半導體,半導體結構,半導體存儲,半導體組件類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8126-0030-0001] 集成電路
[摘要] 層疊的金屬配線層形成電磁隔離構造，這些金屬配線層通過通孔而相互連接，由此形成層疊構造的金屬柵欄。金屬柵欄以包圍在集成電路內產生電磁場的螺旋電感等的元件的方式配置。此外，電磁波的Skindepth設為δ，c設為光速，集成電路的動作頻率設為f，金屬柵欄區域的橫向尺寸設為d，金屬柵欄的包圍線寬設為WF，通孔間隔設為L，信號的波長λ＝c/f時，d≤λ/8，WF≥5δ，L≤λ/20。能夠降低集成電路中的、電磁或經由基板的耦合噪音。
[8126-0191-0002] 半導體裝置制造方法
[摘要] 本半導體裝置的制造方法包括：在硅襯底(1)的主表面上形成第1及第2有源區域(10，20)的工序；在硅襯底(1)的主表面上形成第1熱氧化膜(3a)的工序；通過有選擇地除去第1熱氧化膜(3a)的預定部位，使第2有源區域(20)露出的工序；在第1及第2有源區域(10，20)上，形成第2熱氧化膜(3b)的工序；在第2熱氧化膜(3b)的形成溫度以上的溫度時，在第1及第2熱氧化膜(3a，3b)上實施低溫退火處理的工序；以及介于實施了該低溫退火處理的第1及第2熱氧化膜(3a，3b)形成第1及第2柵極(6a，6b)的工序。由此，提供一種降低了半導體襯底內部的遺留應力的半導體裝置的制造方法就成為可能。
[8126-0087-0003] 固態成像裝置、信號處理裝置、攝像機及光譜裝置
在光電二極管上方形成光屏蔽膜，所述光電二極管將所接收到的光轉換為電信號，在所述光電二極管和所述光屏蔽膜之間夾有絕緣膜。在截止膜中形成窗孔，以致截止所述光電二極管敏感的光線的波長范圍內的至少預定波長的光線，允許低于所述預定波長的光線穿過。
[8126-0180-0004] 安裝半導體芯片的裝置
[摘要] 一種半導體芯片安裝裝置，包括：焊接工具，所述焊接工具在絕緣粘合劑置于提供有突點的半導體芯片和提供有焊盤的基板之間的同時按壓半導體芯片，并且將突點超聲焊接到焊盤上，其中該焊接工具為方桿形，其側面相對于焊接工具的相鄰拐角之間假想的平坦表面向內彎曲。
[8126-0015-0005] 一種增加溝槽電容器的電容的方法
[摘要] 本發明提供了一種增加溝槽電容器的電容的方法，包括下列步驟：提供一基底；于基底表面形成一墊層結構；于墊層結構上形成一光阻圖案，而未被光阻圖案所覆蓋的區域是定義溝槽的區域；以光阻圖案與墊層結構作為蝕刻罩幕，于基底中形成一溝槽；去除光阻圖案；于溝槽下部形成一溝槽電容器；于溝槽電容器上方形成一第一絕緣層；于第一絕緣層上方形成一磊晶層襯墊于溝槽側壁上，以縮小溝槽的開口微距；以及去除未被磊晶層所覆蓋的第一絕緣層。
[8126-0075-0006] 防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程
[摘要] 一種防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程，是于先進行一離子布植制程，于一深渠溝頂部開口周圍的半導體硅基底的表面區域形成一離子布植區，再去除深渠溝電容器以外的氮化硅層，而后再于該離子布植區以外的該深渠溝的暴露側壁上長成一第一氧化層。該離子布植制程是利用N2作為離子源，用來抑制該第一氧化層的成長，且該離子布植區的深度是相對應于一預定埋入帶擴散區域的深度，是至少環繞該深渠溝頂部開口的一部分外圍，且鄰近于一預定埋入帶擴散區域。
[8126-0215-0007] 半導體存儲裝置
[摘要] 裝有多端口存儲器的本發明半導體存儲裝置，其中設有：行列狀配置的多個存儲單元MC；與第一端口(13a)連接的多條第一字線WLA0～WLAn；以及與第二端口(13b)連接的多條第二字線WLB0～WLBn。在平面布局中，多條第一字線WLA0～WLAn中的各條與多條第二字線WLB0～WLBn中的各條交互配置。由此，能夠得到不使存儲單元面積增大也可降低布線之間的耦合噪聲的半導體存儲裝置。
[8126-0050-0008] 疊層型光電元件及其制造方法
[摘要] 提供一種疊層型光電元件及其制造方法。該疊層型光電元件是由多個pn結或pin結組成的單元光電元件串聯疊層而形成的光電元件，其特征在于，在上述單元光電元件間的至少一處配置氧化鋅層，且該氧化鋅層的電阻率在層厚方向上不同。
[8126-0208-0009] 半導體存儲設備
[摘要] 公開了一種半導體存儲設備。在存儲單元通過選擇特定的字線而讀取所存儲的數據的過程中，與所選擇的字線相鄰的字線被同時選擇，或兩個位線被同時連接到讀出放大器的輸入端，這樣增加了讀出放大器的兩個輸入端之間的電壓差。因此，提高了讀取容限，提高了讀取操作的精度和改善了存儲設備的可靠性。
[8126-0008-0010] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[摘要] 在本發明的第一個方式中，一個基片定位系統包括在支撐基片的一個臺的周圍間隔開設置的多個推塊；每個推塊適于設置一個回縮位置以使所述基片被裝載在所述臺上或從其上卸載；向支撐在所述臺上的所述基片的一個邊緣延伸；接觸所述基片的所述邊緣；并且持續延伸以使所述基片相對于所述臺移動，直到所述基片相對于所述臺校準。本發明還提供了許多其它方式。
[8126-0117-0011] 結晶裝置和結晶方法以及移相掩模
[8126-0067-0012] 碳化硅溝槽式金氧半電晶體
[8126-0057-0013] 硅基可協變襯底上生長三族氮化物的方法
[8126-0031-0014] 拍攝照片用光源裝置
[8126-0109-0015] AC性能改進的高電壓NPN雙極型器件的生產方法
[8126-0097-0016] 發光二極管燈
[8126-0189-0017] 半導體裝置的電容器的制造方法
[8126-0065-0018] 多層半導體晶片結構
[8126-0166-0019] 強電介質膜、電容器及它們的制造方法及強電介質存儲器
[8126-0192-0020] 形成CMOS晶體管的方法
[8126-0173-0021] 半導體器件的制造方法
[8126-0006-0022] 相對于支撐臺確定襯底位置的方法和裝置
[8126-0021-0023] 熱傳導性復合片及其制造方法
[8126-0084-0024] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0170-0025] 用于非易失性存儲器的氧-氮-氧介電層制造方法
[8126-0176-0026] 半導體裝置的制造方法和電子設備的制造方法
[8126-0217-0027] 分離柵極閃存單元及其制造方法
[8126-0042-0028] 半導體存儲器
[8126-0019-0029] 可以將熱量傳遞遠距離的導熱塊
[8126-0212-0030] 半導體器件及其制造方法
[8126-0063-0031] 場效晶體管的一種閘極結構的制造方法
[8126-0139-0032] 含具有集成電路和金剛石層的管芯的電子組件及其制作方法
[8126-0005-0033] 防靜電破壞的IC元件測試系統
[8126-0091-0034] 低噪聲雙極結型光敏場效應晶體管及制作方法
[8126-0066-0035] 半導體機臺氣體反應室的氣體配送系統及方法
[8126-0022-0036] 熱超導塊、片、蓋體的制造方法
[8126-0151-0037] 基板處理裝置
[8126-0187-0038] 瓶型溝槽電容的制造方法
[8126-0190-0039] 一種半導體集成電路的制造方法及其產品
[8126-0182-0040] 用于測試半導體器件的處理器
[8126-0204-0041] 半導體器件及其設計方法
[8126-0140-0042] 用于電子封裝的電磁干擾屏蔽
[8126-0114-0043] 用于控制基本平坦物體上的溫度的溫控卡盤和方法
[8126-0141-0044] 具有多重半導體芯片的半導體組件
[8126-0053-0045] 發光二極管模塊裝置
[8126-0107-0046] 封裝的管芯封裝件上的直接增加層
[8126-0104-0047] 晶片的形狀評價方法及晶片以及晶片的揀選方法
[8126-0167-0048] 半導體結構的制造方法
[8126-0184-0049] 具有半導體晶片載置臺的半導體處理裝置
[8126-0198-0050] 半導體裝置
[8126-0157-0051] 微晶圖制作過程
[8126-0049-0052] 薄膜晶體管的雙柵極布局結構
[8126-0113-0053] 具有有機層的光輻射構件
[8126-0082-0054] 強電介體薄膜及其制造方法、強電介體存儲器、壓電元件
[8126-0017-0055] 半導體裝置的制造方法
[8126-0154-0056] 從物體微觀結構中去除殘余物的方法和裝置
[8126-0162-0057] 氣化器
[8126-0037-0058] 具有電容器的半導體設備及其制造方法
[8126-0150-0059] 制造合并型半導體裝置的方法
[8126-0171-0060] 熱處理裝置、熱處理系統及熱處理裝置的溫度控制方法
[8126-0014-0061] 半導體器件的制造方法
[8126-0060-0062] 等離子體處理裝置和高頻電力供給裝置
[8126-0142-0063] 對稱溝槽MOSFET器件及其制造方法
[8126-0203-0064] 半導體裝置及其制造方法
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[8126-0092-0066] 半導體光接收器件及其制造方法
[8126-0210-0067] 可同時具有部分空乏晶體管與完全空乏晶體管的芯片及其制作方法
[8126-0085-0068] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0079-0069] 半導體封裝和制造方法
[8126-0197-0070] 熱膨脹系數匹配的專用散熱器組件
[8126-0119-0071] MSQ-基多孔低-K薄膜材料的等離子體固化
[8126-0193-0072] 封裝基板
[8126-0128-0073] 在基體材料上構造氧化層的方法
[8126-0145-0074] 超導體方法和反應器
[8126-0040-0075] 快閃存儲胞及其制造方法
[8126-0146-0076] 判斷造成半導體機臺異常原因的系統與方法
[8126-0199-0077] 帶有可見標識的散熱片
[8126-0165-0078] 晶片切割方法
[8126-0032-0079] 半導體裝置及其驅動方法、CPU、圖像處理電路及電子裝置
[8126-0020-0080] 利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構
[8126-0111-0081] 用于藍色磷光基有機發光二極管的材料與器件
[8126-0207-0082] 半導體裝置及其制造方法、電子設備、電子儀器
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[8126-0043-0085] 具有獨立可控的控制柵的雙向讀取/編程非易失性浮柵存儲單元及其陣列和形成方...
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[8126-0081-0091] 半導體器件
[8126-0179-0092] 布線基板及其制造方法和半導體器件及其制造方法
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