-0043-0155] 彈性導電樹脂及電子裝置
[8140-0151-0156] 測試鍵結構
[8140-0149-0157] 球柵陣列式半導體芯片封裝制程
[8140-0019-0158] 基極的結構及其制造方法
[8140-0172-0159] 鑲嵌柵極多臺面式金氧半場效應晶體管及其制造方法
[8140-0195-0160] 快速熱退火工藝的每日監控的控片
[8140-0144-0161] 可改善接面電性特性的自行對準金屬硅化物的制造方法
[8140-0041-0162] 用于制造電子封裝的半導體安裝襯底和生產這種半導體安裝襯底的生產過程
[8140-0157-0163] 淺溝道隔離區形成方法
[8140-0084-0164] 清洗晶片邊緣的裝置
[8140-0076-0165] 表面金屬污染的檢測方法
[8140-0002-0166] 固體攝像裝置及其制造方法
[8140-0155-0167] 用于生產空心封裝型電子產品的蓋板支架及使用該蓋板支架的密封工藝
[8140-0035-0168] 在晶粒表面形成結合粘性的晶圓處理方法
[8140-0006-0169] 太陽能電池的制造及其在屋頂單元上的安裝方法
[8140-0038-0170] 存儲元件及制造方法
[8140-0108-0171] 鐵電存儲裝置及其制造方法
[8140-0133-0172] 在半導體制造流程中防止晶圓污染的方法及裝置
[8140-0077-0173] 信息存儲裝置及其制造方法
[8140-0071-0174] 鈮基超導體及制造方法
[8140-0025-0175] 超音波接合用接合工具
[8140-0026-0176] 一種制備零收縮率低溫共燒陶瓷多層基板的工藝
[8140-0122-0177] 使用嵌入式外殼有效減少電磁輻射的整體電容
[8140-0158-0178] 半導體器件及其制造方法
[8140-0011-0179] 氮化鎵系ⅲ-ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
[8140-0117-0180] 具有無源元件的半導體器件及其制備方法
[8140-0204-0181] 利用旋流以增加熱傳導率的導熱管
[8140-0115-0182] 電誘發納米結構擊穿的系統及方法
[8140-0215-0183] 半導體器件及其制造方法
[8140-0082-0184] 包括單晶膜的半導體結構
[8140-0118-0185] 尤其是用于光學器件、電子器件或光電器件的襯底的制造方法和經其得到的襯底
[8140-0085-0186] 臭氧處理方法及臭氧處理裝置
[8140-0066-0187] 形成晶片級別芯片規模封裝的方法及由此形成的封裝
[8140-0037-0188] 包含鐵電電容器的半導體器件及其制造方法
[8140-0116-0189] 帶有疊置適配器板的晶片搬運器
[8140-0109-0190] 制造集成半導體存儲裝置的方法
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[8140-0187-0194] 半導體芯片及其制造方法
[8140-0162-0195] 具有柱型帽蓋層的半導體器件及其制造方法
[8140-0020-0196] 等離子體蝕刻方法及裝置
[8140-0095-0197] 半導體瓦片結構與形成方法
[8140-0097-0198] 脈沖型雙穩態雙向電子開關
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[8140-0016-0201] 結晶裝置、結晶方法、薄膜晶體管以及顯示裝置
[8140-0105-0202] 陶瓷接合體
[8140-0030-0203] 探針板和半導體芯片的測試方法、電容器及其制造方法
[8140-0136-0204] 半導體器件及其制造方法
[8140-0209-0205] 半導體裝置
[8140-0101-0206] 用于預測加工形狀的方法,用于確定加工條件的方法,加工方法,加工系統,半導...
[8140-0121-0207] 同步形成電荷儲存與位線至字符線隔離層的方法
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