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[8108-0129-0001] 半導體發光元件、其制造方法以及半導體裝置
[摘要] 本發明公開一種具有半導體壓層的半導體發光元件，該壓層包括有源層以及階梯，其中，該有源層發射出預定發射波長的光，該階梯位于超過該有源層的深度位置處。該元件還具有相對發射波長透明的襯底，位于該半導體壓層的一個表面上的第一電極，以及位于該階梯上的第二電極。相對發射波長透明的襯底提高了外發射效率。該第一和第二電極的位置基本阻止了電流流過半導體壓層和襯底之間的直接連接介面。即使在該直接連接介面中由于小丘等而產生不完全連接的情況下，該元件也展現了良好的電特性。
[8108-0154-0002] 半導體器件封裝件及具有懸伸出引線框接合區的管芯的引線框
[摘要] 半導體管芯被用焊料或環氧樹脂接合到引線框接合區(20)上，并懸伸出所述接合區，從而減小從引線框接合區(21，22)施加到管芯的熱差膨脹和收縮應力。標準尺寸的塑料外套在尺寸上沒有改變，但容納了更大的總共硅管芯面積。
[8108-0137-0003] 壓電體薄膜裝置和壓電體薄膜裝置的驅動方法
本發明實現一種壓電體薄膜裝置，包括：由第一電極、第二電極、以及夾在第一電極和第二電極之間且在膜厚方向具有極化矢量并且若通過第一電極和第二電極施加規定值以上的電壓則極化矢量顛倒的壓電體薄膜構成的壓電體薄膜元件；供給使極化矢量顛倒的電壓的電源電路；壓電體薄膜根據極化矢量的方向具有不同的晶格常數，壓電體薄膜元件即使在不外加電壓的狀態下，也保持與極化矢量的方向對應的不同的變位位置。
[8108-0039-0004] 用于壓電陶瓷設備的驅動電路
[摘要] 一種用于控制壓電陶瓷執行元件工作的控制電路包括用于提供電壓給該壓電陶瓷執行元件的裝置，這樣設置該裝置，使得給壓電陶瓷設備(10)提供線性充電，從而得到該壓電陶瓷設備的線性位移。該控制電路優選地包括采用h橋結構的四個晶體管開關(20)。
[8108-0110-0005] 具有光導管的影像感測裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種具有光導管的影像感測裝置及其制造方法。形成一影像感測數組于基底上，該影像感測數組包括多個光傳感器，且相鄰的光傳感器之間具有一空間。形成具有第一折射系數的第一介電層于上述空間上方，但并不在光傳感器上。形成具有第二折射系數的順應的第二介電層于第一介電層側壁上。形成具有第三折射系數的第三介電層于光傳感器上方，但并不在上述空間上。第三折射系數大于第二折射系數。其中，一光導管是由形成于每一光傳感器上方的第二、第三介電層所構成，其能避免入射光照到其它光傳感器。
[8108-0115-0006] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 提供半導體器件和制造包括襯底和在襯底中限定襯底的有源區的器件隔離層的半導體器件的方法。器件隔離層具有垂直延伸超過襯底表面的側壁的垂直突出部分。在有源區中的襯底表面上提供外延層，并延伸到器件隔離層上。外延層與器件隔離層的垂直突出部分的側壁隔開。在外延層上提供柵極圖形，在與柵極圖形相對側的外延層中提供源極/漏極區。
[8108-0206-0007] 多芯片封裝體
[摘要] 一種多芯片封裝體，至少包含一載板、一第一芯片、一第二芯片、一加強件與復數個導電凸塊。第一芯片通過復數個導電凸塊覆晶接合于載板的上表面，而第二芯片容置于載板的開口中，且與第一芯片覆晶接合。再者，利用導熱膠將加強件同時黏著于第二芯片的背面及載板的下表面。其中，由于加強件的熱膨脹系數介于載板與芯片的熱膨脹系數之間，故能通過加強件同時對載板與第二芯片的熱形變進行限制，以避免連接第一芯片與載板的導電凸塊受到破壞。
[8108-0212-0008] rram存儲器單元電極
[摘要] 在其中具有工作結而其上具有金屬栓的硅襯底上形成的rram存儲單元，包括第一抗氧化層、第一難熔金屬層、cmr層、第二難熔金屬層以及第二抗氧化層。制造多層電極rram存儲單元的方法包括準備硅襯底；在襯底上形成從n+結和p+結組成的結組中選出的結；在該結上沉積金屬栓；在金屬栓上沉積第一抗氧化層；在該第一抗氧化層上沉積第一難熔金屬層；在該第一難熔金屬層上沉積cmr層；在該cmr層上沉積第二難熔金屬層；在該第二難熔金屬層上沉積第二抗氧化層；以及完成該rram存儲單元。
[8108-0032-0009] 薄膜晶體管陣列面板
[摘要] 本發明提供了一種柵極布線和沿橫向延伸的存儲電極布線，并且沿縱向延伸的數據布線與柵極布線和存儲布線交叉。將多個像素電極和多個薄膜晶體管設置在由數據布線和柵極布線的交叉限定的像素區域上。存儲電極布線通過設置在像素區域上的多個存儲電極連接器相互連接。這樣，可省略設置在柵極襯墊和顯示區域之間的共同條或縮小寬度。因此，扇出區域變成具有足夠的尺寸，從而減小信號線之間的電阻差。
[8108-0132-0010] gan基ⅲ-ⅴ族氮化物發光二極管及其制造方法
[摘要] 在此提供一種gan基iii-v族氮化物半導體發光器件及其制造方法。在該gan基iii-v族氮化物半導體發光器件中包括面對相反方向或面對相同方向的第一和第二電極，在它們之間夾著高阻蝕基片，以及用于產生激光或發光的材料層，第二電極與通過高阻蝕性基片的被蝕刻區域暴露的最外材料層的一個區域直接接觸。導熱層可以形成在高阻蝕性基片的底部，以覆蓋最外材料層的暴露區域。
[8108-0052-0011] 設計圖形校正方法、掩模制造方法及半導體器件制造方法
[8108-0176-0012] 一種形成翅片場效應晶體管的方法
[8108-0022-0013] 用于模制電壓差分器設計的動態電壓標定方案
[8108-0161-0014] 一種顯示面板的制作方法
[8108-0070-0015] 半導體裝置的制造方法
[8108-0151-0016] 半導體處理系統中的端口機構
[8108-0186-0017] 在半導體器件中形成接觸的方法
[8108-0140-0018] 包含流量增強特征的半導體襯底高壓加工室
[8108-0055-0019] 圖形形成方法
[8108-0035-0020] 制造串聯型薄膜光電轉換器件的方法
[8108-0038-0021] 熱電變換材料及其制造方法
[8108-0029-0022] 非易失性觸發器
[8108-0054-0023] 抗蝕劑圖形的形成方法和半導體器件的制造方法
[8108-0208-0024] ic、ic上的隨機存取存儲器和保持ic中性能的方法
[8108-0178-0025] 半導體器件及制造半導體器件的方法
[8108-0207-0026] 集成電路模塊中的安裝結構
[8108-0116-0027] 具有改善閉鎖電壓和導通電阻性能的橫向fet結構及方法
[8108-0010-0028] 用于輸入/輸出位置的共用球型限制冶金
[8108-0168-0029] 復合膠電鍍制作空氣橋的方法
[8108-0017-0030] 電路基板及其制造方法、以及功率模塊
[8108-0034-0031] 向手持裝置提供電能的太陽能裝置
[8108-0048-0032] 制造半導體器件的方法和裝置
[8108-0009-0033] 用于可調靜電夾盤的可變溫度處理
[8108-0114-0034] 多重柵極晶體管與其形成方法及形成一半導體組件的方法
[8108-0019-0035] 制造電子器件的方法
[8108-0148-0036] 用壓電微涂布法形成印刷電路板的結構
[8108-0084-0037] 埋入式溝槽電容器及其制造方法
[8108-0067-0038] 半導體裝置的制造方法及其制造裝置
[8108-0014-0039] 制造具低電阻的含金屬層之方法
[8108-0102-0040] 自修復半導體及其系統
[8108-0066-0041] 制造凸出源漏mosfet的方法以及由此制造的器件
[8108-0024-0042] 包含集成格狀電容器結構的半導體組件
[8108-0086-0043] 高布線能力的微過孔基板
[8108-0126-0044] 發光元件的電極結構
[8108-0058-0045] 蝕刻液及應用該蝕刻液選擇性去除阻障層的導電凸塊制造方法
[8108-0057-0046] 一種半導體材料橫向周期攙雜的方法及其裝置
[8108-0215-0047] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[8108-0160-0048] 改良的聚合物緩沖層及其在發光二極管中的應用
[8108-0061-0049] 處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖定方法
[8108-0150-0050] 校準和使用半導體處理系統的方法
[8108-0199-0051] 發熱電子元件的熱管散熱器
[8108-0045-0052] 一種半導體器件和制作方法
[8108-0072-0053] 一種驗證代碼覆蓋率分析的簡單方法
[8108-0139-0054] 襯底傳送容器
[8108-0083-0055] 選擇性去除半球狀硅晶粒層的方法及深溝槽電容器的制法
[8108-0098-0056] 半導體器件
[8108-0201-0057] 具有鋁配線的半導體器件
[8108-0157-0058] 有機半導體結構物、其制造方法和有機半導體裝置
[8108-0144-0059] 氣相生長裝置
[8108-0119-0060] 薄膜晶體管及其制造方法
[8108-0193-0061] 芯片封裝結構
[8108-0182-0062] 半導體裝置
[8108-0062-0063] 一種金屬配線的多步干法刻蝕方法
[8108-0152-0064] 半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8108-0036-0065] 光發射器件及使用其的照明器
[8108-0065-0066] 用于去除阻擋層的組合物和方法
[8108-0044-0067] 半導體器件及其制造方法
[8108-0096-0068] 電路組件
[8108-0108-0069] 固態取像裝置,固態取像系統和用于驅動該固態取像裝置的方法
[8108-0171-0070] 晶片保護裝置
[8108-0041-0071] 用于在響應電啟動以移動一對相對表面的裝置
[8108-0049-0072] 半導體器件及其制造方法
[8108-0091-0073] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備
[8108-0130-0074] 氮化物半導體發光器件
[8108-0107-0075] 具有通過層疊模板層的局部非晶化和再結晶而形成的選定半導體晶向的平坦襯底
[8108-0007-0076] 除去光刻膠和蝕刻殘渣的方法
[8108-0081-0077] 在半導體裝置中形成金屬接點的方法
[8108-0163-0078] 半導體器件及其制造方法
[8108-0018-0079] 載體、制造載體和電子器件的方法
[8108-0106-0080] 半導體集成電路器件
[8108-0085-0081] 形成具有自行對準接觸窗的記憶元件的方法和所形成裝置
[8108-0031-0082] 有分級基極層的雙極晶體管
[8108-0174-0083] 半導體器件及其制造方法
[8108-0204-0084] 多芯片封裝、其中使用的半導體器件及其制造方法
[8108-0209-0085] 具有層疊的節點接觸結構的半導體集成電路及其制造方法
[8108-0198-0086] 復合式多流向散熱器
[8108-0001-0087] al系ⅲ-v族化合物半導體的氣相生長方法、al系ⅲ-v族化合物半導體的制...
[8108-0164-0088] 膜形成方法和基板處理裝置
[8108-0131-0089] 垂直結構的半導體芯片或器件（包括高亮度led）及其批量生產方法
[8108-0165-0090] 改善半導體組件不同圖案間關鍵尺寸的一致性的方法及裝置
[8108-0142-0091] 采用uhv-cvd制作的應變si基底層以及其中的器件
[8108-0194-0092] 散熱器固定結構
[8108-0190-0093] 混合模式制程
[8108-0042-0094] 用于電阻可變存儲器的硒化銀/硫族化物玻璃疊層
[8108-0060-0095] 制造凹式柵極結構的方法
[8108-0075-0096] 晶片邊緣檢測器
[8108-0028-0097] 形成非易失可變電阻器件的方法以及形成包含硒化銀的結構的方法
[8108-0138-0098] 低成本的半橋驅動器集成電路
[8108-0200-0099] 打線接合封裝體
[8108-0172-0100] 等離子體處理方法和等離子體裝置
[8108-0104-0101] 間隙壁捕獲型存儲器
[8108-0023-0102] 互連結構及方法
[8108-0037-0103] 發光二極管及其制造方法
[8108-0124-0104] 真空層壓裝置及真空層壓方法
[8108-0021-0105] 半導體器件及其制造方法
[8108-0051-0106] 半導體器件用的圖形制作方法
[8108-0105-0107] 半導體器件的電容器及其制造方法
[8108-0149-0108] 偏振分析方法
[8108-0012-0109] 脫模層轉移用薄膜及層合薄膜
[8108-0080-0110] 銅內連線的制作方法
[8108-0015-0111] 具有位線隔離的內存制造方法
[8108-0184-0112] 檢測裝置及其制造方法、制造電光裝置和半導體裝置的方法
[8108-0087-0113] 布線電路板
[8108-0175-0114] 制備多晶系膜層的激光退火裝置及形成多晶系膜層的方法
[8108-0169-0115] 溝槽的后處理方法與裝置
[8108-0074-0116] 半導體裝置測試裝置、測試系統及測試方法
[8108-0205-0117] 多芯片封裝
[8108-0069-0118] 用來對晶片層面封裝件進行流體填充的系統和方法
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[8108-0013-0120] 用于圖形化雙波紋互連的三層掩膜結構
[8108-0127-0121] 發光裝置
[8108-0016-0122] 半導體器件和半導體器件的組裝方法
[8108-0077-0123] 插座/或轉接器裝置及將對應半導體組件加載插座/或轉接器裝置的裝置及方法
[8108-0047-0124] 結晶用掩模、結晶方法及包括該結晶方法的制造薄膜晶體管陣列面板的方法
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[8108-0188-0130] 銅金屬化工藝
[8108-0177-0131] 一種mosfet半導體及其制造方法
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[8108-0090-0133] 半導體裝置制造用粘結膜
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[8108-0006-0135] 等離子體處理裝置及其隔板
[8108-0180-0136] 扁平塑封球柵陣列封裝所用的載板的制造方法及其載板
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