半導體,半導體元件,半導體裝置,半導體晶片類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8151-0063-0001] 靜電防護電路
[摘要] 一種靜電防護電路，用于保護一內部電路，內部電路與一轉換器連接且由第一及第二電壓源驅動。轉換器將自輸入焊墊接收的具有第一幅值的第一輸入信號轉換為具有第二幅值的第二輸入信號而輸入內部電路。輸入焊墊與第一電壓源之間連接有相互逆向的第一及第二二極管。此靜電防護電路包括一晶體管、一反相器、一電阻、一電容及一電壓箝位器。晶體管的源極連接于兩二極管之間，漏極與第二電壓源連接。反相器的輸出端連接于晶體管的柵極。電阻連接于晶體管的源極與反相器輸入端之間。電容連接于該反相器的輸入端與第二電壓源之間。電壓箝位器與該電容并聯，用于避免在浮接靜電放電母線上累積高電壓，防止上述靜電防護電路中的各節點承受高電壓長期壓降。
[8151-0196-0002] Ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
[摘要] 本發明涉及半導體器件，準確地是一種III族氮化物的半導體藍色發光器件，其有源區兩側的包層中至少包括一層M*(Alx1Inx2Gax3N-Aly1Iny2Gay3N)應變層超晶格結構，該結構能消除GaN與襯底晶格失配引起的缺陷，比通常的AlGaN包層有改善晶體完整性等優點，能更有效和更均勻的將載流子限制在有源區，從而提高復合發光效率和均勻性。
[8151-0015-0003] 半導體元件的結構及其制造方法
一種半導體元件的制造方法，此方法是在一基底中形成溝渠，再在溝渠的側壁形成絕緣間隙壁。接著，在溝渠中形成第一磊晶層，再在第一磊晶層中形成源/漏極摻雜區。然后，在基底與第一磊晶層上形成第二磊晶層，再在第二磊晶層上形成柵極。其后，以柵極為罩幕進行離子植入步驟，以在第二磊晶層中形成延伸摻雜區，再進行快速熱回火步驟，以使源/漏極摻雜區以及延伸摻雜區形成源/漏極。
[8151-0019-0004] 半導體制造系統及其控制方法
[摘要] 在半導體制造系統中，控制多個處理裝置的操作以高效地制造半導體器件。該半導體制造系統包含一個存儲器部分和一個控制部分。存儲器部分(5)存儲優先級別數據，其以單獨的半導體襯底為基礎，標明將要對每一個半導體襯底進行的處理的優先級別。控制部分(3，7)基于新的優先級別數據和其處理已經被安排的半導體襯底的存儲在所述存儲器部分中的優先級別數據的比較，通過判斷新送入到處理裝置的一個半導體襯底的處理順序，來控制所述處理裝置以便對所述新送入的一個半導體襯底進行處理，所述新的優先級別數據是根據所述新送入到處理裝置的一個半導體襯底而被送入的。
[8151-0011-0005] 堆迭式閘極快閃記憶元件
[摘要] 一種堆迭式閘極快閃記憶元件，它是形成在-P-淡摻雜的硅基底上，在此基底上形成有隧穿氧化層。在隧穿氧化層上形成有堆迭閘極，包括浮置閘極、閘極間介電層和控制閘極。堆迭閘極在浮置閘極、閘極間介電層和控制閘極的邊緣具有側壁。具有一源極線介于堆迭閘極之間，且此源極線的表面高度低于堆迭閘極的高度，當源極線開口發生對準失誤而曝露出控制閘極時，此種凹入式的源極線可以避免源極線與控制閘極之間發生短路，具有提高元件優良率及增加元件可靠度的功效。
[8151-0065-0006] 電平變換電路
[摘要] 本發明的電平變換電路包括：檢測輸入信號的上升沿而將之作為上升沿信號輸出的第1傳遞電路；檢測上述輸入信號的下降沿而將之作為下降沿信號輸出的第2傳遞電路；以及將上述上升沿信號和上述下降沿信號合成后輸出的輸出合成電路。
[8151-0160-0007] 高深寬比硅深刻蝕方法
[摘要] 本發明涉及一種高深寬比硅深刻蝕方法。采用具有雙路氣體自動切換功能的英國STS公司生產的STS Multiplex ICP高密度等離子刻蝕系統，采用如下的工藝條件：離子源功率：600W，承片臺功率：12～14W，刻蝕氣體流量：95sccm，刻蝕時間：13～15秒，鈍化氣體流量：95sccm，鈍化時間：9～11秒，刻蝕與鈍化重疊時間：0.5秒，反應壓力：18～36mTorr，刻蝕樣品：直徑100毫米硅片，刻蝕掩膜：普通正性光刻膠。解決了硅深刻蝕過程中刻蝕速率隨槽寬度變窄而降低的這一國際性難題，使采用復雜圖形和梳齒圖形的器件結構能夠用高深寬比硅刻蝕技術來實現，為MEMS器件的制造提供了一種有效可行的加工手段。可廣泛應用于微電子機械技術領域。
[8151-0188-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及半導體器件及制造方法，其技術要點在于：將含有一種類型雜質成分的硅-雜質混合物，用電子束蒸發方法或濺射方法直接淀積到另一種類型的硅半導體基片上，通過該合金將雜質在硅半導體基片中擴散形成P-N結。雜質的擴散量僅受應該淀積的合金組成和含量的影響，而且其組成和含量可以預先測定和準備，致于淀積以及雜質擴散完全不受溫度、氣體、時間的影響，因此具有非常突出的穩定性。本發明適合于制造穩壓二極管和快速恢復二極管，其特點是使用的設備簡單，穩壓電壓的離散性很小，產品合格率高，損耗低，工序簡單，同時制造方法也更有利于環保，對提高穩壓二極管的品質具有重大意義。
[8151-0001-0009] 半導體器件
[摘要] 為了在安裝尺寸大的半導體芯片時確實進行超音波熱壓接，本發明的半導體器件包括：半導體芯片1；電路基板5，與半導體芯片1相對配置，通過連接用導體4與半導體芯片1電氣連接；電極盤2和端子電極6，分別形成在半導體芯片1與電路基板5相對的對置面，與連接用導體4鍵合；將所述對置面之間的間隙埋置所形成的非導電性樹脂7；預定形狀的導電性偽圖形10，形成在半導體芯片1或電路基板5的對置面。可使對置面之間的溫度分布均勻，能夠使非導電性樹脂7的粘度和溫度均勻化，并且抑制超音波的衰減。
[8151-0128-0010] 覆蓋有金屬阻障層的內連線結構及其制作方法
[摘要] 一種覆蓋有金屬阻障層的內連線結構及其制作方法，包括有至少兩個相鄰的金屬導線之間是隔著一開口；金屬阻障層是形成于金屬導線的側壁上；介電層是覆蓋金屬阻障層與金屬導線的曝露區域，且填滿開口至一預定高度；接觸插塞是貫通介電層而與金屬導線的頂部形成電連接。具有通過覆蓋層來增加內連線結構與內金屬介電層之間的附著性及防止內金屬介電層的出氣現象的功效。
[8151-0182-0011] 晶圓型態擴散型封裝結構及其制造方法
[8151-0178-0012] 基于等效電路的集成電路電源網絡瞬態分析求解的方法
[8151-0031-0013] 氧化硅膜制作方法
[8151-0046-0014] 半導體器件及其制造方法
[8151-0058-0015] 半導體裝置及其制法
[8151-0023-0016] 膜形成裝置和膜形成方法以及清潔方法
[8151-0126-0017] 半導體元件的熔絲結構
[8151-0190-0018] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8151-0157-0019] 芯片及其制造方法
[8151-0093-0020] 壓電-彎曲換能器及其應用
[8151-0017-0021] 顯示元件的封裝結構及其封裝方法
[8151-0100-0022] 匹配電路和等離子加工裝置
[8151-0184-0023] 半導體裝置
[8151-0087-0024] 處理裝置及其維護方法、處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖...
[8151-0106-0025] 焊接方法以及焊接裝置
[8151-0162-0026] 在氮化硅層上形成氮氧化硅層的方法
[8151-0147-0027] 晶片熱處理的方法和設備
[8151-0077-0028] 可對象限Q4和Q1響應的雙向靜態開關
[8151-0133-0029] 半導體器件
[8151-0024-0030] 利用多孔性材料實現陶瓷基板表面平坦化的方法
[8151-0025-0031] 檢測光罩機臺修正精確度的方法
[8151-0137-0032] 使用金屬接觸板的嵌入式非揮發性存儲器
[8151-0172-0033] 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(MIM)電容器的方法
[8151-0006-0034] 雙層硅碳化合物阻障層
[8151-0123-0035] 陣列型焊墊晶片內部電路結構及其制造方法
[8151-0208-0036] 栓釘插入裝置及其方法
[8151-0118-0037] 設計系統大規模集成電路的方法
[8151-0002-0038] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0079-0039] 半導體裝置和半導體裝置制造系統
[8151-0187-0040] 半導體器件及其制造方法
[8151-0080-0041] 制造OLED裝置的原位真空方法
[8151-0125-0042] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0101-0043] 半導體器件及其制造方法
[8151-0176-0044] 鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
[8151-0107-0045] 具有散熱布線設計的集成電路封裝裝置
[8151-0204-0046] 半導體器件
[8151-0135-0047] 應用于可變容量電容器和放大器的半導體器件
[8151-0179-0048] 高密度平坦單元型的罩幕式只讀存儲器制造方法
[8151-0205-0049] 基于LED的發射白色的照明單元
[8151-0186-0050] 可隨機編程的非揮發半導體存儲器
[8151-0020-0051] 在基體或塊體特別是由半導體材料制成的基體或塊體中切制出至少一個薄層的方法
[8151-0088-0052] 低相對介電常數的SiOx膜、制造方法和使用它的半導體裝置
[8151-0150-0053] 半導體器件及方法
[8151-0181-0054] 散熱模組及其制造方法
[8151-0192-0055] 利用金屬誘導橫向結晶的多柵薄膜晶體管及其制造方法
[8151-0012-0056] 具有氮化物穿隧層的非揮發性破碎器的編程以及抹除方法
[8151-0108-0057] 檢測圖案缺陷過程的方法
[8151-0085-0058] Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
[8151-0103-0059] 適用于PLCC型封裝電路的分離器
[8151-0113-0060] 槽型元件分離結構
[8151-0036-0061] 一種具有散熱片的半導體封裝
[8151-0057-0062] 基片或芯片輸入輸出接點上金屬凸塊結構及其制造方法
[8151-0140-0063] 具有面板的平板顯示器件及其制造方法
[8151-0170-0064] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
[8151-0129-0065] IC芯片破損少的薄型高頻模塊
[8151-0044-0066] 使用氧化線層作為介電阻擋層的雙鑲嵌制程
[8151-0028-0067] 保護帶條的粘貼和分離方法
[8151-0032-0068] 一種金屬雙鑲嵌的制造方法
[8151-0022-0069] 具有雙柵極結構的溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
[8151-0045-0070] 積體電路的雙鑲嵌結構的制作方法
[8151-0199-0071] 以磷摻雜硅并在蒸汽存在下生長硅上氧化物的方法
[8151-0007-0072] 多晶硅界定階躍恢復器件
[8151-0042-0073] 內金屬介電層的整合制造方法
[8151-0109-0074] 識別半導體器件測試處理機中器件傳送系統的工作位置的裝置和方法
[8151-0217-0075] 半導體器件的測試系統
[8151-0214-0076] 裂開材料晶片各層的工藝
[8151-0067-0077] 半導體裝置
[8151-0029-0078] 去除焊墊窗口蝕刻后殘留聚合物的方法
[8151-0040-0079] 淺溝渠隔離的制造方法
[8151-0216-0080] 一種晶圓階段記憶體預燒測試電路及其方法
[8151-0104-0081] 層疊芯片封裝件的制造方法
[8151-0008-0082] 具有將電源電壓轉換為工作電壓的降壓電路的半導體裝置
[8151-0139-0083] 光模塊、電路板及其電子機器
[8151-0130-0084] 半導體裝置及其制造方法、線路基板及電子機器
[8151-0056-0085] 半導體模塊及其制造方法
[8151-0003-0086] 導線架帶和制造使用導線架帶的半導體封裝的方法
[8151-0092-0087] 制造電極的蝕刻方法
[8151-0055-0088] 模塊殼體和功率半導體模塊
[8151-0014-0089] 半導體存儲器及其制造方法
[8151-0074-0090] 光器件及其制造方法、光模件、電路基板以及電子機器
[8151-0117-0091] 非揮發性存儲器結構及其制造方法
[8151-0050-0092] 氮化硅內存的制造方法
[8151-0049-0093] 布線結構的形成方法
[8151-0203-0094] 雙極型晶體管
[8151-0202-0095] 具有表面金屬敷層的半導體器件
[8151-0105-0096] 柵狀數組封裝的插腳表面粘著的制作方法
[8151-0207-0097] 處理液配制和供給方法及裝置
[8151-0051-0098] 晶體管形成方法
[8151-0159-0099] 利用非等向性濕蝕刻法來進行平坦化的方法
[8151-0033-0100] 基底銅層的磨光方法
[8151-0155-0101] 利用彈性體電鍍掩模做為芯片級封裝的方法
[8151-0048-0102] 布線結構的形成方法
[8151-0120-0103] 球格陣列封裝體
[8151-0165-0104] 制造半導體封裝件用打線方法及系統
[8151-0119-0105] 晶片的制造方法、使用了該晶片的半導體器件及其制造方法
[8151-0110-0106] 離子照射裝置
[8151-0082-0107] 磁阻元件
[8151-0156-0108] 半導體晶片表面保護粘結膜及使用其的半導體晶片加工方法
[8151-0146-0109] 含有柵絕緣層的異質結型有機半導體場效應晶體管及制作方法
[8151-0026-0110] 半導體裝置及其制造方法
[8151-0169-0111] 芯片管腳名稱驗證方法
[8151-0213-0112] 保護帶條的粘貼方法與裝置以及保護帶條的分離方法
[8151-0030-0113] 半導體晶圓的熱氧化制作工藝
[8151-0005-0114] 在低K互連上集成電線焊接的熔絲結構及其制造方法
[8151-0066-0115] 電荷泵裝置
[8151-0132-0116] 具有部分SOI結構的半導體器件及其制造方法
[8151-0138-0117] 使用了部分SOI襯底的半導體器件及其制造方法
[8151-0218-0118] 半導體器件的元件隔離膜的形成方法
[8151-0010-0119] 跨導基本上恒定的電路
[8151-0061-0120] 半導體器件
[8151-0151-0121] 半導體器件及其制造方法
[8151-0075-0122] 發光裝置、制造發光裝置的方法、及其制造設備
[8151-0191-0123] 降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
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[8151-0198-0126] 絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法
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[8151-0098-0128] 形成半導體器件的薄膜的方法
[8151-0064-0129] 電路裝置
[8151-0183-0130] 電子器件
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[8151-0166-0132] 芯片元件供給裝置
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[8151-0210-0134] 圖案形成方法
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[8151-0171-0139] 復晶矽/復晶矽電容的制造方法
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[8151-0047-0151] 布線結構的形成方法
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