半導體,半導體結構,半導體芯片,半導體組件最新技術匯編(168元/全套)
歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：G339157
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8126-0013-0001] 可改善銅金屬層結構的表面處理方法
[摘要] 本發明涉及一種可改善銅金屬層結構的表面處理方法，包括下列步驟：(a)提供一表面具有介電層的半導體基底，且所述介電層形成有一溝槽；(b)在所述介電層表面及溝槽表面依序形成一順應性的阻障金屬層及銅晶種層；(c)施行一旋轉噴灑程序，在所述銅晶種層表面形成一液態活化層以活化所述銅晶種層表面；以及(d)施行一電鍍程序，以在所述銅晶種層表面形成一銅金屬層并填滿所述溝槽。利用本發明的方法將可改善所形成的銅金屬層結構，減少銅金屬層內部缺陷的出現。
[8126-0020-0002] 利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構
[摘要] 本發明公開了一種利用導熱元件擴大散熱模組面積的結構，是在散熱片對應其基座的側邊鉆設復數個洞孔，再于兩兩散熱片的洞孔之間植入導熱元件，由該導熱元件將復數組散熱片連接，同時由導熱元件填補洞孔以達到高效率傳熱效果。
[8126-0060-0003] 等離子體處理裝置和高頻電力供給裝置
本發明的等離子體處理裝置包括：處理容器，其內部可減壓；第1電極，配置在所述處理容器內；處理氣體供給部件，用于將處理氣體供給到所述處理容器內；高頻電源部，輸出具有vhf帶頻率的高頻電力；匹配器與所述高頻電源部和所述第1電極電連接，獲得阻抗的匹配；以及傳輸線路，從所述高頻電源部至所述匹配器傳輸所述高頻電力。在所述處理容器內可配置被處理基板，通過傳輸到所述第1電極的所述高頻電力產生的等離子體，可對該被處理基板實施等離子體處理。所述傳輸線路比可產生所述高頻電力的第3高次諧波的諧振狀態的最短長度短。
[8126-0075-0004] 防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程
[摘要] 一種防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程，是于先進行一離子布植制程，于一深渠溝頂部開口周圍的半導體硅基底的表面區域形成一離子布植區，再去除深渠溝電容器以外的氮化硅層，而后再于該離子布植區以外的該深渠溝的暴露側壁上長成一第一氧化層。該離子布植制程是利用n2作為離子源，用來抑制該第一氧化層的成長，且該離子布植區的深度是相對應于一預定埋入帶擴散區域的深度，是至少環繞該深渠溝頂部開口的一部分外圍，且鄰近于一預定埋入帶擴散區域。
[8126-0052-0005] 長余輝發光二極管
[摘要] 本發明為一種長余輝發光二極管，由短波長發光二極管晶粒及添加長余輝熒光材料所組成，利用波長250、450nm的短波長發光二極管晶粒，只要經數分鐘短時間照射激發長余輝熒光材料，即可使長余輝熒光材料持續數小時發出熒光。其特點為通電時間短、發光時間長、具有省電、增加產品壽命、制作容易、可調整成任意光色及雙色使用。利用本產品的特點可應用于長時間指示用光源，尤其適于制作手機按鍵與液晶顯示幕背光，和災難停電時使用的逃生路線指示及照明，以及交通號志。
[8126-0175-0006] 固態成像裝置及其制造方法
[摘要] 涂敷粘合劑的傳輸薄膜被粘合到形成在玻璃基底上的多個隔板。玻璃基底放置在工作臺上，傳輸薄膜的一端被固定到纏繞輥。剝離引導器設置在傳輸薄膜之上的位置。纏繞輥在工作臺水平移動時，被驅動纏繞傳輸薄膜。在纏繞傳輸薄膜時，玻璃基底和傳輸薄膜之間的角度保持恒定。在傳輸薄膜被剝離之后，粘合劑被均勻地傳輸到每個隔板。
[8126-0023-0007] 組合式導熱模組
[摘要] 一種組合式導熱模組，是以壓鑄或鑄造技術將熱傳導超導管、體與熔融的金屬結合在一起，使得熱傳導超導管、體的全部或局部被包覆在金屬內并形成塊狀體，該塊狀體甚至可以同時一體成型出復數鰭片，使該塊狀體也具散熱性能或可在塊狀體以外加固定方式，加入單個或復數組鰭片，使該塊狀體也具有散熱性能；也可將復數個導熱模組以疊合的方式組合固定而形成導熱模組，以適于將該導熱模組固定在任何需要媒介快速傳熱、散熱之處。
[8126-0103-0008] 集成電路中檢查層之間的覆蓋偏移的修正
[摘要] 用于確定坐標系統的原點之間的偏移的第一方法，用于對其上排列集成電路的晶片檢查至少兩個不同的缺陷檢查，包括：建立包含集成電路晶片的至少兩個檢查層上排列的缺陷的位置數據的數據庫；確定層間缺陷的最大偏移；確定層內缺陷的最小間距；對間距大于最小間距的全部缺陷，從數據庫搜索包含偏移小于最大偏移的層間缺陷對；計算每個層間缺陷對的實際偏移；確定實際偏移是否是隨機分布；如果它們不是隨機分布，識別實際偏移的密集區；并得到至少兩層的原點之間的偏移估計和對所述實際偏移的估計的置信值。第二種方法包括：從數據庫識別至少一個有缺陷數nd的芯片，其中0≤nd≤k，此處k是小于或等于5的整數；在至少一個芯片上識別全部層間缺陷對；計算每個層間缺陷對的實際偏移，以代替確定層間缺陷的最大偏移和代替確定層內缺陷的最小間距。
[8126-0186-0009] 形成瓶型溝槽的方法及瓶型溝槽電容的制造方法
[摘要] 本發明揭示一種瓶型溝槽的制造方法。首先，在一基底的溝槽下半部填入一導電層，且其被一具摻雜層所包圍。接著，在基底上及溝槽上半部順應性形成一氮化硅層。之后，對基底實施一熱處理以在鄰近具摻雜層的基底中形成一摻雜區。接著，非等向性蝕刻氮化硅層以在溝槽上半部側壁形成一項圈氮化硅層，并作為罩幕以依序去除導電層及具摻雜層而露出摻雜區表面。接著，部分氧化摻雜區以形成一摻雜氧化區，再去除摻雜氧化區以構成一瓶型溝槽。最后，在瓶型溝槽下半部依序順應性形成一粗糙復晶硅層。本發明亦揭示一種瓶型溝槽電容的制造方法。
[8126-0131-0010] 基座軸的真空泵吸
[摘要] 在此所提供的是一種提高在將材料膜沉積到襯底的過程中所使用的基座的支撐板的平面度的方法，包括下列步驟：將軸的中空芯中的壓力減小到低于大氣壓的水平；以及將沉積室中的壓力減小到將材料膜沉積到襯底上所要求的水平，其中在軸的中空芯中的壓力作用于支撐板的下表面上，該下表面被連接到軸且與軸的中空芯相對接，沉積室中的壓力作用于支撐板的適于支撐襯底的上表面上，由此來提高平面度。還提供了基座和將膜沉積到被固定至本發明的基座上的襯底上的方法。
[8126-0107-0011] 封裝的管芯封裝件上的直接增加層
[8126-0063-0012] 場效晶體管的一種閘極結構的制造方法
[8126-0195-0013] 半導體芯片模塊及其散熱總成
[8126-0014-0014] 半導體器件的制造方法
[8126-0017-0015] 半導體裝置的制造方法
[8126-0008-0016] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[8126-0034-0017] 半導體集成電路器件
[8126-0187-0018] 瓶型溝槽電容的制造方法
[8126-0157-0019] 微晶圖制作過程
[8126-0188-0020] 半導體集成電路器件
[8126-0097-0021] 發光二極管燈
[8126-0150-0022] 制造合并型半導體裝置的方法
[8126-0147-0023] 制程水路系統
[8126-0214-0024] 減少埋層接觸帶外擴散的半導體結構、其制造方法以及半導體存儲器裝置的形成方...
[8126-0011-0025] 多層半導體集成電路結構的制作方法及其電路結構
[8126-0027-0026] 固體攝象裝置及其制造方法
[8126-0206-0027] 靜電放電保護機構及應用此機構的液晶顯示板
[8126-0070-0028] 半導體裝置的制造方法
[8126-0130-0029] 制造熱穩定mtj單元的方法和裝置
[8126-0100-0030] 在絕緣體上的外延半導體結構和器件
[8126-0036-0031] 互補式金屬氧化物半導體反相器
[8126-0173-0032] 半導體器件的制造方法
[8126-0183-0033] 基片支撐件
[8126-0055-0034] 采用微電-機系統制造技術的射頻元件及其制造方法
[8126-0170-0035] 用于非易失性存儲器的氧-氮-氧介電層制造方法
[8126-0192-0036] 形成cmos晶體管的方法
[8126-0035-0037] 半導體裝置
[8126-0079-0038] 半導體封裝和制造方法
[8126-0161-0039] 一種實時摻氮生長p型氧化鋅晶體薄膜的方法
[8126-0218-0040] 半導體器件及其制造方法
[8126-0163-0041] 具有局部蝕刻柵極的半導體結構及其制作方法
[8126-0109-0042] ac性能改進的高電壓npn雙極型器件的生產方法
[8126-0003-0043] 一種半導體測試用的檢測卡
[8126-0098-0044] 形成磁性隨機存取存儲器的磁性隧道結層的方法
[8126-0093-0045] 白光發光裝置
[8126-0210-0046] 可同時具有部分空乏晶體管與完全空乏晶體管的芯片及其制作方法
[8126-0132-0047] 薄膜形成裝置的洗凈方法
[8126-0204-0048] 半導體器件及其設計方法
[8126-0143-0049] 記憶胞元
[8126-0160-0050] 一種制備p型zno晶體薄膜的方法
[8126-0056-0051] 低電流和高速相變存儲設備及用于驅動這種設備的方法
[8126-0162-0052] 氣化器
[8126-0211-0053] 半導體器件
[8126-0182-0054] 用于測試半導體器件的處理器
[8126-0046-0055] 電壓控制的容性元件及半導體集成電路
[8126-0033-0056] 半導體集成電路器件
[8126-0124-0057] 利用銅擴散阻擋結構的高多孔低k電介質膜的結構加強
[8126-0001-0058] 樹脂密封半導體器件、樹脂密封的方法和成型模具
[8126-0105-0059] 通過交替層間電介質實現的無刻蝕阻止層的雙鑲嵌互連
[8126-0073-0060] 半導體裝置
[8126-0058-0061] 在絕緣體上制造應變結晶層的方法和半導體結構及得到的半導體結構
[8126-0184-0062] 具有半導體晶片載置臺的半導體處理裝置
[8126-0042-0063] 半導體存儲器
[8126-0102-0064] 干蝕刻方法
[8126-0191-0065] 半導體裝置制造方法
[8126-0136-0066] 在充作基板之基礎芯片上具至少一半導體芯片之半導體組件及制造該組件之方法
[8126-0174-0067] 具有鰭片結構的半導體元件及其制造方法
[8126-0062-0068] 在電漿反應器中用以限制電漿以及降低流量阻值的裝置與方法
[8126-0040-0069] 快閃存儲胞及其制造方法
[8126-0155-0070] 具有用于防止水從外部進入電路區的保護環的半導體器件
[8126-0166-0071] 強電介質膜、電容器及它們的制造方法及強電介質存儲器
[8126-0087-0072] 固態成像裝置、信號處理裝置、攝像機及光譜裝置
[8126-0168-0073] 穩定材料層性質的方法
[8126-0197-0074] 熱膨脹系數匹配的專用散熱器組件
[8126-0010-0075] 制作鎢插塞的方法
[8126-0180-0076] 安裝半導體芯片的裝置
[8126-0096-0077] 半導體發光元件及其制造方法
[8126-0133-0078] 氙預無定形化植入法
[8126-0135-0079] 用于金屬布線的化學機械拋光的漿液組合物
[8126-0125-0080] 電路組件及其制造方法
[8126-0146-0081] 判斷造成半導體機臺異常原因的系統與方法
[8126-0032-0082] 半導體裝置及其驅動方法、cpu、圖像處理電路及電子裝置
[8126-0064-0083] 改善晶圓表面平坦度的方法
[8126-0089-0084] 薄膜晶體管及其制造方法
[8126-0217-0085] 分離柵極閃存單元及其制造方法
[8126-0054-0086] 高功率發光二極管
[8126-0050-0087] 疊層型光電元件及其制造方法
[8126-0117-0088] 結晶裝置和結晶方法以及移相掩模
[8126-0128-0089] 在基體材料上構造氧化層的方法
[8126-0142-0090] 對稱溝槽mosfet器件及其制造方法
[8126-0111-0091] 用于藍色磷光基有機發光二極管的材料與器件
[8126-0215-0092] 半導體存儲裝置
[8126-0065-0093] 多層半導體晶片結構
[8126-0029-0094] 半導體器件
[8126-0179-0095] 布線基板及其制造方法和半導體器件及其制造方法
[8126-0104-0096] 晶片的形狀評價方法及晶片以及晶片的揀選方法
[8126-0085-0097] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0171-0098] 熱處理裝置、熱處理系統及熱處理裝置的溫度控制方法
[8126-0076-0099] 制作半導體存儲器件的方法
[8126-0091-0100] 低噪聲雙極結型光敏場效應晶體管及制作方法
[8126-0151-0101] 基板處理裝置
[8126-0137-0102] 用于高縱橫比半導體器件的摻硼氮化鈦層
[8126-0067-0103] 碳化硅溝槽式金氧半電晶體
[8126-0119-0104] msq-基多孔低-k薄膜材料的等離子體固化
[8126-0012-0105] 形成半導體裝置的金屬線的方法
[8126-0015-0106] 一種增加溝槽電容器的電容的方法
[8126-0122-0107] 高溫靜電夾盤
[8126-0159-0108] 一種p-zn1-xmgxo晶...
[8126-0213-0109] 半導體器件
[8126-0113-0110] 具有有機層的光輻射構件
[8126-0199-0111] 帶有可見標識的散熱片
[8126-0108-0112] 具有esd保護裝置之半導體結構
[8126-0208-0113] 半導體存儲設備
[8126-0066-0114] 半導體機臺氣體反應室的氣體配送系統及方法
[8126-0176-0115] 半導體裝置的制造方法和電子設備的制造方法
[8126-0068-0116] 倒裝芯片貼合機
[8126-0114-0117] 用于控制基本平坦物體上的溫度的溫控卡盤和方法
[8126-0083-0118] 分離柵極快閃存儲器單元及其制作方法
[8126-0164-0119] 用碳納米管形成半導體裝置用導電線的方法及半導體裝置
[8126-0090-0120] 肖特基勢壘晶體管及其制造方法
[8126-0194-0121] 散熱裝置
[8126-0120-0122] 電化學氧化
[8126-0165-0123] 晶片切割方法
[8126-0196-0124] 用于從多個電子元件散熱的專用裝置
[8126-0172-0125] 一種半導體晶體管的制造方法及其產品
[8126-0006-0126] 相對于支撐臺確定襯底位置的方法和裝置
[8126-0072-0127] 提高封裝集成電路的可測性和減少測試時間的方法及系統
[8126-0138-0128] 半導體裝置及其制造方法
[8126-0167-0129] 半導體結構的制造方法
[8126-0178-0130] 半導體器件的制造方法、柔性襯底和半導體器件
[8126-0002-0131] 半導體晶片的制造方法
[8126-0181-0132] 用數字信號和射頻信號發射/識別電路測試rfid芯片的方法
[8126-0148-0133] 一種半導體晶片載具內部的污染采樣方法
[8126-0051-0134] 光生伏打元件的制造方法
[8126-0061-0135] 真空處理裝置和基板傳送方法
[8126-0209-0136] 具有其內形成有空隙區的外延圖形的集成電路器件及其形成方法
[8126-0021-0137] 熱傳導性復合片及其制造方法
[8126-0086-0138] 浮柵存儲器單元的半導體存儲器陣列
[8126-0121-0139] 使用不用清理的助焊劑進行倒裝晶片的相互連接
[8126-0080-0140] 半導體集成電路、電子機器及晶體管的背柵電位控制方法
[8126-0005-0141] 防靜電破壞的ic元件測試系統
[8126-0202-0142] 半導體器件及其制造方法
[8126-0203-0143] 半導體裝置及其制造方法
[8126-0193-0144] 封裝基板
[8126-0004-0145] 晶圓表面離子取樣系統及方法
[8126-0140-0146] 用于電子封裝的電磁干擾屏蔽
[8126-0169-0147] 電子器件的制造方法和能量線吸收材料
[8126-0212-0148] 半導體器件及其制造方法
[8126-0048-0149] 絕緣柵型半導體器件
[8126-0154-0150] 從物體微觀結構中去除殘余物的方法和裝置
[8126-0152-0151] 晶圓/芯片上再分布層的保護方法
[8126-0025-0152] 熱超導散熱模組的制造方法
[8126-0198-0153] 半導體裝置
[8126-0205-0154] 具有均勻導通設計的靜電放電防護電路
[8126-0145-0155] 超導體方法和反應器
[8126-0047-0156] 半導體結構
[8126-0156-0157] 半導體組件的多重間隙壁寬度的制造方法
[8126-0078-0158] 具有保護內部電路的保護電路的半導體器件
[8126-0071-0159] 晶片無墨點測試方法及系統
[8126-0016-0160] 存儲器的制造方法和存儲器
[8126-0153-0161] 半導體器件及其制造方法
[8126-0039-0162] 快閃存儲單元及其制造方法
[8126-0018-0163] 制造半導體集成電路的方法及由此制造的半導體集成電路
[8126-0177-0164] 用于采用超聲焊接在其上安裝半導體芯片的基板
[8126-0028-0165] 半導體器件及其制造方法
[8126-0059-0166] 半導體器件及其制造方法和半導體器件的測試方法
[8126-0216-0167] 半導體存儲器件及其讀出放大器部分
[8126-0158-0168] 振幅象差評價用掩模圖形、振幅象差評價方法及振幅象差消除濾光器
[8126-0110-0169] 大功率led照明設備的散熱方式
[8126-0112-0170] 包含有機發光二級管的屏幕的吸濕裝置及其制造工藝
[8126-0030-0171] 集成電路
[8126-0053-0172] 發光二極管模塊裝置
[8126-0099-0173] 具有恢復功能的相變存儲器和方法
[8126-0024-0174] 壓鑄或鑄造成型的散熱端結構
[8126-0088-0175] 半導體器件
[8126-0022-0176] 熱超導塊、片、蓋體的制造方法
[8126-0101-0177] 干蝕刻方法
[8126-0189-0178] 半導體裝置的電容器的制造方法
[8126-0031-0179] 拍攝照片用光源裝置
[8126-0185-0180] 使用摻雜氧化物溝槽填充之溝槽絕緣
[8126-0141-0181] 具有多重半導體芯片的半導體組件
[8126-0126-0182] 半導體器件
[8126-0019-0183] 可以將熱量傳遞遠距離的導熱塊
[8126-0007-0184] 避免出氣污染之前開式晶圓盒以及避免出氣污染的方法
[8126-0084-0185] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0041-0186] 半導體集成電路器件
[8126-0074-0187] 制造半導體器件的方法
[8126-0094-0188] 氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
[8126-0081-0189] 半導體器件
[8126-0118-0190] 拋光方法及裝置
[8126-0201-0191] 半導體器件
[8126-0200-0192] 具有散熱裝置的高性能冷卻裝置
[8126-0069-0193] 引線接合器
[8126-0077-0194] 導體襯底，半導體器件及其制造方法
[8126-0115-0195] 電子部件的安裝裝置和安裝方法
[8126-0009-0196] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8126-0127-0197] 絕緣體上外延硅(soi)溝槽光電二極管及其形成方法
[8126-0044-0198] 具有多方位的絕緣層上覆硅芯片及其制作方法
[8126-0106-0199] 埋入式電路及器件的方法與結構
[8126-0038-0200] 具有位于基底內的選擇柵極的閃存單元及其制造方法
[8126-0129-0201] mgb2高密度超導體塊狀體的制備方法,最終產品及應...
[8126-0026-0202] 半導體器件及其制造方法
[8126-0045-0203] 固體攝像器件及其驅動方法、以及攝像機
[8126-0207-0204] 半導體裝置及其制造方法、電子設備、電子儀器
[8126-0123-0205] 從熱剝離型膠片熱剝離晶片切片的方法、電子部件和電路板
[8126-0095-0206] led燈及其制造方法
[8126-0116-0207] 半導體制造裝置以及半導體器件制造方法
[8126-0092-0208] 半導體光接收器件及其制造方法
[8126-0134-0209] 處理一種如半導體晶片的工件的方法和設備
[8126-0049-0210] 薄膜晶體管的雙柵極布局結構
[8126-0043-0211] 具有獨立可控的控制柵的雙向讀取/編程非易失性浮柵存儲單元及其陣列和形成方...
[8126-0057-0212] 硅基可協變襯底上生長三族氮化物的方法
[8126-0190-0213] 一種半導體集成電路的制造方法及其產品
[8126-0082-0214] 強電介體薄膜及其制造方法、強電介體存儲器、壓電元件
[8126-0037-0215] 具有電容器的半導體設備及其制造方法
[8126-0144-0216] 改進的太陽能電池
[8126-0139-0217] 含具有集成電路和金剛石層的管芯的電子組件及其制作方法
[8126-0149-0218] 一種金剛石涂層al2o3電子...
[8126-0219-0219] 半導體器件及其制造方法
更多技術請點擊：大成技術資料網（http://www.9999868.com）
本站每項專利技術資料均含有正式專利全文說明書，含技術配方、加工工藝、質量標準、專利發明人姓名、發明人地址、專 利號、專利申請日期、權利要求書、說明書和附圖，并含國家發明專利、實用新型專利、科研成果、技術文獻、技術說明書、工藝流程等，是 專業技術人員研發產品和企業產品升級必備的寶貴資料。
凡在本站購買技術資料的客戶，可享受所購技術資 料3年內3次免費更新。保證100%正規專利，技術真實性保證100%，從國家專利局可以查詢，假一罰十。專業為單位或個人產品研發升 級創新提供一流的技術支持！
本站提供1000多萬項專利技術、科技文獻、科技論文：技術為從 1985年到今日的最全最新技術。您如果暫時在我檢索找不到需要的技術，可來電或在線QQ911342956咨詢！我們可為您專門定制一套！
購買 方式：
(1)、銀行匯款：(網頁標價均為網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞 公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國郵政銀行： 6210982250000577108 戶名：潘玉環
中國建設銀行：6227000601700008251 戶名：潘玉環
中國農業銀行： 6228481010628176818 戶名：潘玉環
中國工商銀行：0706002301102089632 戶名：潘玉環
中 國 銀 行：6013820500990868543 戶名：潘玉環
(2)、歡迎通過淘寶、拍拍等第三方平臺交易 ，請與QQ：911342956聯系辦理。
(3)、郵局地址匯款：117000遼寧本溪市溪湖東 路37號200-1-79號 收款人: 潘玉環
(4)、辦理貨到付款業務（比正常購買多 付20-30元費用），請與QQ：911342956聯系。
匯款后請用手機短信（15241901638）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓 名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
地址：遼寧本溪市溪湖東路37號200-1-79號
電 話：0414- 3582217
手 機：15241901638 13358890338
客服QQ：911342956
本公司供應半導體,半導體結構,半導體芯片,半導體組件最新技術匯編(168元/全套) 歡質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
