半導體,半導體晶片,半導體元件,半導體結構最新技術匯編(168元/全套)
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[8172-0098-0001] 制造光電器件的方法
[摘要] 本發明的目的在于提供一種具有高操作性能和穩定性的光電器件，以及制造該光電器件的方法。$lov區２０７設置在含有驅動電路的n－溝道ｔｆｔ３０２中，實現了抗熱流干擾的ｔｆｔ結構。ｌoff區２１７～２２０設置在含有像素部分的n－溝道ｔｆｔ３０４中，實現了具有低斷開電流值的ｔｆｔ結構。通過層疊第一布線和電阻率比第一布線低的第二布線形成輸入－輸出信號布線３０５和柵極布線３０６，并且布線的電阻率大為減小。
[8172-0203-0002] 內場助金屬超微粒子/介質復合光電發射薄膜及應用
[摘要] 一種可以對近紅外波段弱超快光信號進行檢測的內場助光電發射薄膜結構，屬于半導體器件領域。此種光電發射薄膜結構的特點是在金屬超微粒子／介質復合薄膜表面沉積一層一定厚度的銀薄膜電極，從而通過加入內場的方法達到提高該種光電發射薄膜量子產額的目的。本發明的內場助金屬超微粒子／介質復合光電發射薄膜可用于近紅外光電檢測、超快光電信號轉換等方面。
[8172-0021-0003] 薄膜二端元件、其制造方法和液晶顯示裝置
一種薄膜二端元件，由下述部分構成：第１金屬膜，起到布線層和第１電極的作用；第１絕緣膜，在該第１金屬膜的第１電極上形成，具有非線性電阻特性；第２金屬膜，在該第１絕緣膜上形成，起到第２電極的作用；以及第３金屬膜，其應力比在上述第１金屬膜的布線層部分上形成的第１金屬膜的應力小，而且，電阻小。一種薄膜二端元件，在作為絕緣性基板的樹脂基板上形成了下述部分：第１金屬膜，起到布線層和第１電極的作用；第１絕緣膜，在該第１金屬膜的第１電極上形成，具有非線性電阻特性；第２金屬膜，在該第１絕緣膜上形成，起到第２電極的作用；以及第２絕緣膜，在除了通過上述第１絕緣膜在與第１電極之間起到導電性的功能的部分外的上述第２金屬膜的下部形成。
[8172-0209-0004] 半導體襯底及其制備方法
[摘要] 為了提供可用作適合制備高頻晶體管的ｓｏｉ襯底的半導體襯底，采用如下制備半導體襯底的方法，該方法具有將含有半導體層區的第一基板與第二基板鍵合的步驟和去除第一基板而在第二基板留下半導體層區的步驟，其中根據第二基板的成分，確定在鍵合氣氛中ｐ－型雜質濃度和ｎ－型雜質濃度之間的數量關系。
[8172-0141-0005] 連接兩個電子元件的裝置和方法
[摘要] 用于兩個電子元件１和４間連接的連接裝置，所述裝置被設置在包括兩個熱膨脹系數不同的金屬層６和７的第一電子元件１上，而多個側壁部件２０a被設置在所述金屬層１９上，以給第二電子元件４０形成連接空間３５。
[8172-0065-0006] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一絕緣層１２被形成在半導體基片１１上并且具有凹槽１２ａ用于在預定區形成配線層１５。在凹槽１２ａ內壁上形成阻擋層金屬并防止構成配線層１５的原子擴散進入絕緣層１２。在形成在凹槽１２ａ的底部的阻擋層金屬１３上形成晶種層１４并作為形成配線層１５時結晶生長的晶核。晶種層以結晶方向（１１１）為主。形成配線層以掩埋凹槽１２ａ。此外，配線層以結晶方向（１１１）為主，其抑制電遷移。
[8172-0076-0007] 介電元件的制造方法
[摘要] 本發明的目的在于通過采用包含絕緣粒子的鐵電層，提供具有高pr和低ec并且耐電壓性能優良的薄膜化的鐵電元件。包含絕緣粒子的鐵電層可以有效抑制沿晶界產生的漏泄電流，并由此表面出具有高pr、低ec及優良的耐電壓。鐵電元件的結構為鐵電層以薄膜的形式夾于電極之間。通過將該鐵電元件裝進場效應晶體管結構中，可以得到用以檢測讀出和寫入的具有高集成度的半導體裝置。
[8172-0162-0008] 一種全電極陶瓷驅動器的制備技術
[摘要] 一種全電極陶瓷驅動器的制備技術，主要包括將印有３ａ型有機粘結膠的滿電極陶瓷厚膜元件疊成所需高度后，夾緊在７０—８０℃，１２—１６小時固化；然后經冷加工使每層元件的端電極完全暴露，再用阻焊油墨８均勻涂覆外露端電極６的４個側面，油墨固化后在兩個相對側面分別交替刻出端電極６使其交替外露；最后用導電膠將兩側面交替暴露的端電極的６涂覆連接起來，在固化的導電膠上焊接引線。制備的陶瓷驅動器具有位移均勻、抗負載力強、機械強度高、工作電壓低等優點。
[8172-0062-0009] 安裝結構、制作安裝結構的方法以及導電粘合劑
[摘要] 借助于利用在至少部分導電填料上具有防淘析膜的導電粘合劑而構造安裝結構的導電粘合劑層，提高了絕緣可靠性和抗硫化可靠性。
[8172-0164-0010] 具有外延掩埋層的溝槽電容器
[摘要] 一種在溝槽的下部有外延層的溝槽電容器。該外延層可以是摻雜的，以用作掩埋極板。
[8172-0004-0011] 動態隨機存取存儲器
[8172-0207-0012] 改進的臨界尺寸控制
[8172-0134-0013] 芯片尺寸封裝及其制造方法
[8172-0191-0014] 具有迭式電容器的動態隨機存取存儲器及其制作方法
[8172-0081-0015] 穩定絕緣體基半導體器件的方法及絕緣體基半導體器件
[8172-0082-0016] 具有電容元件的半導體器件及其形成方法
[8172-0194-0017] 集成電路封裝盒的保全結構
[8172-0013-0018] 在微電子元件的制造過程中用于控制工件表面暴露于處理液的裝置和方法
[8172-0064-0019] 批次供給系統和批次供給方法
[8172-0182-0020] 半導體集成電路及其制造方法
[8172-0047-0021] 金屬鑲嵌布線形貌的修正
[8172-0177-0022] 輸送包含集成電路部分的微機械加工塊的方法
[8172-0060-0023] 光電轉換器件的制造方法和用該方法制造的光電轉換器件
[8172-0136-0024] 碳納米管的組裝技術及電子器件
[8172-0028-0025] 形成存儲電容器的方法
[8172-0137-0026] 半導體器件的形成方法
[8172-0184-0027] 用于隔絕濕敏塑料球柵陣列組件的方法和設備
[8172-0157-0028] 壓電/電致伸縮器件
[8172-0018-0029] 電源電路和半導體芯片的設計方法
[8172-0135-0030] 用來夾持具有多平行接腳集成電路的集成電路座
[8172-0016-0031] 半導體裝置及其制造方法
[8172-0165-0032] 半導體電路及其制造方法
[8172-0212-0033] 高亮度發光二極管
[8172-0019-0034] 壓電變壓器
[8172-0001-0035] 在半導體晶片上形成銅層的方法
[8172-0051-0036] 半導體集成電路的參考型輸入第一級電路
[8172-0120-0037] 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8172-0183-0038] 半導體器件及其制造方法
[8172-0216-0039] 多晶片半導體封裝結構及制法
[8172-0005-0040] 絕緣體基外延硅工藝中雙重深度氧化層的結構和方法
[8172-0044-0041] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8172-0142-0042] 減少粘合劑摻出的芯片連接
[8172-0118-0043] 用于凸點焊接的布線板及制造方法和其組裝的半導體器件
[8172-0030-0044] 太陽能電池
[8172-0037-0045] 薄膜晶體管制造方法及薄膜晶體管
[8172-0169-0046] 綜合型集成電路高溫動態老化裝置
[8172-0197-0047] 半導體集成電路器件的制造工藝
[8172-0063-0048] 在半導體晶片化學機械拋光時輸送拋光液的系統
[8172-0095-0049] 充電測定裝置
[8172-0052-0050] 帶有絕緣環的溝槽式電容器和相應的制造方法
[8172-0179-0051] 半導體雜質的激活方法以及激活裝置
[8172-0158-0052] 改進型有源矩陣esd防護和測試方案
[8172-0160-0053] 半導體設備的安裝結構和安裝方法
[8172-0152-0054] 半導體裝置及其制造方法
[8172-0175-0055] 脫除抗蝕劑的方法和設備
[8172-0111-0056] 太陽能電池組件及其制造方法
[8172-0139-0057] 半導體熔絲
[8172-0039-0058] 半導體器件柵帽與柵足自對準的t形柵加工方法
[8172-0105-0059] 半導體器件的制造裝置及制造方法
[8172-0002-0060] 形成半導體裝置的折射－金屬－硅化物層的方法
[8172-0217-0061] 防短路的絕緣柵極雙極晶體管模塊
[8172-0069-0062] 長波限電調節紅外光攝像靶
[8172-0026-0063] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
[8172-0038-0064] 制造圓柱形電容器下電極的方法
[8172-0218-0065] 增強雪崩型絕緣體基硅互補金屬氧化物半導體器件的設計
[8172-0104-0066] 在基片上的兩層布線之間制作電學上導電的交叉連接的方法
[8172-0010-0067] 高激光吸收的銅熔絲及其制造方法
[8172-0131-0068] 半導體器件和制造方法
[8172-0125-0069] 制造半導體器件的方法
[8172-0056-0070] 壓電變壓器元件及將其裝入外殼的方法
[8172-0007-0071] 使用者專用的非標準集成電路及其制造方法)
[8172-0092-0072] 半導體器件及其制造方法
[8172-0055-0073] 磁隧道器件、其制造方法及磁頭
[8172-0015-0074] 對集成電路導體進行構圖的方法
[8172-0077-0075] 有機電致發光器件的封裝方法
[8172-0114-0076] 非易失性半導體存儲器件及其制造工藝
[8172-0046-0077] 半導體工藝中頂層光刻成像的改善
[8172-0045-0078] 形成單晶硅層的方法和制造半導體器件的方法
[8172-0202-0079] 一種硅太陽電池p－n結的制作方法
[8172-0204-0080] 半導體器件
[8172-0103-0081] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8172-0138-0082] 半導體的自對準生成件及其方法
[8172-0188-0083] 調節半導體元件中的載體壽命的方法
[8172-0091-0084] 具有內部氧源的鐵電隨機存儲單元及釋放氧的方法
[8172-0171-0085] 銅基材料表層的機械化學拋光方法
[8172-0088-0086] 半導體器件設計方法和裝置，及存儲有宏信息的存儲介質
[8172-0185-0087] 倒裝片電子封裝件的柔順表面層及其制作方法
[8172-0048-0088] 高頻用半導體封裝體
[8172-0097-0089] 提供雙功函數摻雜的方法及保護絕緣帽蓋
[8172-0049-0090] 載帶及載帶型半導體裝置的制造方法
[8172-0008-0091] 半導體模件
[8172-0196-0092] 對半導體模塊的爆炸保護
[8172-0067-0093] 半導體器件及其制造方法
[8172-0053-0094] 發光器件及其制造方法
[8172-0144-0095] 半導體器件及其制造方法
[8172-0079-0096] 電荷耦合器件影像感測裝置的電荷移轉方法
[8172-0119-0097] 晶片規模封裝結構及其內使用的電路板
[8172-0145-0098] 制造化合物半導體膜的氧化物基方法和制造有關電子器件
[8172-0126-0099] 金屬間介質半導體制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅蓋層
[8172-0173-0100] 半導體層制造方法和制造設備、光生伏打電池的制造方法
[8172-0031-0101] 用多步淀積/退火工藝改進的利用摻雜硅酸鹽玻璃的半導體結構的間隙填充
[8172-0034-0102] 包括鎢侵蝕抑制劑的拋光組合物
[8172-0123-0103] 模制樹脂以密封電子元件的方法及裝置
[8172-0128-0104] 白色光發光二極管和中性色發光二極管
[8172-0167-0105] 半導體器件的制作方法
[8172-0057-0106] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8172-0189-0107] 晶體生長工藝和半導體器件及其制造方法
[8172-0096-0108] 半導體器件的制造方法
[8172-0156-0109] 一種用于有浮動電壓端的半導體器件的表面耐壓層
[8172-0083-0110] 半導體裝置及其制造方法
[8172-0107-0111] 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
[8172-0186-0112] 形成自對準接觸的方法
[8172-0215-0113] 薄膜電阻器的制作方法
[8172-0170-0114] 半導體裝置及其制造方法及裝置、電路基板和電子裝置
[8172-0089-0115] 一種發光二極管單元體制造方法
[8172-0072-0116] 用于加工晶片的設備
[8172-0150-0117] 制造高密度半導體存儲器件的方法
[8172-0146-0118] 半導體襯底、半導體薄膜以及多層結構的制造工藝
[8172-0163-0119] 半導體器件及其制造方法
[8172-0102-0120] 有機光敏光電器件
[8172-0074-0121] 封裝基板
[8172-0106-0122] 基于ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
[8172-0014-0123] 通過注入摻雜制成的碳化硅半導體的熱修復法
[8172-0124-0124] 帶有有利于表面狀態鈍化的層的器件結構
[8172-0068-0125] 半導體裝置的制造方法
[8172-0130-0126] 光電元件
[8172-0149-0127] 半導體器件及制造該半導體器件的方法
[8172-0159-0128] 制備薄硅膜的方法
[8172-0117-0129] 半導體保護器件和功率轉換器件
[8172-0011-0130] 電光器件和電子設備
[8172-0129-0131] 使化合物半導體層激活成為p-型化合物半導體層的方法
[8172-0040-0132] 控制容性執行機構的方法和裝置
[8172-0199-0133] 半導體制程用的化學機械研磨組合物
[8172-0180-0134] 低壓有源半導體體器件
[8172-0122-0135] 分選互補金屬氧化物半導體芯片的非接觸、非侵入方法
[8172-0213-0136] 實際安裝光鏈路的發送或接收模塊的方法及其剛性的可彎曲板
[8172-0176-0137] 半導體裝置和載帶及其制造方法、電路基板、電子裝置
[8172-0127-0138] 注入氫負離子的方法及注入設備
[8172-0166-0139] 半導體封裝用樹脂組合物
[8172-0208-0140] 薄膜半導體器件的制造方法
[8172-0121-0141] 堆疊形動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8172-0116-0142] 含集成在表面配有平線圈的基片上的電路的微型結構
[8172-0075-0143] 半導體裝置及其制造方法
[8172-0024-0144] a1galnp系的發光二極管和用于制作該二極管的外延片
[8172-0133-0145] mis半導體器件及其制造方法
[8172-0017-0146] 具有線性傳送系統的半導體處理裝置
[8172-0066-0147] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8172-0113-0148] 場效應晶體管
[8172-0042-0149] 鐵電體存儲裝置及其制造方法
[8172-0110-0150] 晶片輸送裝置
[8172-0059-0151] 一種新結構薄膜熱電堆
[8172-0080-0152] 象限模式互補型金屬氧化物半導體攝象成象傳感器
[8172-0195-0153] 半導體器件及其制造方法
[8172-0147-0154] 具有光電轉換能級距離的白色發光二極管及其制作方法
[8172-0115-0155] 具有磁隧道結單元和遠程二極管的磁隨機存取存儲器陣列
[8172-0093-0156] 一種igbt串聯直接的高壓橋臂
[8172-0190-0157] 半導體器件的制造方法及半導體器件
[8172-0172-0158] 形成電介質層的方法
[8172-0035-0159] 用于紅外發光二極管的外延生長晶片和紅外發光二極管
[8172-0140-0160] 改善溝槽電容器中掩埋帶的控制的方法和裝置
[8172-0022-0161] 利用摻雜技術減薄高亮度發光二極管芯片窗口層的方法
[8172-0036-0162] cmos半導體集成電路
[8172-0027-0163] 維持密碼于集成電路封裝內部的裝置及方法
[8172-0078-0164] 晶體管及其制造方法
[8172-0087-0165] 集成電路的散熱方法與裝置
[8172-0161-0166] 操縱壓電控制的燃油噴射閥門的裝置和方法
[8172-0025-0167] 太陽能電池組件及帶該電池的屋頂和該電池電能發生系統
[8172-0032-0168] 半導體器件中降低柵致漏極漏電流
[8172-0073-0169] 半導體裝置
[8172-0109-0170] 半導體元件安裝用中繼基板的制造方法
[8172-0094-0171] 具有元件分離絕緣膜的半導體裝置的制造方法
[8172-0214-0172] 埋入器件層的可控性的改善
[8172-0061-0173] 半導體元件的導線貼帶裝置及其組裝方法
[8172-0003-0174] 疊層電容器存儲單元及其制造方法
[8172-0090-0175] 半導體器件及其制造方法
[8172-0187-0176] 切割用膠帶及切割半導體晶片的方法
[8172-0155-0177] 疊狀電容器的錐形電極
[8172-0101-0178] 多個光學元件在晶片層的集成
[8172-0012-0179] 半導體存儲器器件以及在測試模式中讀取該器件的方法
[8172-0054-0180] 集成電路封裝用的芯片級球形格柵陣列
[8172-0058-0181] 薄膜壓電裝置
[8172-0050-0182] 太陽能電池組件陣列的裝配結構、方法及電能生成系統
[8172-0085-0183] 多晶硅二極管的靜電放電保護裝置
[8172-0009-0184] 一種波折式翅片散熱器及使用這種散熱器的熱交換器
[8172-0205-0185] 動態隨機存取存儲器電容器的制造方法
[8172-0020-0186] 壓電變壓器元件的安裝結構和安裝方法
[8172-0154-0187] 互補金屬氧化物半導體器件及其形成方法
[8172-0200-0188] 等離子體蝕刻設備和用這種設備制造的液晶顯示模塊
[8172-0198-0189] 使用半球形晶粒硅制造電容器的方法
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[8172-0071-0191] 半導體器件的制造方法
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