半導體,半導體裝置,半導體表面鈍化,半導體薄膜最新技術匯編(168元/全套)
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[8123-0136-0001] 具有帶易于浮島形成的臺階式溝槽的電壓維持層的功率半導體器件的制造方法
[摘要] 提供了一種形成功率半導體器件的方法。該方法開始于提供第一導電類型的襯底，并接著在襯底上形成電壓維持區。通過在襯底上淀積第一導電類型的外延層和在外延層中形成至少一個臺階式溝槽來形成電壓維持區。臺階式溝槽具有多個寬度不同的部分，它們之間限定至少一個環形凸緣。沿著溝槽壁淀積阻擋材料。穿過嵌入環形凸緣和所述溝槽底部的阻擋材料注入第二導電類型的摻雜劑并進到外延層的鄰近部分中。摻雜劑擴散在外延層中形成至少一個環形摻雜區和位于環形摻雜區之下至少另一個區。在臺階式溝槽中淀積填充材料以基本上填充溝槽，由此完成電壓維持區。在電壓維持區上形成至少一個第二導電類型區以在它們之間限定結面。
[8123-0019-0002] 模塊部件
[摘要] 本發明的模塊部件包括：貼裝部件；安裝有貼裝部件的電路基板；第一接地圖形，其設在電路基板表面層的最外周；第一密封體，其設在電路基板上，在電路基板上的投影面積比電路基板的外形小，由第一樹脂形成，密封貼裝部件；金屬膜，其覆蓋密封體表面，與接地圖形連接。該模塊部件由于高度低，可以得到充分的屏蔽效果。
[8123-0067-0003] 薄膜晶體管基板及制造方法
本發明涉及一種薄膜晶體管基板，包括一玻璃基板、一薄膜晶體管、一電極墊及一導電凸塊。薄膜晶體管及電極墊都形成于玻璃基板上，電極墊用以與薄膜晶體管電性連接。導電凸塊包括數個絕緣凸塊及一導電層，此些絕緣凸塊相互隔開地形成于電極墊上。導電層覆蓋此些絕緣凸塊的頂面、此些絕緣凸塊的內側表面和此些絕緣凸塊之間的部分的電極墊，用以與電極墊電性連接，此些絕緣凸塊的外圍側面暴露于導電層之外。
[8123-0176-0004] 電子元件的封裝方法
[摘要] 一種電子元件的封裝方法，是利用納米無機材料與高分子材料混合形成未硬化的封裝層，均勻涂布于待封裝的電子元件上，待封裝層固化后，借由該納米無機材料與高分子材料之間產生的致密性結構，得到一封裝電子元件的阻絕層，用以加強電子元件的阻濕阻氣效果。
[8123-0068-0005] 電子部件和半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子設備
[摘要] 本發明是一種可以緩和熱應力而不會切斷布線的半導體爸謾＞哂邪氳繼逍酒?12)；用于與外部連接的焊球(20)；使半導體芯片(12)與焊球(20)電連接的布線(18)；設于半導體芯片(12)上邊的應力緩和層(16)；以及從焊球(20)對應力緩和層(16)傳遞應力的應力傳遞部分(22)。
[8123-0115-0006] 一種zno基透明薄膜晶體管及其制備方法
[摘要] 本發明涉及一種zno基薄膜晶體管及其制備方法。玻璃襯底上沉積一層50-150nm厚的n-zno薄膜作為該薄膜晶體管的溝道，ato薄膜作為柵絕緣層，源極、柵極、漏極均采用ito薄膜。這種透明的薄膜晶體管在可見光區域的透光率可達到80％以上，跟傳統的si薄膜晶體管相比，能防止因入射光而在薄膜晶體管的源極和漏極之間產生光電子漏電流從而導致薄膜晶體管的關態電流上升，可減少可見光對其工作狀態的影響。該薄膜晶體管制作工藝簡單，成本低，適合應用于有源矩陣液晶顯示器件等領域。
[8123-0090-0007] 帶多行焊接焊盤的半導體芯片
[摘要] 一種半導騫芐?12)，具有至少三行(16、18、20)帶最小間隔的焊接焊盤。在具有至少三行焊接指(26、28)和/或導電環(22、24)的封裝基板(14)上安裝管芯(12)。通過由換向自動點焊獲得的相對較低高度引線(42)把在管芯最外部分(最接近管芯周邊)上的焊接焊盤(16)連接到焊接指的最內環或行(24)(距封裝基板的周邊最遠)。通過由焊球焊接至楔形焊接獲得的相對較高高度引線(86)把最內行焊接焊盤(20)連接到最外行焊接指(26)。通過由焊球焊接至楔形焊接獲得的相對居中高度引線(88)把中間行焊接焊盤(18)連接到中間行焊接指(28)。變化高度的引線可供緊密組合的焊接焊盤之用。該結構適用于層疊管芯。
[8123-0030-0008] 電路元件安裝方法以及加壓裝置
[摘要] 各向異性導電膜(14)和電路元件(16)被疊加和布置在基板(10)上。利用具有柔性層(22)的加壓模具與電路元件的接觸表面進行各向同性擠壓操作，同時進行加熱，以將電路元件接合到基板上。由于柔性層可吸收電路元件之間的厚度差異，一次可同時擠壓多個電路元件。此外，由于多個電路元件被同時加熱，因此不需要像在一個接一個地加熱電路元件的情況中那樣考慮熱量對未被加熱的相鄰電路元件的作用。各向同性擠壓可以防止各向異性導電膜從側面鼓出。其結果是，電路元件之間的間隔可以減小。
[8123-0179-0009] 測試載板
[摘要] 一種測試載板，其內部具有測試線路，且該測試載板表面具有一接合墊區，其上設置復數接合墊，各對應于一封裝組件的一引腳位置，用以直接與該封裝組件的引腳接合以進行該封裝組件測試。借由直接在測試載板上配合封裝組件的引腳所設計的接合墊區域，使封裝組件的引腳直接與測試載板接觸，而省略掉習知的測試座(test socket)。
[8123-0054-0010] 薄膜晶體管的結構和制造方法
[摘要] 本發明公開了一種薄膜晶體管的結構和制造方法。該方法包括下列步驟：首先，提供一基板，其中基板上形成有一柵極，及一柵極介電層覆蓋柵極及基板；接下來，對柵極介電層進行一離子注入步驟；及形成一半導體層于注入后的柵極介電層上。
[8123-0205-0011] 芯片型電子組件的外端電極材料及其制備方法
[8123-0032-0012] 使用終點系統以配合機床中個別加工站
[8123-0057-0013] 電路載板的制造方法
[8123-0040-0014] 相變材料存儲器裝置
[8123-0092-0015] umosfet器件及其制造方法
[8123-0161-0016] 化學機械研磨工藝及裝置
[8123-0004-0017] 制造集成電路的方法、該方法獲得的集成電路、提供有該方法獲得的集成電路的晶...
[8123-0037-0018] 薄膜半導體器件及其制造方法
[8123-0045-0019] 薄膜晶體管陣列基板及其修補方法
[8123-0086-0020] 使用整合式度量的串級控制方法及裝置
[8123-0156-0021] 多晶硅薄膜的制造方法
[8123-0134-0022] 拋光裝置及基片處理裝置
[8123-0039-0023] 熱運動電子整流裝置及用其將物體的熱轉換為電能的方法
[8123-0048-0024] zno∶m2o3(m=al、...
[8123-0185-0025] 形成倍密式字符線的方法
[8123-0209-0026] 高速內存的封裝結構
[8123-0075-0027] 彩色透明冷光源硅晶體塊
[8123-0109-0028] 0.35μm ldmos高壓功率顯示驅動器件的設計方法
[8123-0064-0029] 包含黑盒的電路設計驗證與錯誤診斷方法
[8123-0195-0030] 增進氮化硅只讀存儲器的存儲單元保持力的方法
[8123-0173-0031] 集成電路封裝基板的實心導電過孔成形方法
[8123-0177-0032] 側向離子束誘導電荷顯微分析技術
[8123-0168-0033] 物理氣相沉積裝置
[8123-0191-0034] 控制溝槽頂部尺寸的方法
[8123-0127-0035] 濺射法在硅基片上制備高巨磁電阻效應納米多層膜及其制備方法
[8123-0153-0036] 形成具有圓化邊角的接觸窗口的方法及半導體結構
[8123-0187-0037] 具有金屬層分割道的陣列式工件的切割方法
[8123-0035-0038] 具有大容量熱接觸面的電子組件及其制造方法
[8123-0147-0039] 制造用于熱電能量直接轉化的裝置的方法
[8123-0144-0040] 固態成像裝置及制造固態成像裝置的方法
[8123-0214-0041] 影像感測器封裝結構
[8123-0169-0042] 金屬層的改質方法
[8123-0182-0043] 測試高速資料傳輸率的方法
[8123-0143-0044] 半導體裝置及其制造方法
[8123-0029-0045] 等離子體處理裝置和等離子體處理方法
[8123-0152-0046] 疊合標記的結構以及其形成方法
[8123-0069-0047] 結構重復的靜電放電保護電路
[8123-0059-0048] 封裝對準結構
[8123-0201-0049] 散熱鰭片及鰭片組件
[8123-0148-0050] 爐管產能監視系統及其運作方法
[8123-0017-0051] 具有連續沉積和蝕刻的電離pvd
[8123-0199-0052] 具有高散熱效能的半導體封裝件及其制法
[8123-0155-0053] 漸變帶隙的銦鎵砷材料的制備方法
[8123-0081-0054] 晶片機
[8123-0120-0055] 提高tio2光電池光電轉換效率的方法
[8123-0051-0056] 制備穩定的稀土氧化物柵介電薄膜的方法
[8123-0050-0057] 納米間隙電極的制備方法
[8123-0216-0058] 新型環柵垂直sigec mos器件
[8123-0215-0059] 絕緣硅芯片的鰭狀元件及其形成方法
[8123-0108-0060] 氣浮xy兩坐標平面運動平臺
[8123-0140-0061] 多芯片互連系統
[8123-0198-0062] 具有柔性電路板的芯片封裝基板及其制造方法
[8123-0098-0063] 自組織生長均勻有序半導體量子點陣列的方法
[8123-0180-0064] 堆棧測試方法
[8123-0094-0065] 發光元件及使用它的發光裝置
[8123-0194-0066] 只讀存儲器的制造方法
[8123-0049-0067] 在硅片上復合zno納米線的半導體基板材料及其制備方法
[8123-0101-0068] 一種用于硅各向異性腐蝕的裝置
[8123-0053-0069] 激光退火裝置及其激光退火方法
[8123-0038-0070] 顯示裝置及其制造方法、以及投影型顯示裝置
[8123-0013-0071] 均勻拋光微電子器件的方法
[8123-0095-0072] 霍爾器件和磁傳感器
[8123-0082-0073] 用于半導體材料處理系統的一體化機架
[8123-0172-0074] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
[8123-0107-0075] 支撐架及應用此支撐架的傳送機構
[8123-0150-0076] 布線及其制造方法、包括所說布線的半導體器件及干法腐蝕方法
[8123-0175-0077] 影像感測器封裝方法
[8123-0159-0078] 一種半導體晶元表面清潔方法
[8123-0211-0079] 高密度集成電路
[8123-0063-0080] 一種用于集成電路設計的靜止圖像壓縮碼率控制方法
[8123-0070-0081] 半導體照明發光體
[8123-0151-0082] 多層式抗反射層以及采用該多層式抗反射層的半導體制程
[8123-0160-0083] 快速排水清洗槽
[8123-0204-0084] 覆晶封裝接合結構及其制造方法
[8123-0083-0085] 用于研磨的工件保持盤及工件研磨裝置及研磨方法
[8123-0005-0086] 具有用于大電流功率控制的功率半導體組件的裝置及應用
[8123-0123-0087] 白光二極管制造方法
[8123-0163-0088] 用加熱化學氣體產生的霧狀化學劑處理基片的方法及系統
[8123-0084-0089] 在絕緣體上硅基底上形成腔結構的方法和形成在絕緣體上硅基底上的腔結構
[8123-0110-0090] 一種超大規模集成電路p/g布線網快速分析方法
[8123-0192-0091] 具有單邊埋藏帶的記憶胞的制造方法
[8123-0008-0092] 使用固體電解質的電氣元件
[8123-0181-0093] 一種用于微芯片分析的正交光路型熒光檢測裝置
[8123-0096-0094] 改進的有機發光器件密封
[8123-0074-0095] 制備反蛋白石光子晶體異質結薄膜的方法
[8123-0077-0096] 具有半導體主體的發光光學元件
[8123-0071-0097] 局部絕緣體上的硅制作功率器件的結構及實現方法
[8123-0093-0098] 絕緣體上硅高壓器件結構
[8123-0024-0099] 具有量子阱和超晶格的基于ⅲ族氮化物的發光二極管結構
[8123-0002-0100] 集成電路用送電系統及其他系統
[8123-0026-0101] 熱電設備
[8123-0154-0102] 疊合標記的結構以及其形成方法
[8123-0047-0103] 薄膜晶體管陣列基板及薄膜疊層結構的制造方法
[8123-0212-0104] 一種互補金屬氧化物半導體集成電路及其制備方法
[8123-0058-0105] 導電通孔制作工藝
[8123-0078-0106] 高光強光電管
[8123-0089-0107] 半導體器件及其制造方法
[8123-0044-0108] 半導體表面鈍化方法
[8123-0149-0109] 一種修補顯示器面板上薄膜電晶體線路的方法
[8123-0060-0110] 一種即插即用片上測試向量生成電路及方法
[8123-0189-0111] 隔離具有部分垂直信道記憶單元的主動區的方法
[8123-0122-0112] 一種gan基發光二極管的制作方法
[8123-0111-0113] 一種線間串擾減速效應的時延測試生成方法
[8123-0052-0114] 基于半導體材料的納米線制作方法
[8123-0137-0115] 鑄模半導體晶片的裝置及工藝
[8123-0105-0116] 一種制備高質量氧化鋅基單晶薄膜的方法
[8123-0061-0117] 一種時鐘網絡布線的曼哈頓平面化切割線生成方法
[8123-0124-0118] 一種發光二極管
[8123-0021-0119] 具有輕摻雜源結構的凹槽dmos晶體管
[8123-0174-0120] ic封裝基板的電鍍引線布設處理方法及電鍍引線結構
[8123-0170-0121] 形成阻障層的方法與結構
[8123-0119-0122] 一種采用有機/無機納米雜化準固態電解質的太陽能電池及其制備方法
[8123-0056-0123] 光伏半導體薄膜渡液及其制備方法
[8123-0178-0124] 記憶卡中rtl級的實時硬件測試平臺及其測試方法
[8123-0041-0125] 用于有機薄膜晶體管的表面改性層
[8123-0106-0126] 測量半導體過剩載流子遷移率和擴散長度的裝置及方法
[8123-0164-0127] 提高感測組件組裝良品率的方法
[8123-0088-0128] 可壓力接觸的功率半導體模塊
[8123-0158-0129] 金屬硅化雙層結構及其形成方法
[8123-0103-0130] 激光退火裝置及激光退火工藝
[8123-0118-0131] 基于聚合物摻雜準固態電解質材料的太陽能電池及其制備方法
[8123-0007-0132] 光電傳感器
[8123-0184-0133] 淺溝渠隔離結構的制造方法
[8123-0165-0134] 防止凝結液污染基板的方法與裝置
[8123-0133-0135] cmp用研磨墊片、使用它的基板的研磨方法及cmp用研磨墊片的制造方法
[8123-0218-0136] 雙溝道積累型變容管及其制造方法
[8123-0207-0137] 具有散熱片的半導體封裝體
[8123-0076-0138] 光源模塊
[8123-0167-0139] 改善純硅玻璃與磷硅玻璃界面缺陷的方法及其含磷結構
[8123-0042-0140] 硼和鋁化合物在電子組件中的應用
[8123-0080-0141] 通用模塊化晶片輸送系統
[8123-0055-0142] 薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法
[8123-0116-0143] 基于si/sige的空穴型共振隧穿二極管
[8123-0128-0144] 一種減小相變存儲器寫入電流的單元結構的改進及方法
[8123-0197-0145] 雙面覆晶薄膜
[8123-0043-0146] 發光材料和有機發光裝置
[8123-0065-0147] 復合藍寶石襯底基片及其制備方法
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[8123-0018-0151] 半導體器件和電壓調節器
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[8123-0011-0154] 涂布裝置及涂布方法
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[8123-0072-0156] 場效應晶體管及其制造方法
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[8123-0206-0159] 在芯片上植設導電凸塊的半導體封裝件及其制法
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[8123-0104-0168] 薄膜晶體管及其制作方法
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[8123-0210-0171] 半導體的三明治抗反射結構金屬層及其制程
[8123-0157-0172] 薄膜晶體管的多晶硅制造方法
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[8123-0079-0175] 電子元件
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[8123-0146-0177] 用于微機電系統(mems)器件的錨固件
[8123-0171-0178] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
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[8123-0145-0180] 半導體裝置及其制造方法
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[8123-0010-0182] 自對準雙側面垂直金屬-絕緣體-金屬電容
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