半導體,半導體集成電路器件,半導體裝置,半導體晶片類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
歡迎選購！請記住本套資料售價：168元；資料編號：F350878
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8155-0210-0001] 發光器件
[摘要] 本發明提供一個TFT，它的溝道長度比目前的長，具體地說，比目前的要長幾十倍到幾百倍，因而，能在比目前高得多的驅動柵電壓下進入接通狀態，并具有一個低的溝道電導gd。根據本發明，不但接通電流的簡單離散而且其歸一化離散可以被減小，除了在各TFT之間的離散的減少以外，OLED自身的離散，和由于OLED損壞引起的離散也可以被減少。
[8155-0087-0002] 電容元件及其制造方法和半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種使強介質膜的加工更加容易、能夠控制絕緣體內空隙的發生、提高電容元件上膜的覆蓋質量的電容元件及其制造方法、以及相關半導體裝置及其制造方法。根據本發明的電容元件的制造方法包括以下步驟：在元件隔離膜(2)上形成下方電極(10)；在下方電極上形成第一層間絕緣膜(9)；在第一層間絕緣膜(9)內形成并位于下方電極(10)上的溝道(9a)和(9b)；在溝道內以及第一層間絕緣膜(9)上淀積強介質膜(11)；在強介質膜上和溝道內淀積導電膜(12)；以及通過對導電膜(12)、強介質膜(11)及第一層間絕緣膜(9)進行CMP研磨，在溝道內埋置強介質膜(11a)和(11b)與上方電極(12a)和(12b)。
[8155-0019-0003] 可撓式散熱裝置
一種可撓式散熱裝置，是應用在一發熱體與一傳熱介質中間，該散熱裝置包含有多數個呈薄片狀可撓性變形的散熱鰭片單元，各該散熱鰭片單元具有一接觸該發熱體的接觸部及一接觸該傳熱介質的導熱部，使各該散熱鰭片單元均依該發熱體的相對表面形狀而無間隙地與該發熱體接觸。本發明的可撓式散熱裝置，可隨發熱體表面形狀及使用空間需求產生變形，從而可直接接觸發熱體表面，使得接觸面積及熱傳導性提高，提高散熱效率。
[8155-0064-0004] 半導體器件的制造方法
[摘要] 一種制造半導體器件的方法，其特征在于，它包括下列步驟：在整個玻璃襯底上制備多個半導體島；將所述半導體島都摻以離子；將具有在一個方向上的細長截面的脈動準分子激光束對準所述玻璃襯底；沿垂直于所述脈動準分子激光束伸長方向的方向移動所述玻璃襯底，從而用所述脈動準分子激光束照射所述半導體島。
[8155-0090-0005] 納米多晶生物薄膜光電池及其制作方法
[摘要] 本發明公開一種納米多晶生物薄膜光電池及其制作方法。為解決現有太陽能光電池生產、使用成本高的問題而設計，該光電池從上到下的結構為：①透光塑料膜蓋層，②SnO2導電膜層，③有機或無機光敏染料，ZnO、ZnS、Nb2O2或TiO2等半導體薄膜和乳膠狀氧化還原劑自組裝成的具有空穴的半導體膜，④Ag、Au、Pt導電膜，⑤SnO2導電膜，⑥薄板墊層。該光電池的制作步驟為：①在導電薄膜墊層上噴涂導電溶液并真空烘干；②然后用絲網印刷法涂ZnO、ZnS乳膠膜并真空烘干；③把烘干的②步驟產品放入有機或無機光敏染料中浸泡后吹干；④把③步驟的產品的導電面加蓋透光塑料薄膜層后在邊緣部粘結；該光電池可應用于多種用電場所。
[8155-0073-0006] 雙垂直通道薄膜電晶體CMOS的制造方法及其產品
[摘要] 一種雙垂直通道薄膜電晶體CMOS的制造方法及其產品，包括形成閘極層于基板的表面。形成第一絕緣層于閘極層及基板的表面。形成半導體層于第一絕緣層的表面，半導體層具有第一區域、第二區域及位于第一區域及第二區域之間的中間區域。形成第一罩幕于第一區域的表面，并施行N+摻雜步驟，于第二區域定義出第一摻雜區與第二通道。形成第二罩幕于第二區域的表面并施行P+摻雜步驟，于第一區域定義出第二摻雜區與第一通道。于中間區域定義出本征區。形成第一絕緣層于第一摻雜區、第二摻雜區、第一通道、第二通道及本征區的表面。形成金屬層于露出的第一摻雜區及第二摻雜區的表面。具有簡化CMOS的制造步驟及組件面積，有效降低成產成本，大幅降低漏電流及大幅地的提升組件的效能。
[8155-0103-0007] 形成電阻性電極的方法
[摘要] 本發明提供一種形成電阻性電極的方法，包括如下步驟：在n-型氮化物半導體層的表面上形成厚度為1～15納米的鉿層；在鉿層上形成鋁層；以及退火處理鉿層和鋁層，形成鉿和鋁混合在一起的層。
[8155-0172-0008] 減少了延遲變動的場效應晶體管
[摘要] 在具有第一導電類型的溝道、源和漏區的化合物半導體層內設置減少了延遲變動的場效應晶體管。在上述的區域上分別形成柵、源和漏電極。特別是柵電極設有在與所述源和漏區的相對方向交叉的方向上延伸的伸出部分，并從溝道區伸出。在該化合物半導體層中，形成與第一導電類型相反的第二導電類型的阱區，以便比在溝道、源和漏區內更深地圍住溝道區、源區和漏區以及柵電極的伸出部分。通過用第二導電類型的阱區圍住包括伸出部分的柵電極，使延遲變動顯著地減少。
[8155-0177-0009] 在空穴傳遞層和/或電子傳遞層中含有色中性摻雜劑的有機發光器件
[摘要] 公開了有機電致發光器件，其包括基材，位于基材之上的陽極和陰極，位于陽極和陰極之間的發射層(EML)，位于陽極和發射層之間的空穴傳遞層(HTL)，和位于陰極和發射層之間的電子傳遞層(ETL)。HTL、ETL或HTL和ETL兩者的次層包括作為色中性摻雜劑的蒽衍生物，該次層與EML相鄰。色中性摻雜劑是其存在不改變器件電致發光顏色的摻雜劑。
[8155-0047-0010] 檢測光刻膠剝離過程終點的方法和裝置
[摘要] 一種用來檢測光刻膠剝離過程的終點的方法和裝置。要剝離光刻膠的晶片被設置在剝離室內。在基本上所有的光刻膠都從晶片上剝離后，O和NO反應形成NO2的速度增加，這就增加了發射光的強度。一個光檢測裝置檢測到光強度的增加，這標志著光刻膠剝離過程的終點。
[8155-0054-0011] 半導體襯底、半導體元件及其制造方法
[8155-0096-0012] 在原子層沉積過程中使寄生化學氣相沉積最小化的裝置和原理
[8155-0193-0013] 陣列式焊墊的晶片封裝結構
[8155-0115-0014] 一種集成電路工藝中掩模板設計配置方法
[8155-0017-0015] 高頻半導體裝置
[8155-0085-0016] 具有電極的電子器件及其制備
[8155-0003-0017] 半導體集成電路裝置的制造方法
[8155-0030-0018] 具溝渠源極線的快閃記憶體及其制作方法
[8155-0114-0019] 制造具有淺結的集成電路的方法
[8155-0146-0020] 橫向外延生長高質量氮化鎵薄膜的方法
[8155-0104-0021] 一種高介電柵介質結構及其制備方法
[8155-0014-0022] 半導體器件的制造方法
[8155-0213-0023] 用于被動相變熱管理的設備和方法
[8155-0215-0024] 有機電發光器件及其制造方法
[8155-0206-0025] 集成型肖特基勢壘二極管及其制造方法
[8155-0183-0026] 硅鍺/硅的化學氣相沉積生長方法
[8155-0124-0027] 互補式金氧半導體影像感測元件
[8155-0093-0028] 一種單/多層異質量子點結構的制作方法
[8155-0126-0029] 半導體器件
[8155-0032-0030] 非易失性半導體存儲器
[8155-0145-0031] 顯像裝置的環境控制裝置及其環境控制方法
[8155-0081-0032] 集成電路管腳的雙用途以及在所述管腳上的信號切換
[8155-0152-0033] 連接矩陣排列封裝芯片的錫球與電路板以取代電路板上線路的方法
[8155-0166-0034] 非易失性半導體存儲裝置
[8155-0178-0035] 板式磁阻感測片元件的固定裝置
[8155-0142-0036] 制造半導體器件的方法
[8155-0028-0037] 半導體器件
[8155-0151-0038] 表面安裝器件封裝的引線接合方法
[8155-0060-0039] 一種降低SiC介電常數的沉積工藝
[8155-0212-0040] 利用高溫去光阻以形成高品質的多重厚度氧化物層的方法
[8155-0194-0041] 用于半導體器件的多層基板
[8155-0147-0042] 具有表面構造的發光二極管
[8155-0013-0043] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8155-0191-0044] 半導體器件的制造方法和半導體器件
[8155-0154-0045] 制造具有驅動集成電路的陣列襯底的方法
[8155-0211-0046] 磁傳感器
[8155-0038-0047] 半導體膜,半導體器件,和制造方法
[8155-0181-0048] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子設備
[8155-0179-0049] 板式磁阻感測片元件的制造方法
[8155-0125-0050] 發光元件陣列
[8155-0068-0051] 測試陣列與測試存儲陣列的方法
[8155-0184-0052] 半導體集成電路器件的制造方法
[8155-0058-0053] 一種抗反射膜SiON表面CH4等離子體處理方法
[8155-0110-0054] 自動化集成電路整機測試控制方法
[8155-0169-0055] 半導體存儲器
[8155-0092-0056] 顯示元件的封裝結構及其封裝方法
[8155-0164-0057] 非易失性半導體存儲裝置
[8155-0106-0058] 絕緣膜形成材料,絕緣膜,形成絕緣膜的方法及半導體器件
[8155-0122-0059] 可擦寫可編程只讀存儲器
[8155-0016-0060] 電子元件
[8155-0186-0061] 激光輻照方法和激光輻照裝置以及制造半導體器件的方法
[8155-0170-0062] 半導體器件及電子裝置
[8155-0141-0063] 半導體膜、半導體器件和用于制造半導體膜、半導體器件的方法
[8155-0121-0064] 鐵電電容器和半導體器件
[8155-0108-0065] 半導體晶片的封裝方法及其成品
[8155-0208-0066] 中空LED發光二極管
[8155-0076-0067] 高壓元件的周邊
[8155-0187-0068] 具挑高柱身的金屬凸塊的制作方法及其制作裝置
[8155-0209-0069] 白光光源的制作方法
[8155-0195-0070] 半導體封裝及其制造方法
[8155-0024-0071] 半導體器件及其制造方法
[8155-0037-0072] 高效能柵極氮化物只讀存儲器的結構
[8155-0094-0073] 通過形成帶有半球狀硅的硅電極來制造電容器的方法
[8155-0189-0074] 一種淺溝絕緣制程方法
[8155-0197-0075] 具挑高柱身的金屬凸塊及其制作方法與裝置
[8155-0018-0076] 散熱方法及其機構
[8155-0055-0077] 離子注入的方法和設備
[8155-0036-0078] 化合物半導體裝置
[8155-0156-0079] 平形半導體堆疊裝置
[8155-0008-0080] 半導體試驗裝置、半導體裝置的試驗方法和制造方法
[8155-0080-0081] 半導體集成電路
[8155-0163-0082] 半導體裝置
[8155-0035-0083] 開關元件、顯示裝置、發光裝置及半導體裝置
[8155-0010-0084] 板狀物支撐部件及其使用方法
[8155-0176-0085] 高生產率的發光元件覆晶接合方法
[8155-0097-0086] 消除隔離溝槽拐角晶體管器件的間隔層工藝
[8155-0132-0087] 半導體結構
[8155-0134-0088] 制造NAND閃存的單隧道柵極氧化工藝
[8155-0128-0089] 自備散熱器的發光二極管
[8155-0148-0090] 半導體膜、半導體器件和它們的生產方法
[8155-0082-0091] 電子靜電放電保護器件及其制造方法
[8155-0057-0092] 晶圓的化學機械研磨裝置
[8155-0084-0093] 雙層對稱式固體電路變壓器
[8155-0001-0094] 改善結構強度的半導體器件的制造方法
[8155-0051-0095] 用環形接觸部件剝離半導體器件的方法和裝置
[8155-0049-0096] 恒溫處理至少一種處理物體的裝置和方法
[8155-0117-0097] 樹脂密封型的半導體裝置
[8155-0133-0098] 半導體結構
[8155-0143-0099] 制造原子分辨存儲器件的光滑表面的結晶相變層的方法
[8155-0107-0100] 硅鍺/絕緣體上外延硅互補金屬氧化物半導體及其制造方法
[8155-0218-0101] 包含電容二極管的電子元件、該元件在接收單元中的用途以及包含該元件的電路裝...
[8155-0020-0102] 引線框架以及制造該引線框架的方法
[8155-0203-0103] CMOS圖像傳感器的零直流電流讀出電路
[8155-0135-0104] 電子器件封裝
[8155-0059-0105] 除去有機薄膜的方法和設備
[8155-0067-0106] 晶片級芯片尺寸封裝結構及其工藝
[8155-0157-0107] 具堆棧芯片的半導體封裝件
[8155-0053-0108] 半導體器件的制造方法
[8155-0074-0109] 具有分離式浮柵的閃存的制造方法及其結構
[8155-0131-0110] 量子阱混合
[8155-0175-0111] 鈦基復合型薄膜光電極及其制備方法
[8155-0045-0112] 制備Ⅲ族氮化物半導體的方法及Ⅲ族氮化物半導體器件
[8155-0101-0113] 加熱爐與半導體基板裝載治具的組合及半導體裝置的制造方法
[8155-0048-0114] 橫向結型場效應晶體管
[8155-0216-0115] 用于高速多分辨率成像器的視頻總線及其方法
[8155-0105-0116] 一種在鈦酸鍶基片上制備納米級有序微裂紋的方法
[8155-0201-0117] 多階NROM的存儲單元及其操作方法
[8155-0198-0118] 半導體器件
[8155-0089-0119] 雙垂直通道薄膜電晶體及其制造方法
[8155-0021-0120] 引線框架以及利用該引線框架制造半導體裝置的方法
[8155-0086-0121] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8155-0031-0122] 一種具有平坦式區塊選擇晶體管的高密度掩模式非揮發性存儲器陣列結構
[8155-0046-0123] 制備III族氮化物半導體的方法及III族氮化物半導體器件
[8155-0159-0124] 半導體存儲器
[8155-0050-0125] 垂直結構lnGaN發光二極管
[8155-0098-0126] 半導體用粘接膜、使用了該膜的引線框、半導體裝置及其制造方法
[8155-0070-0127] 深亞微米底層無機抗反射層SiON的集成方法
[8155-0150-0128] 涂層的處理方法及利用該方法制造半導體器件的方法
[8155-0137-0129] 布線基片、半導體器件和布線基片的制造方法
[8155-0011-0130] 脫氧核醣核酸邏輯集成電路的制造方法
[8155-0109-0131] IC卡制造裝置
[8155-0207-0132] 發光二極管芯片的多芯片封裝結構
[8155-0173-0133] 光電元件、它的電極結構及其制造方法
[8155-0160-0134] 時鐘發生電路、集成電路存儲器件和使用這種器件的方法
[8155-0205-0135] CMOS圖像傳感器中具有減弱的暗電流的有源像素
[8155-0061-0136] 抗反射膜SiON表面氫等離子體處理方法
[8155-0119-0137] 一種可自由變色的發光裝置
[8155-0217-0138] 半導體裝置
[8155-0158-0139] 半導體裝置
[8155-0196-0140] 陣列式散熱片冷卻器
[8155-0113-0141] 半導體器件及其制作工藝和檢測方法
[8155-0083-0142] 半導體集成電路
[8155-0005-0143] 制造雙擴散漏極高電壓器件的工藝方法
[8155-0009-0144] 半導體襯底夾具和半導體器件的制造方法
[8155-0140-0145] 熱處理設備和用于熱處理的方法
[8155-0015-0146] 電路板及其制作方法和高輸出模塊
[8155-0039-0147] 諧振腔增強的n型砷化鎵遠紅外探測器的反射鏡
[8155-0069-0148] 半導體裝置的制造方法
[8155-0027-0149] 半導體器件及其制造方法
[8155-0161-0150] 高耐壓半導體裝置
[8155-0192-0151] 互補型金屬氧化物半導體器件及其制造方法
[8155-0199-0152] 半導體集成電路
[8155-0185-0153] 隧道氧化層的制造方法
[8155-0214-0154] 疊層中的垂直電互連
[8155-0079-0155] 半導體芯片與布線基板及制法、半導體晶片、半導體裝置
[8155-0112-0156] 自動化集成電路整機測試系統、裝置及其方法
[8155-0138-0157] 制作有源矩陣基片的方法
[8155-0052-0158] 化學汽相淀積生成TiN阻擋層的方法
[8155-0102-0159] 一種多層膜結構的半導體柵工藝處理方法
[8155-0100-0160] 與半導體進行自摻雜接觸的方法和裝置
[8155-0168-0161] 非易失性半導體存儲器
[8155-0182-0162] 圖案形成方法
[8155-0200-0163] 用于大存儲容量的3-D存儲設備
[8155-0155-0164] 芯片封裝結構及結構中的基底板
[8155-0043-0165] 有機薄膜晶體管
[8155-0111-0166] 自動化集成電路整機測試系統、裝置及其方法
[8155-0072-0167] 基于A1材料的摻銅金屬布線工藝
[8155-0023-0168] 半導體集成電路器件及其制作方法
[8155-0149-0169] 基板清洗系統
[8155-0165-0170] 半導體裝置
[8155-0034-0171] 絕緣柵型半導體器件
[8155-0144-0172] 曝光掩模的制造方法及其應用
[8155-0171-0173] CMOS圖像傳感器
[8155-0022-0174] 引線框架、其制造方法及使用它的半導體器件的制造方法
[8155-0006-0175] 半導體熱處理工藝與設備及由該工藝熱處理的半導體
[8155-0130-0176] 敷銅型陶瓷散熱基片的制造工藝
[8155-0204-0177] 圖像傳感器
[8155-0077-0178] 整合式散熱裝置
[8155-0002-0179] 能高精度地控制拋光時間的拋光方法和拋光裝置
[8155-0095-0180] 含肽半導體用研磨劑
[8155-0127-0181] 透明導電膜前電極晶體硅太陽能電池
[8155-0190-0182] 消除雙層嵌入結構的銅侵蝕的方法
[8155-0075-0183] P型信道氮化硅只讀存儲器的擦除方法
[8155-0167-0184] 非易失性半導體存儲裝置
[8155-0071-0185] 使用金屬硬罩幕的雙鑲嵌制程
[8155-0180-0186] 半導體器件及其制造方法
[8155-0041-0187] 諧振腔增強的遠紅外探測器反射鏡的制備方法
[8155-0136-0188] 以晶片級形成堆積管芯集成電路芯片封裝件的方法
[8155-0042-0189] 修改磁性隧道結轉換場特性的方法
[8155-0078-0190] 引線框架,其制造方法與使用其的半導體器件制造方法
[8155-0062-0191] 深亞微米集成電路Cu阻擋層的制備工藝
[8155-0123-0192] 形成浮動柵存儲單元的存儲器陣列自對準法和存儲器陣列
[8155-0063-0193] 一種雙大馬士革結構中銅阻擋層的淀積方法
[8155-0162-0194] 交叉點二極管存儲陣列尋址制造技術
[8155-0088-0195] 設于硅覆絕緣中的硅控整流器及其應用電路
[8155-0129-0196] 發光二極管及其制造方法
[8155-0153-0197] 利用原子層淀積形成薄膜的方法
[8155-0120-0198] 半導體集成電路和標準單元配置設計方法
[8155-0004-0199] 形成金屬硅化物的方法
[8155-0040-0200] 具有熱塑性熱熔融體粘合劑層的光電組件和其生產方法
[8155-0099-0201] 逆變器
[8155-0118-0202] 半導體裝置及其制造方法
[8155-0139-0203] 性能改善的雙擴散金屬氧化物半導體的晶體管結構
[8155-0202-0204] 平板顯示器及其制造方法
[8155-0033-0205] 圖像顯示設備
[8155-0029-0206] 三維集成存儲器
[8155-0174-0207] 太陽能電池組和光電發電系統
[8155-0188-0208] 鐵電電容器的制造方法
[8155-0056-0209] 晶圓的化學機械研磨方法及其裝置
[8155-0066-0210] 一種在硅襯底上形成MOS器件的方法
[8155-0007-0211] 祼芯片安裝方法及安裝系統
[8155-0025-0212] 具有防治閉鎖功能的靜電放電保護電路
[8155-0012-0213] 半導體裝置的制造方法
[8155-0091-0214] InGaAs/InP PIN光電探測器及其制造工藝
[8155-0065-0215] 激光退火設備，TFT裝置和相應的退火方法
[8155-0044-0216] 半導體集成電路器件、其制造方法和掩模的制作方法
[8155-0026-0217] 單晶體管型磁隨機存取存儲器及其操作和制造方法
[8155-0116-0218] 利用側墻和多晶硅固相擴散制作納米CMOS器件的方法
[8155-0219-0219] 光電薄膜組件的制備方法
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417 收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中國 銀行：418330501880227509 戶 名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站 收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電 話：0414-2114320 3130161
手 機：13941407298 13050204739
客服QQ：547978981 824312550 517161662
敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。
本公司供應半導體,半導體集成電路器件,半導體裝置,半導體晶片類技術資料(168元/全套質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
