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[8126-0018-0001] 制造半導體集成電路的方法及由此制造的半導體集成電路
[摘要] 本發明公開了制造半導體集成電路的方法及由此制造的半導體集成電路。該方法使用選擇性可去除隔離壁技術。該方法包括在半導體襯底上形成多個柵極圖形。柵極圖形之間的間隙區包括具有第一寬度的第一間隔和具有大于第一寬度的第二寬度的第二間隔。在第二間隔的側壁上形成隔離壁，連同隔離壁一起還形成填充第一間隔的隔離壁層圖形。選擇性地除去隔離壁，露出第一間隔的側壁。結果，半導體集成電路包括通過除去隔離壁擴大的寬間隔和填充有隔離壁層圖形的窄而深的間隔。
[8126-0105-0002] 通過交替層間電介質實現的無刻蝕阻止層的雙鑲嵌互連
[摘要] 發明公開了一種雙鑲嵌工藝，其中，第一交替ild由第一材料制成，第二交替ild由第二材料制成。每種材料都在存在例如用于有機高分子和無機低k材料的不同的刻蝕劑時，能夠以比另一種材料更快的速率刻蝕。這允許在沒有刻蝕劑阻止層的情形下在彼此上交替地沉積ild，從而減小了電容。<
[8126-0006-0003] 相對于支撐臺確定襯底位置的方法和裝置
本發明提供了一種信號傳感系統，包括若干探測器，這些探測器圍繞一適合于支撐襯底的臺以彼此間隔的關系布置。每個探測器包括一探測部分，該探測部分適合于從一已知開始位置移向被臺支撐的襯底的邊緣；當襯底被臺支撐時，探測襯底的邊緣；緊隨所述的探測之后產生一探測信號；和緊隨所述的探測之后停止向襯底邊緣移動。一控制器可以以每個探測部分的已知開始位置為基準且以每個探測部分產生的探測信號為基礎確定襯底相對于臺的邊緣位置。本發明還提供了許多其它方面。
[8126-0027-0004] 固體攝象裝置及其制造方法
[摘要] 固體攝象裝置及其制造方法，目的是解決難于把ccd芯片在光學上正確地搭載到陶瓷封裝或封裝的內部底面上，招致成品率降低，造價上升，以及小型化存在著限制之類的問題，采用把固體攝象器件容易且正確地搭載到樹脂、陶瓷和玻璃封裝上去的辦法，獲得可以用于高圖象質量視頻攝象機的固體攝象裝置及其制造方法。本發明采用從插入口26把ccd芯片27和外圍電路43裝填到內設貫通孔把由內引線22和外引線23構成的引線框架24密封起來的封裝21之內，通過凸出電極29把電極焊盤28連接到內引線22上，在進行了光學上的位置對準和連接之后，用粘接劑進行固定的辦法，使得可以進行精度極其之高的位置調整，從而可以廉價地制造可以搭載到能夠得到鮮明的色彩再現和纖細的圖象的高圖象質量的視頻攝象機上去的固體攝象裝置。
[8126-0085-0005] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[摘要] 非易失存儲單元具有第一導電類型的單晶半導體材料，如單晶硅。在半導體材料中形成每個為第二導電類型的彼此隔開的第一和第二區，所述第二導電類型不同于第一導電類型。具有第一部分和第二部分的溝道區連接第一和第二區用于傳導電荷。電介質位于溝道區上。可以是導電的或不導電的浮柵位于電介質上，并與溝道區的第一部分隔開。溝道區的第一部分與第一區相鄰，第一浮柵具有大體上的三角形狀。浮柵形成在腔中。柵電極容性耦合到第一浮柵，并與溝道區的第二部分隔開。溝道區的第二部分位于第一部分和第二區之間。雙向非易失存儲單元具有每個均形成在腔中的兩個浮柵。還公開了該非易失存儲單元和陣列的制造方法。
[8126-0129-0006] mgb2高密度超導體塊狀體的制備方法,最終產品及應...
[摘要] 描述了一種方法，用于制備密度接近理論值超導體塊狀體mgb2，包括以下階段：晶體硼與活化粉末的形成機械活化；所述粉末多孔錠料的形成；多孔硼錠料和塊狀體前體金屬鎂在容器中組合，并從而在在惰性氣體或低氧含量氣氛中將它們密封；在硼和鎂以上組合時以高于700℃的溫度的熱處理時間大于30分鐘，然后通過活化的晶體硼粉末浸透液相鎂。
[8126-0043-0007] 具有獨立可控的控制柵的雙向讀取/編程非易失性浮柵存儲單元及其陣列和形成方...
[摘要] 能夠獲得咼芏鵲乃蚨寥?編程非易失性存儲單元和陣列。每一存儲單元具有兩個間隔開的用于在其上存儲電荷的浮柵。該單元具有間隔開的源/漏區，溝道在源/漏區之間，該溝道具有三個部分。一個浮柵在第一部分上；另一浮柵在第二部分上，且柵電極控制在第一和第二部分之間的第三部分中的溝道的導通。獨立可控的控制柵與源/漏區的每一個絕緣，且還電容耦合于浮柵。該單元通過熱溝道電子注入來編程，并通過從浮柵到柵電極的電子福勒-諾德海姆隧穿來擦除。雙向讀取允許編程單元以存儲位，每個浮柵中存儲一位。獨立可控的控制柵允許這種存儲單元陣列在nand結構中操作。
[8126-0099-0008] 具有恢復功能的相變存儲器和方法
[摘要] 一種相變存儲器件，包括：相變存儲單元，具有在非晶態和晶態之間可編程的材料體。寫電流源選擇性地施加第一寫電流脈沖以將相變存儲單元編程為非晶態和施加第二寫電流脈沖以將相變存儲單元編程為晶態。相變存儲器件還包括恢復電路，選擇性地將第一寫電流脈沖施加到相變存儲單元，以至少恢復相變存儲單元的非晶態。
[8126-0046-0009] 電壓控制的容性元件及半導體集成電路
[摘要] n阱設置在p型襯底的上表面中，柵極絕緣膜和柵電極設置其上，柵電極連接到柵極端子。兩個p+擴散區設置在n阱的表面中的兩個區域中，兩個區域之間夾有柵電極，p+擴散區連接到地電位布線。而且，n+擴散區設置在n阱的表面中，并連接到阱的端子。因此，在變抗器元件的柵電極和n阱之間產生電容。當降低柵極端子的電位時，兩個p+擴散區吸收來自溝道區作為少數載流子的空穴。
[8126-0205-0010] 具有均勻導通設計的靜電放電防護電路
[摘要] 一種具有均勻導通設計的靜電放電防護電路，是在多指狀mos晶體管的源極上加上電阻或電感，并借由回授電路以均勻地觸發。當發生esd轟擊時，由于布局或其它因素，起初一指狀元件mos晶體管會被觸發至驟回崩潰區，而在此指狀元件mos晶體管源極的電感或電阻上產生一電壓降，并借由回授裝置傳送到其余指狀元件mos晶體管的閘極。因此，其余指狀元件mos晶體管會同時被導通。
[8126-0103-0011] 集成電路中檢查層之間的覆蓋偏移的修正
[8126-0194-0012] 散熱裝置
[8126-0189-0013] 半導體裝置的電容器的制造方法
[8126-0089-0014] 薄膜晶體管及其制造方法
[8126-0011-0015] 多層半導體集成電路結構的制作方法及其電路結構
[8126-0084-0016] 非易失浮柵存儲單元及其陣列以及其形成方法
[8126-0026-0017] 半導體器件及其制造方法
[8126-0045-0018] 固體攝像器件及其驅動方法、以及攝像機
[8126-0153-0019] 半導體器件及其制造方法
[8126-0047-0020] 半導體結構
[8126-0094-0021] 氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
[8126-0067-0022] 碳化硅溝槽式金氧半電晶體
[8126-0145-0023] 超導體方法和反應器
[8126-0133-0024] 氙預無定形化植入法
[8126-0007-0025] 避免出氣污染之前開式晶圓盒以及避免出氣污染的方法
[8126-0104-0026] 晶片的形狀評價方法及晶片以及晶片的揀選方法
[8126-0202-0027] 半導體器件及其制造方法
[8126-0053-0028] 發光二極管模塊裝置
[8126-0034-0029] 半導體集成電路器件
[8126-0083-0030] 分離柵極快閃存儲器單元及其制作方法
[8126-0158-0031] 振幅象差評價用掩模圖形、振幅象差評價方法及振幅象差消除濾光器
[8126-0215-0032] 半導體存儲裝置
[8126-0091-0033] 低噪聲雙極結型光敏場效應晶體管及制作方法
[8126-0036-0034] 互補式金屬氧化物半導體反相器
[8126-0077-0035] 導體襯底，半導體器件及其制造方法
[8126-0176-0036] 半導體裝置的制造方法和電子設備的制造方法
[8126-0156-0037] 半導體組件的多重間隙壁寬度的制造方法
[8126-0060-0038] 等離子體處理裝置和高頻電力供給裝置
[8126-0069-0039] 引線接合器
[8126-0201-0040] 半導體器件
[8126-0071-0041] 晶片無墨點測試方法及系統
[8126-0098-0042] 形成磁性隨機存取存儲器的磁性隧道結層的方法
[8126-0131-0043] 基座軸的真空泵吸
[8126-0086-0044] 浮柵存儲器單元的半導體存儲器陣列
[8126-0213-0045] 半導體器件
[8126-0032-0046] 半導體裝置及其驅動方法、cpu、圖像處理電路及電子裝置
[8126-0037-0047] 具有電容器的半導體設備及其制造方法
[8126-0028-0048] 半導體器件及其制造方法
[8126-0054-0049] 高功率發光二極管
[8126-0152-0050] 晶圓/芯片上再分布層的保護方法
[8126-0178-0051] 半導體器件的制造方法、柔性襯底和半導體器件
[8126-0206-0052] 靜電放電保護機構及應用此機構的液晶顯示板
[8126-0121-0053] 使用不用清理的助焊劑進行倒裝晶片的相互連接
[8126-0171-0054] 熱處理裝置、熱處理系統及熱處理裝置的溫度控制方法
[8126-0168-0055] 穩定材料層性質的方法
[8126-0014-0056] 半導體器件的制造方法
[8126-0031-0057] 拍攝照片用光源裝置
[8126-0048-0058] 絕緣柵型半導體器件
[8126-0005-0059] 防靜電破壞的ic元件測試系統
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[8126-0180-0061] 安裝半導體芯片的裝置
[8126-0148-0062] 一種半導體晶片載具內部的污染采樣方法
[8126-0154-0063] 從物體微觀結構中去除殘余物的方法和裝置
[8126-0078-0064] 具有保護內部電路的保護電路的半導體器件
[8126-0092-0065] 半導體光接收器件及其制造方法
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[8126-0075-0067] 防止深渠溝的頂部尺寸擴大的領型介電層制程
[8126-0101-0068] 干蝕刻方法
[8126-0151-0069] 基板處理裝置
[8126-0139-0070] 含具有集成電路和金剛石層的管芯的電子組件及其制作方法
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[8126-0125-0072] 電路組件及其制造方法
[8126-0008-0073] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[8126-0009-0074] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8126-0128-0075] 在基體材料上構造氧化層的方法
[8126-0164-0076] 用碳納米管形成半導體裝置用導電線的方法及半導體裝置
[8126-0211-0077] 半導體器件
[8126-0116-0078] 半導體制造裝置以及半導體器件制造方法
[8126-0195-0079] 半導體芯片模塊及其散熱總成
[8126-0112-0080] 包含有機發光二級管的屏幕的吸濕裝置及其制造工藝
[8126-0208-0081] 半導體存儲設備
[8126-0065-0082] 多層半導體晶片結構
[8126-0175-0083] 固態成像裝置及其制造方法
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[8126-0167-0087] 半導體結構的制造方法
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[8126-0190-0089] 一種半導體集成電路的制造方法及其產品
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