半導體,半導體封裝,半導體襯底,半導體存儲類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8105-0154-0001] 利用氧化物與多晶硅隔離墊制造高密度集成電路的方法
[摘要] 一種半導體存儲器件的小型互連與電容器制造方法。該方法用兩組隔離墊，形成自動對準的源極／位線接觸與電容器的存儲電極。第一隔離墊位于層間介電層的側壁上，限定出源極／位線的接觸窗。隨后，第二隔離墊形成在位線的側壁上，限定出電容器的存儲電極。自動對準制作過程用了兩組隔離墊，可使形成接觸窗的接觸蝕刻工藝的制作重疊限制更為寬松，也能形成長寬比很高的小型接觸窗。該方法可在同一掩模步驟中限定出源極與漏極的接觸，減少掩模步驟的數目。
[8105-0044-0002] 從離子注入器的內部區域中俘獲和清除不純粒子的方法和裝置
[摘要] 俘獲和清除在抽真空的離子注入器內部運動的不純粒子的方法包括步驟：提供具有不純粒子容易粘附的表面的粒子收集器；把粒子收集器固定到注入器，使粒子粘附表面處在與在內部區域運動的不純粒子的流體交流中；在預定時間周期以后，把粒子收集器從注入器中取出。在與粒子收集器結合的離子注入器中，收集器包括不純粒子容易粘附的表面和固定件，后者把粒子收集器可拆卸地固定到注入器，使粒子粘附表面處在與注入器的抽真空的內部的流體交流中。
[8105-0005-0003] 半導體存儲器件及其制造方法
半導體存儲器件包括：含有第二導電類型的源區和漏區（１０ａ，１０ｂ）的第一導電類型的半導體基片（１），和所形成的用來包圍源區（１０ａ）的第二導電類型的輕摻雜區（８）；形成在半導體基片（１）上的浮柵（４）；和形成在浮柵（４）上的控制柵（６），其特征是所形成的第一導電類型的重摻雜區（９）至少包圍漏區（１０ｂ），并在浮柵（４）下面和輕摻雜區（８）至少部分重疊。無論隧道柵氧化膜的厚度離散與否，該半導體存儲器件皆可防止數據過擦除，從而防止誤讀并增加工作的可靠性。
[8105-0212-0004] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種在ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ_Ｏｎ_Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）襯底上的互補金屬氧化物半導體（ＣＭＯＳ）晶體管這樣的具有兩個相鄰阱的半導體器件，特別是，涉及為了消除閂鎖（Ｌａｔｃｈ－ｕｐ）問題而具有完全絕緣的多個阱的半導體器件及其方法，達到能夠減小泄漏電流而防止半導體器件的閂鎖現象的效果。
[8105-0186-0005] 半導體器件制造工藝中用的等離子腐蝕方法
[摘要] 半導體器件制造工藝中用的等離子腐蝕法，用多種氣體轉換成等離子態，并與其上有掩模圖形的晶片離子碰撞和化學反應，碘化氫（ＨＩ）作為主要腐蝕氣體，腐蝕硅襯底材料層，進行上述的干腐蝕。在要求超小型化和極高集成度的半導體器件的制造中使用，能獲得優異的腐蝕形狀。
[8105-0046-0006] 接受器及其擋板
[摘要] 一種在筒形反應器中夾持半導體晶片以在晶片上進行材料化學氣態沉積的接受器，它有擋板，用以減少夾持在接受器中的最下部晶片底部所沉積的材料量，該擋板包括安裝在接受器底部的板形件和接受器各壁用的折流器。各折流器具有圓柱形的一弦段形狀，并在接受器的壁上最靠下的夾持凹槽之下緊貼接受器的相應壁地安裝在板形件上。
[8105-0033-0007] 薄膜晶體管的制造方法
[摘要] 一種簡化而且可靠性提高了的制造方法。一種薄膜制造方法，包括在襯底表面上選擇地形成光刻膠圖形的第１步、在襯底表面和光刻膠圖形表面形成薄膜的第２步、除去光刻膠圖形以選擇地除去其上淀積的薄膜即去掉的第３步，由此制成有所要求圖形的薄膜。
[8105-0045-0008] 清洗桶式反應器用的方法和裝置
[摘要] 利用反應氣體通過化學汽相沉積法將材料沉積在半導體晶片上用的反應器，包括限定反應室的殼體，殼體有一個開口進入反應室并從中延伸離開的噴口空腔。也包括將反應氣體輸入反應室的反應氣體輸送系統，該系統包括設在噴口空腔內的噴嘴、反應氣體源和連接氣源和噴嘴的管線。還包括將清洗氣體輸入反應室的清洗氣體輸送系統，該系統包括進入噴口空腔用于引入清洗氣體的出口、清洗氣體源和從氣源向出口輸氣的裝置。
[8105-0135-0009] 半導體集成電路試驗裝置
[摘要] 一種半導體集成電路試驗裝置，主機架為橫向長的箱狀體，其高度接近晶片檢測器；兩臺晶片檢測器在主機架的前側橫向并列配置；兩條輸出軸分別通過聯軸器安裝于一臺旋轉驅動裝置上；測試頭安裝在各輸出軸上；旋轉驅動裝置在其上部的后段裝載于主機架的上面的狀態下被設置于主機架的前面；安裝在輸出軸上的各測試頭處在與對應的晶片檢測器的觸頭部相對的位置，在和主機架的上部位置之間旋轉驅動，其目的在于減少設置面積，降低成本。
[8105-0020-0010] 壓電換能器
[摘要] 一種多層型壓電換能器，可防止其性能和機械強度因壓電陶瓷材料層的重疊有多個驅動電極的部位中多層壓電陶瓷材料層分離引起的下降。設在由多層壓電陶瓷材料層２ａ、…、２ｎ組成的疊片元件３內側的驅動電極７ｂ、…、７ｎ取網狀或條狀形式，使驅動電極７ｂ、…、７ｎ具有多個貫通部分９，通過這些貫通部分可以將位于驅動電極７ｂ、…、７ｎ兩側的壓電陶瓷材料層２ａ、…、２ｎ在多個位置上彼此連接起來。
[8105-0049-0011] 半導體集成電路器件及其制造方法和邏輯電路
[8105-0029-0012] 半導體器件的平整方法
[8105-0081-0013] 半導體器件
[8105-0094-0014] 電壓和電流基準電路
[8105-0155-0015] 導電體連線的制造方法
[8105-0025-0016] 具有固定桁條的集成電路觸點
[8105-0034-0017] 半導體襯底及其制造方法
[8105-0075-0018] 用于混合供電電壓系統的輸出驅動器
[8105-0116-0019] 半導體裝置及其制造方法
[8105-0095-0020] 用于透射電子顯微術的集成電路平面圖樣品的制備方法及其觀測方法
[8105-0214-0021] 塑料模制型半導體器件及其制造方法
[8105-0065-0022] 帶有降漏電流裝置的半導體集成電路器件
[8105-0143-0023] 半導體集成電路的電極結構及其封裝的形成方法
[8105-0006-0024] 半導體裝置和半導體裝置的制造方法
[8105-0091-0025] 制造帶有有機基片的電子元器件上的方法
[8105-0068-0026] 半導體器件及其制造工藝
[8105-0018-0027] 半導體存儲設備
[8105-0157-0028] 半導體器件及其制造方法
[8105-0191-0029] 全切面結玻璃鈍化的硅半導體二極管芯片及其制造方法
[8105-0193-0030] 集成電路空氣橋結構及其制造方法
[8105-0184-0031] 具有高輸入/輸出連接的半導體集成電路器件
[8105-0163-0032] 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
[8105-0103-0033] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8105-0072-0034] 控制器大容量存儲器混裝型半導體集成電路器件及測試法
[8105-0105-0035] 帶抗反射層的絕緣層的制造方法
[8105-0009-0036] 半導體器件
[8105-0066-0037] 一種功率半導體模塊的制造方法
[8105-0063-0038] 半導體集成電路裝置
[8105-0131-0039] 功率半導體器件及其制造方法
[8105-0146-0040] 等離子體處理方法和裝置
[8105-0159-0041] 從襯底表面除去碳的方法
[8105-0123-0042] 化合物半導體的Ｎ型摻雜方法和用此法生產的電子及光器件
[8105-0007-0043] 半導體器件
[8105-0076-0044] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8105-0041-0045] 半導體的封裝方法
[8105-0194-0046] 半導體器件、其制造方法以及組合型半導體器件
[8105-0119-0047] 半導體器件
[8105-0128-0048] 波導式光接收元件
[8105-0210-0049] 具有雙重結結構的半導體元件
[8105-0115-0050] 半導體發光器件
[8105-0136-0051] 半導體器件制造工藝中的等離子體蝕刻法
[8105-0190-0052] IC裝卸裝置及其裝卸頭
[8105-0015-0053] 電子束單元投影刻印系統
[8105-0107-0054] 在半導體襯底上制造具有高質量氧化膜的半導體器件的方法
[8105-0165-0055] 發光器件及其制造方法
[8105-0109-0056] 在半導體襯底上制造電容器的方法
[8105-0052-0057] 各種元件諸如半導體元件的模注方法及裝置
[8105-0168-0058] 一種改進的半導體封裝
[8105-0039-0059] 具有層疊鑲塊的移動式模制裝置
[8105-0035-0060] 光電二極管及其制作方法
[8105-0153-0061] 底部引線半導體芯片堆式封裝
[8105-0078-0062] 帶有集成去耦電容器的集成電路
[8105-0149-0063] 薄膜電阻器的制造方法
[8105-0090-0064] 元件裝配裝置
[8105-0108-0065] 制造半導體器件的方法
[8105-0213-0066] 半導體器件的制造方法
[8105-0110-0067] 半導體器件及其制造方法
[8105-0158-0068] 引線框和片式半導體封裝制造方法
[8105-0130-0069] 疊層壓電致動器
[8105-0010-0070] 抑制晶體缺陷、降低漏電流的器件隔離膜形成方法
[8105-0216-0071] 封裝產品的裝置和方法
[8105-0093-0072] 半導體器件中的隔離方法
[8105-0185-0073] 帶有焊料層的半導體片
[8105-0070-0074] 具有展露集成電路芯片窗口的集成電路器件及其相關方法
[8105-0036-0075] 抗靜電電路的薄膜晶體管及其制造方法
[8105-0021-0076] 半導體電路、半導體器件及其制造方法
[8105-0071-0077] 納米級平面微細結構加工裝置
[8105-0144-0078] 引線框、使用該引線框的半導體器件及其制造方法
[8105-0202-0079] 固態天線開關和場效應晶體管
[8105-0079-0080] 半導體裝置的靜電保護電路及其結構
[8105-0023-0081] 半導體集成電路
[8105-0061-0082] 高頻電路元件及其制造方法
[8105-0169-0083] 引線框架和半導體封裝
[8105-0142-0084] 半導體存儲器件
[8105-0048-0085] 半導體裝置
[8105-0056-0086] 用于半導體晶片運送裝置的晶片減震裝置
[8105-0192-0087] 減少子延遲變動的場效應晶體管
[8105-0058-0088] 半導體器件及其制造方法
[8105-0085-0089] SOI基片的制造方法
[8105-0120-0090] 半導體器件
[8105-0073-0091] 半導體器件的制造方法
[8105-0201-0092] 電子元件以及制造方法
[8105-0017-0093] 隔離半導體器件的元件的方法
[8105-0024-0094] 作為半導體外延薄膜生長用襯底的方鐵礦結構氧化物
[8105-0014-0095] 功率半導體器件及其制造方法
[8105-0040-0096] 用于制造半導體器件的電容器的方法及電容器結構
[8105-0141-0097] 使用混合電極的多晶鐵電電容器異質結構
[8105-0172-0098] 半導體存儲器及其制造方法
[8105-0197-0099] 多層非晶硅的制造方法
[8105-0111-0100] 薄膜晶體管的制造方法、有源矩陣基板的制造方法以及液晶顯示裝置
[8105-0164-0101] 密封光學元件的引線框架
[8105-0161-0102] 用粘貼法制造SOI基片的方法及SOI基片
[8105-0001-0103] 用于半導體芯片的成批處理裝置的工件供給方法和裝置
[8105-0019-0104] 只讀存儲器單元的結構及其制造方法
[8105-0032-0105] 相移掩模及其制備方法
[8105-0211-0106] 半導體器件及其制造方法
[8105-0106-0107] 將內引線焊接到半導體集成電路上的無凸緣方法
[8105-0026-0108] 光電器件及其制造方法
[8105-0206-0109] 改善高溫超導薄膜晶片性能的方法
[8105-0147-0110] 半導體晶片清洗裝置
[8105-0077-0111] 半導體存儲器及其制造方法
[8105-0086-0112] SOI基片及其制造方法
[8105-0171-0113] 動態隨機存取存儲器的電容結構及其制造方法
[8105-0069-0114] 電子組件與其制造方法及其所用的引線架與金屬模
[8105-0096-0115] 薄膜半導體及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[8105-0148-0116] 按功能區分的溫度補償晶體振蕩器及其制作方法
[8105-0132-0117] 半導體封裝件
[8105-0057-0118] 半導體裝置及其制造方法
[8105-0121-0119] 半導體裝置
[8105-0217-0120] 制造半導體器件的方法
[8105-0215-0121] 半導體器件的制造方法
[8105-0122-0122] 半導體器件的鎢塞形成方法
[8105-0156-0123] 采用蝕刻技術制作電容的方法
[8105-0199-0124] 珀爾帖組件
[8105-0102-0125] 鍺硅陽極絕緣柵異質結晶體管
[8105-0182-0126] 編程快速存貯單元的方法
[8105-0100-0127] 具有特制背面覆蓋材料的太陽能電池組件及其制造方法
[8105-0196-0128] 化學腐蝕槽
[8105-0054-0129] 半導體器件場氧化膜的制造方法
[8105-0170-0130] 凸起形成方法及裝置
[8105-0055-0131] 絕緣體上的硅襯底的制造方法及制造設備
[8105-0112-0132] 摻氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的成膜方法
[8105-0083-0133] 清洗晶片用的設備
[8105-0162-0134] 半導體薄膜及其制造方法以及半導體器件及其制造方法
[8105-0088-0135] 三色傳感器
[8105-0180-0136] 有強抗濕性和透光度的專用表面側覆層的太陽能電池組件
[8105-0117-0137] 半導體器件的體接觸結構
[8105-0166-0138] 具有在存儲器區域上定線的門陣列互連的集成電路
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[8105-0173-0140] 半導體器件試驗裝置
[8105-0208-0141] 鐵電體-半導體納米微粒復合材料薄膜的制備方法
[8105-0060-0142] 半導體裝置及其制作方法
[8105-0129-0143] 用于多單元晶體管的N邊多邊形單元布線
[8105-0160-0144] 半導體器件的金屬層圖案和形成這種金屬層圖案的方法
[8105-0174-0145] 半導體封裝引線去邊方法
[8105-0204-0146] 引線框架結構
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[8105-0138-0149] 化合物半導體的氣相外延工藝
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[8105-0064-0151] 半導體集成電路及采用該電路的系統
[8105-0097-0152] 半導體器件的制造方法
[8105-0179-0153] 新型通孔外形及其制造方法
[8105-0207-0154] 熱電式裝置
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[8105-0051-0157] 在印刷電路板的端子上形成導電層的方法和裝置
[8105-0053-0158] 離子注入器中離子束形成的方法和裝置
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