半導體,半導體裝置,半導體存儲,制造半導體類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8160-0043-0001] 具有埋入電極的半導體器件
[摘要] 一種含有雙極晶體管的半導體器件，設置含有第１導電型的第１半導體區與第１導電型的比前述第１半導區還高的電阻率的第２半導體區的收集區、含有第２導電型的半導體區的基區以及含有第１導電型半導體區的發射區。在該收集區的上述第２半導體區層內，設置了連接上述第１半導體區與上述收集區上面的收集極的金屬層區。
[8160-0034-0002] 具有識別電路的半導體集成電路芯片
[摘要] 一種具有一個識別電路的半導體集成電路芯片包括一對電源供給端、多個輸入端及一個連接在任一電源供給端和任一輸入端間的識別電路裝置。該識別電路裝置包括：一個限制在電源供給端和輸入端之間的輸入電位差、具有一預定限幅電壓電平的電壓限幅器及與電壓限幅器連接的選擇裝置，根據電流通路是否在制造工藝中形成來決定芯片的識別信息。芯片的識別測試是用已有的輸入端、輸出端和電源端完成的，無須額外測試、特征管腳、激光設備等。
[8160-0125-0003] 小電流耐熱性好的電可擦存儲元件
本發明涉及小電流耐熱性好的電可擦存儲元件。該存儲元件包括由硫族改進的過渡金屬存儲材料體。存儲元件在明顯低的轉換能級轉換速度呈成數量級的高。因而本發明的存儲元件的特征在于，至少兩個穩定非易失可檢測的局部原子和／或電子有序的結構，該結構用指定的能級電輸入信號可選擇可重復地存取。該存儲元件的特征還在于，增加了數據保持期的熱穩定性，這穩定性是制作前述存儲元件的材料，用元素改進的Ｔｅ—Ｇｅ—Ｓｂ半導體材料實現的。
[8160-0131-0004] 專用集成電路樣機
[摘要] 一種對集成電路或ＡＳＩＣ執行仿真的電子硬件ＡＳＩＣ樣機，使可能在隨后的硬件環境中對要生成組分測試。借助于在邏輯單元中附加一個可編程延遲裝置，并借助于利用具有延遲裝置耦合段與由多個邏輯單元形成的邏輯模塊相結合，可以在仿真期間，實現對ＡＳＩＣ時間特性的考慮，獲得完整的仿真。借助于對所規定的邏輯狀態適當地設置所有的輸入，可以實現故障仿真。借助于可編程的延遲裝置，可以檢測到競爭問題。
[8160-0170-0005] 去除硅中的雜質及提高其少數載流子壽命的方法
[摘要] 一種用于提高受到過渡金屬尤其是鐵污染的硅本體的少數載流子復合壽命的方法。將所述硅本體在某一溫度下存放一段時間，所述的存放溫度和存放時間足以使這些金屬從硅本體的體內區域擴散到其表面層，從而明顯可測地提高少數載流子復合壽命。
[8160-0211-0006] 太陽電池
[摘要] 一種能充分吸收太陽光譜中近紅外線、可見光、紫外線、Ｘ射線、宇宙射線光譜中光分子，并能轉換成電能的效率高、壽命長、造價低的新型太陽能電池。它由襯底（圖一、１），電極Ａ（圖一、２），電池芯Ｈ、Ｋ、Ｚ、Ｘ、Ｇ（圖一、３、４、５、６、７），電極Ｂ（圖一、８），密封層（圖一、９），防震橡膠條（圖一、１０），邊框（圖一、１１）組成。
[8160-0189-0007] 圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制法
[摘要] 本發明涉及一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制法。本發明制法的操作程序為：擴散晶片被覆光阻劑、曝光及顯影、蝕刻溝槽、去除光阻劑、柵層清洗、玻璃粉柵層被覆、高溫玻璃化、鍍鎳及燒結、襯片及圓鐵片定位膠合、噴砂及分離圓晶粒即得到圓形玻璃鈍化二極體晶粒。本發明方法無須經過多種多次化學藥劑的浸泡，不傷晶體表面，得到電特性穩定、圓形無尖端的二極體晶粒。
[8160-0093-0008] 在順序多層基片中集成淀積垂直電阻
[摘要] 在包括有電路的基片材料（１０1）上形成的一種淀積垂直電阻，包括淀積在基片材料（１０１）上的第一樹脂層（１０３），并有對著與電路的特殊節點耦合的銅焊盤（１０２）的光刻開口部分。電阻性樹脂（１０４）淀積在光刻出的開口部分中，并在開口部分周圍形成預定的圖形。在第一和導電性樹脂層（１０４）上淀積第三樹脂層（１０５），此第三樹脂層（１０５）形成電路圖形。使銅材料（１０６）與電阻性樹脂（１０４）耦合，從而形成位于電阻樹脂（１０４）和下面的銅焊盤（１０２）上面的終端焊盤。
[8160-0159-0009] 一種獲得低表面分凝硅/鍺硅異質結構的外延生長方法
[摘要] 一種摻雜或不摻雜的ＣＶＤ外延生長低表面分凝硅／鍺硅異質結構的方法，包括生長量子阱、超晶格和其它由異質結構組成的多層結構，其特征是在生長過程中，采用氫氣稀釋生長源氣，氫氣流量為生長源氣總流量的２—４０倍。本方法可以得明顯低表面分凝的硅／鍺硅半導體異質結構材料，且工藝簡單易操作，設備無須大的變動。
[8160-0030-0010] 含靜電電容元件的半導體裝置及其制造方法
[摘要] 一種含靜電電容元件的半導體裝置及其制造方法，該裝置含有由半導體基體上形成的Ａ１區域和在該Ａ１區域表面上形成的Ａ１氧化膜，及將該Ａ１氧化膜夾在中間而與上述Ａ１區域相對的電極構成的電容器；其方法包括兩個工序，即通過利用烷基鋁氫化物的氣體和氫的ＣＶＤ法，堆積Ａｌ、或以Ａ１為主要成分的金屬，形成構成上述電容器的電極一側的工序，以及在上述電極一側表面上形成氧化鋁膜的工序。
[8160-0115-0011] 難熔金屬覆蓋的低阻值金屬導線和通道
[8160-0197-0012] 新型半導體器件
[8160-0172-0013] 硅片直接鍵合方法
[8160-0127-0014] 形成半導體器件的方法
[8160-0042-0015] 半導體器件的隔離方法
[8160-0079-0016] 藍-綠激光二極管
[8160-0082-0017] 半導體基體材料的制作方法
[8160-0074-0018] 日輻射發電
[8160-0097-0019] 用于半導體存儲器件的薄膜晶體管及其制造方法
[8160-0032-0020] 改進了元件隔離結構及布線結構的半導體器件
[8160-0005-0021] 制造紫外增強型光電二極管的方法
[8160-0036-0022] 肖特基結半導體器件
[8160-0163-0023] 光源及裝配發光二極管的技術
[8160-0217-0024] 半導體存儲器及其類型的設置方法
[8160-0213-0025] 高速電路電光采樣分析儀
[8160-0063-0026] 硅單晶薄片制造晶體管的方法
[8160-0078-0027] 電子零件裝配模件
[8160-0091-0028] 具有平面構圖表面的多片組件和集成電路襯底
[8160-0055-0029] 一種雙向晶閘管的燒結工藝
[8160-0160-0030] 光生伏打電池
[8160-0006-0031] 熱電式燃具熄火保護用熱電偶
[8160-0192-0032] 電子電路
[8160-0128-0033] 發光二極管顯示組件
[8160-0051-0034] 超大規模集成電路組件的自調節散熱裝置
[8160-0061-0035] 一種壓點腐蝕劑及刻蝕工藝
[8160-0147-0036] 圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制法
[8160-0048-0037] 消除熱應力的混合微電子器件
[8160-0021-0038] 集成電路再生供電法
[8160-0085-0039] 片式陶瓷鋁擴散源
[8160-0126-0040] 晶體管與豎直腔面發射激光器的集成化
[8160-0210-0041] 離子束致多重精細打印平面微細加工工藝
[8160-0052-0042] 電子電路的散熱裝置
[8160-0215-0043] 用于電子元件制造框架的預處理方法和設備
[8160-0157-0044] 一種具有雙負阻特性的負阻器件
[8160-0056-0045] 一種改進大功率雙向晶閘管換向能力的方法
[8160-0148-0046] 半導體溫差電致冷組件及技術
[8160-0142-0047] 具有電路化表面和保持涂層的晶片載體
[8160-0040-0048] 高度集成的半導體存儲器件及其制造方法
[8160-0182-0049] 處理半導體晶片的方法
[8160-0035-0050] 一種硅膜電容壓力傳感器及其制造方法
[8160-0196-0051] 半導體器件及其制造方法
[8160-0212-0052] 四極可關斷晶閘管
[8160-0105-0053] 一種太陽能電池的制造方法及其太陽能電池
[8160-0209-0054] 鎵銦砷(GaInAs)橫向光電晶體管及其集成技術
[8160-0044-0055] 用帶有傾斜澆口的設備將半導體器件密封在模制物料中
[8160-0016-0056] 含有基座的半導體器件及其制造方法
[8160-0099-0057] 半導體裝置的層間絕緣膜的形成方法
[8160-0086-0058] 傾角附加吸收區型超輻射發光管
[8160-0177-0059] 激光加工方法
[8160-0054-0060] 一種光控雙向晶閘管的設計
[8160-0153-0061] 半導體存貯器的老化使能電路及相應的老化測試方法
[8160-0121-0062] 可見光致發光的硅量子點制備方法
[8160-0107-0063] 提高硅高壓平面器件擊穿電壓的良品率的方法
[8160-0154-0064] 表面可安裝的時鐘振蕩器組件以及制造該組件的方法
[8160-0007-0065] 一種提高晶體管性能的方法
[8160-0071-0066] 鈉燈電子觸發器及雙向二極硅閘流管
[8160-0161-0067] 半導體存儲器及其制造方法
[8160-0110-0068] 類金剛石薄膜作光學增透膜的新應用
[8160-0145-0069] 微電子器件就位設置裝置
[8160-0024-0070] 半導體功率器件
[8160-0008-0071] 砷化鎵襯底上的混合并質外延
[8160-0133-0072] 電路及其制造方法
[8160-0138-0073] 具有銅-半導體化合物冶金材料的電子器件
[8160-0060-0074] 半導體臺面器件鈍化工藝
[8160-0141-0075] 電子器件的冷卻裝置
[8160-0029-0076] 發光半導體器件及其制造這種半導體器件的方法
[8160-0070-0077] 半導體引線架
[8160-0022-0078] 高光電轉換效率的P-N結硅光電二極管
[8160-0164-0079] 集成電路的制造方法和運用此方法獲得的集成電路
[8160-0194-0080] 鈦酸鉍鐵電薄膜的制備方法
[8160-0198-0081] 套迭式晶體管電極及其制造技術
[8160-0187-0082] 半導體器件及其制造方法
[8160-0207-0083] 防止液體中雜質附著的溶液和使用它的腐蝕方法及裝置
[8160-0092-0084] 熱循環和老化粘合力高的富銀導體組合物
[8160-0117-0085] 制造歐姆接觸的方法和具有歐姆接觸的光電池
[8160-0149-0086] 常溫一氧化碳氣體敏感元件的制備方法
[8160-0059-0087] 一種半導體器件靜電放電特性的改進方法
[8160-0112-0088] 雙柵襯底極板動態隨機存取存儲器單元陣列
[8160-0108-0089] 金屬氧化物半導體混成靜態感應半導體閘流管
[8160-0178-0090] 高靈敏度的光電導膜及其制備方法
[8160-0190-0091] 形成半導體器件接觸塞的方法
[8160-0202-0092] 一種介質隔離半導體器件及其制造方法
[8160-0168-0093] 一種硅雙面太陽電池
[8160-0053-0094] 整流二極管的制造方法
[8160-0116-0095] 強磁性金屬薄膜磁敏電阻及其制造工藝
[8160-0087-0096] 制造半導體器件的方法
[8160-0017-0097] 半導體氣相外延的減壓方法及系統
[8160-0165-0098] 半導體器件
[8160-0174-0099] 厚膜電路的基片及其制造方法
[8160-0038-0100] 一種制造半導體元件的方法和由此方法制成的太陽能電池
[8160-0156-0101] 疊層型陶瓷元件的制造方法
[8160-0180-0102] 半導體器件的制造方法
[8160-0015-0103] 電分色紅外接收器件
[8160-0003-0104] 液相外延等電子摻雜工藝
[8160-0146-0105] 半導體器件
[8160-0205-0106] 形成微細圖形的方法
[8160-0095-0107] 激光高溫超導開關
[8160-0096-0108] 向物體施加力的裝置
[8160-0208-0109] 晶體管及其制造方法
[8160-0026-0110] 一種開管鋁鎵擴散工藝
[8160-0080-0111] 腐蝕多孔硅用的腐蝕液、使用該腐蝕液的腐蝕方法及用該腐蝕液制作半導體基片的...
[8160-0195-0112] 半導體器件及其制造方法
[8160-0065-0113] 封裝
[8160-0201-0114] 一種擊穿電壓高的薄有源層半導體器件
[8160-0084-0115] 用于板面安裝的環氧模塑組合物
[8160-0155-0116] 鍵合在絕緣體上硅的減薄方法
[8160-0049-0117] 一種大功率壓電陶瓷材料
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[8160-0181-0120] 一種電鍵或鍵盤的制造方法和該方法的產品
[8160-0039-0121] 雙極型和互補金屬氧化物半導體晶體管的集成制造工藝
[8160-0185-0122] 組合線圈感應耦合高密度等離子體源
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[8160-0057-0127] 具有對準標記的半導體器件的制造方法
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