半導體,制造半導體器件,半導體存儲,半導體結構最新技術匯編(168元/全套)
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[8180-0149-0001] 半導體芯片與至少一個接觸面的電連接方法
[摘要] 借助于一根細導線，使半導體芯片（１）和至少一個接觸面電連接的方法，其中細導線的第一端和該至少一個平面焊接在一起，它的第二端和半導體芯片（１）的接觸區相連接。為了在導線和半導體芯片（１）的接觸區之間產生高質的連接，導線的第二端與布置在半導體芯片（１）的接觸區上的并與之電連接的、楔形的金屬件（８）焊接在一起，同時，這個金屬件是由釘頭接觸（８）形成，該釘頭接觸在一個彎道中被引導并與釘頭通過一個楔形接觸連接。
[8180-0041-0002] 晶體管、晶體管陣列、制造晶體管陣列的方法和非易失半導體存儲器
[摘要] 一種包括源－漏區、溝道區、浮柵和控制柵的存儲單元。所述浮柵被彼此靠近地布置在柵絕緣層上溝道區的上方，控制柵被布置在一個絕緣層和另一個絕緣層上浮柵的上方，這兩個層都是用ｌｏｃｏｓ方法形成的。利用所述絕緣層在浮柵的上角形成突起部分。控制柵的中心部分被置于絕緣層上所述溝道區的上方以形成選擇柵。選擇晶體管包括在兩個源－漏區之間的這個選擇柵。
[8180-0088-0003] 半導體器件及其制造方法
本發明的目的是提供一種ｃｍｏｓ器件及其制造方法，其包含具有淺的源極和漏極區的ｐ溝道ｆｅｔ。僅在形成ｐ溝道ｆｅｔ的源極和漏極區的區域上生長摻雜ｂ的選擇外延層。通過形成與ｎ溝道ｆｅｔ相對應的無定形區來在形成ｎ溝道ｆｅｔ的源極和漏極區的區域上生長摻硼的選擇外延層。
[8180-0063-0004] 具有防潮隔膜的半導體器件
[摘要] 設符號ａ為接觸口深度，ｂ為接觸口直徑，ｃ為在隔膜和半導體襯底之間形成的底層氧化物厚度，ｄ為進行氧化物濕法刻蝕以去掉硅上自然生長的氧化物和減少接觸電阻而在接觸口內部形成的隔膜檐的突出長度，確立有如下關系式，$tan-1(b/a)-1((b-d)/(a-c))。$用于阻止外界潮氣侵入的隔膜可由一層氮化物薄膜組成，或者由向底層氧化物表面注入氮離子所形成的薄膜組成。
[8180-0140-0005] 難劃片材料的劃片和裂片的改進
[摘要] 將難劃片襯底減薄成適宜以后進行解理的厚度。在襯底所選待劃片的表面上生長便于劃片層的非塑性材料或將材料淀積到襯底上。該層的硬度和厚度比襯底的小且能順利劃片的。或同時以難劃片襯底的另一面生長或淀積上象便于斷裂層的第二非塑性層。該層的厚度和硬度選取使劃片表面處在使裂片利索擴展的狀態。在待劃片表面上還可敷上另一金屬層，其作用是散發分割芯片時產生的熱量，和使切割刀具不致受壓放電的影響。
[8180-0101-0006] 半導體存儲器的布局結構
[摘要] 在ｓｒａｍ的布局結構中，在維持現有的優點的情況下減少布線層和連接孔的數目。將以往在上下方向上鄰接的單元之間公用的接觸孔和區在各單元中分離開。由此各單元也在位線方向ｄ１上分別作平移配置。在由此產生的區域內將ｇｎｄ線用的第１層的多晶硅布線層１ｇ（ｇ）與字線用的第１層的多晶硅布線層１ｇ（ｗ）一起平行于字線方向ｄ２形成。將驅動晶體管ｄｔｒ１、ｄｔｒ２的柵電極和區ｆｌ的連接孔ｇｋ２、ｇｋ１也用作區ｆｌ與ｇｎｄ線布線層１ｇ（ｇ）的連接孔ｇｋ３。
[8180-0196-0007] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 這里公開的是一種至少部分地提供了一個具有相反于對立傳導類型半導體襯底１的某傳導類型層７和９的元件的半導體裝置。在某傳導類型層被形成的同時，某傳導類型層７和９被形成在信號輸入／輸出墊片１４被形成的區域中。另外，在形成于半導體襯底１的表面上的夾層絕緣膜１０中的反向傳導層７和９的圓周位置上生成接觸孔１１。信號輸入／輸出墊片１４被形成在由夾層絕緣膜１０的表面上的接觸孔１１所包圍的區域中。在形成信號輸入／輸出墊片１４的同時，在信號輸入／輸出墊片１４的圓周位置上形成一個被電氣連接到接觸孔１１的噪聲屏蔽電極１５。
[8180-0069-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，其中多個引線中的內引線安置在用樹脂包封體包封的半導體芯片的電路制作面上，而制作在芯片的電路制作面上的鍵合焊點和內引線電連接。粘合劑只選擇性地涂于多個內引線中的排列在芯片二端的最外側上的內引線。芯片的電路制作面與選定引線的內引線用粘合劑連結。每個選定的引線在半導體芯片的主面上有一個臺階，而選定引線之外的引線具有幾乎筆直的形狀而無需加工成臺階。
[8180-0173-0009] 用化學機械拋光除去旋涂介質的速率情況
[摘要] 在襯底形貌上形成空隙填充的平面化結構的介質材料，對于形成微電子器件很有用。首先淀積介質材料作為連續的干燥的介質層，優選ｓｏｇ層。然后通過化學機械拋光（ｃｍｐ）除去部分介質層。通過改變ｓｏｇ層的成分和隨后的ｃｍｐ條件，選擇結構的化學和機械特性。
[8180-0138-0010] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[摘要] 在半導體裝置特別是半導體存儲器的制造中，可不使數據保存特性變壞，而且可減少工序數目。在硅半導體襯底上形成柵氧化膜和柵電極，在該柵電極上形成氧化硅膜。其后，在整個面上用氮化膜覆蓋，再形成層間氧化膜。在相鄰的柵電極之間的源／漏區上利用使用氮化硅膜的ｓａｃ技術形成位線接觸點。此外，在其他的源／漏區上對氮化硅膜進行開孔，形成存儲節點接觸點。
[8180-0122-0011] 晶片處理、傳送和半導體制造裝置及晶片處理和襯底制法
[8180-0172-0012] 倒裝片安裝設備的集成電路芯片剔出裝置
[8180-0105-0013] 引線框的加工裝置和加工方法
[8180-0168-0014] 將半導體襯底對準底座臺的方法及實施該方法的裝置
[8180-0038-0015] 場效應晶體管及其制造方法
[8180-0207-0016] 制造一種eeprom-半導體結構的方法
[8180-0026-0017] 刻蝕方法、結晶生長方法和半導體器件的制造方法
[8180-0126-0018] 半導體發光元件及其制造方法
[8180-0104-0019] 半導體裝置、裝配方法、電路基板和柔軟基板及制造方法
[8180-0010-0020] 復合結構的晶體管制造方法及晶體管
[8180-0018-0021] 球陣式集成電路封裝方法及封裝件
[8180-0156-0022] 互補金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
[8180-0021-0023] 集成電路的測試方法與裝置
[8180-0046-0024] 半導體裝置及其制造方法和其測試方法
[8180-0079-0025] 薄膜形成工藝
[8180-0034-0026] 壓電器件的端子
[8180-0169-0027] 減少電荷的薄膜,圖象形成裝置及其制造方法
[8180-0205-0028] 半導體器件的制造方法
[8180-0208-0029] 半導體晶片加工用粘合劑和膠帶
[8180-0199-0030] 半導體器件的制造方法
[8180-0003-0031] 半導體材料集成微結構及其制造方法
[8180-0099-0032] 硅/鍺硅垂直結型場效應晶體管
[8180-0129-0033] 光接收裝置
[8180-0159-0034] 一種半導體器件引線框架及引線接合法
[8180-0068-0035] 具有多層鍍層的半導體引線框架及其制造方法
[8180-0121-0036] 制造半導體器件的電容器的方法
[8180-0118-0037] 具有低電阻區的半導體器件及其制造方法
[8180-0187-0038] 帶有低電阻連接電極半導體器件的制造方法
[8180-0202-0039] 離子注入方法及裝置
[8180-0185-0040] 一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
[8180-0150-0041] 利用引線變形連接多個微電子元件
[8180-0037-0042] 光伏器件
[8180-0098-0043] 有特定摻雜層的光電元件
[8180-0070-0044] 電子部件及其制造方法
[8180-0005-0045] 熱電組件的制造方法
[8180-0145-0046] 壓電變壓器
[8180-0157-0047] 半導體器件及其控制方法
[8180-0024-0048] 球陣式集成電路封裝方法
[8180-0143-0049] 用pvd和cvd法形成難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線與通路
[8180-0164-0050] 篩測集成電路芯片用電路板及已知合格管芯的制造方法
[8180-0004-0051] 一種通過控制材料的孿晶結構取向而產生移動和力的方法及其應用
[8180-0210-0052] 半導體元件的安裝方法
[8180-0132-0053] 半導體器件及其制造方法
[8180-0191-0054] 半導體器件
[8180-0077-0055] 清洗裝置及清洗方法
[8180-0078-0056] 半導體器件中不同種導電層的拋光工藝
[8180-0194-0057] 在基底上制作具有電荷存儲電容的存儲元件的方法
[8180-0013-0058] 半導體器件及其制造方法
[8180-0062-0059] 固體攝像器件及其驅動方法和制造方法
[8180-0182-0060] 利用化學機械拋光工藝的半導體器件制造方法
[8180-0048-0061] 改進的聚四氟乙烯薄膜芯片載體
[8180-0178-0062] 用于電子游戲機的中央處理單元芯片部件及其安裝機座
[8180-0059-0063] 半導體器件
[8180-0133-0064] 半導體器件
[8180-0028-0065] 半導體產品的制造工藝
[8180-0135-0066] 芯片上引線及標準常規引線的組合結構的半導體芯片封裝
[8180-0184-0067] 可用氫離子改變其閾值電壓的場效應晶體管的制造工藝
[8180-0155-0068] 柵控混合管及其制備方法
[8180-0017-0069] 集成電路的自動焊接封裝方法
[8180-0163-0070] 集成電路裝置的合格率估算方法
[8180-0044-0071] 電子器件
[8180-0193-0072] 半導體集成電路和同步動態隨機存儲器核心的測試方法
[8180-0097-0073] 浮柵非易失性存儲器和制造這種器件的方法
[8180-0120-0074] 半導體器件
[8180-0108-0075] 包含光電子電路的晶片及該晶片的檢驗方法
[8180-0160-0076] 電極為金屬合金的半導體器件
[8180-0014-0077] 單片混合型半導體集成電路器件及其檢查方法
[8180-0074-0078] 電子器件的制造工藝
[8180-0106-0079] 載體薄片和使用了載體薄片的集成電路裝置
[8180-0111-0080] 用于網格焊球陣列的頂裝式插座
[8180-0152-0081] 拋光方法和設備
[8180-0035-0082] 發光顯示元件和往電布線基片上連接的方法、及制造方法
[8180-0012-0083] 半導體集成電路器件
[8180-0134-0084] 具有難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線路和通路的器件
[8180-0142-0085] 半導體器件的制造方法
[8180-0061-0086] 磷化鎵綠色發光器件
[8180-0086-0087] 半導體器件
[8180-0174-0088] 光電子材料、使用該材料的器件和制造光電子材料的方法
[8180-0209-0089] 電子組件結構體
[8180-0161-0090] 半導體器件
[8180-0072-0091] 半導體器件的封裝體
[8180-0053-0092] 制作用于電子束繪圖的電子束掩模的方法和制作該掩模的裝置
[8180-0055-0093] 半導體器件
[8180-0050-0094] 具有電容元件的半導體裝置及其制造方法
[8180-0073-0095] 球點陣半導體器件外殼及其制造工藝
[8180-0008-0096] 半導體芯片及半導體芯片的制造方法
[8180-0039-0097] 薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板及液晶顯示裝置
[8180-0067-0098] 引線框及用此引線框來制造半導體器件的方法
[8180-0136-0099] 半導體器件及其制造方法
[8180-0031-0100] 半導體器件用的絕緣薄膜
[8180-0029-0101] 包含浮柵mosfet的光探測器
[8180-0095-0102] 一種制造薄膜晶體管和電子器件的方法
[8180-0056-0103] 薄膜晶體管的制造方法、使用該方法的液晶顯示裝置和電子設備
[8180-0071-0104] 堆疊式半導體芯片封裝及其制造方法
[8180-0001-0105] 半導體基片和制造半導體器件的方法
[8180-0112-0106] 干燥硅的方法
[8180-0011-0107] 分路光電二極管
[8180-0146-0108] 壓電振子部件、壓電振子支撐結構和壓電振子安裝方法
[8180-0131-0109] 一種靜電感應器件及其制造方法
[8180-0058-0110] 散熱器
[8180-0007-0111] 帶有至少兩個彼此絕緣的元件的集成電路裝置及其生產方法
[8180-0100-0112] 半導體器件及其制造方法
[8180-0060-0113] 半導體器件
[8180-0020-0114] 集成電路裝卸裝置及其裝卸頭
[8180-0084-0115] 外延晶片及其制造方法以及具有增強亮度的發光二極管
[8180-0124-0116] 半導體裝置及備有它的電子機器
[8180-0049-0117] 硅化物層和絕緣層之間不發生分離的半導體器件加工工藝
[8180-0047-0118] 樹脂密封型半導體器件
[8180-0213-0119] 太陽能電池組件
[8180-0212-0120] 太陽能電池組件
[8180-0113-0121] 磁阻膜
[8180-0151-0122] 半導體晶片暴露表面的修整方法
[8180-0197-0123] 用于半導體芯片封裝的柔韌帶基片和制造這種封裝的方法
[8180-0096-0124] 半導體襯底及其制造工藝以及在其上制作的電子器件
[8180-0181-0125] 塑料封裝的半導體器件及其制造方法
[8180-0092-0126] 半導體器件的等離子體處理方法及制造方法
[8180-0192-0127] 能夠提高存取速度的靜態半導體存儲器裝置
[8180-0051-0128] 制作半導體器件中多層互連的方法
[8180-0103-0129] 半導體器件中的互連系統
[8180-0052-0130] 具有鈦膜的半導體器件制造工藝
[8180-0036-0131] 氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
[8180-0015-0132] 電力半導體自由集成架
[8180-0094-0133] 帶電粒子束曝光方法和在晶片上形成圖形的方法
[8180-0087-0134] 金屬氧化物半導體場效應晶體管結構及其制造方法
[8180-0179-0135] 半導體存貯器件
[8180-0115-0136] 場效應晶體管
[8180-0016-0137] 倒裝片安裝
[8180-0042-0138] 集成電路裝置及其制造方法
[8180-0025-0139] 半導體器件鉑膜的刻蝕方法
[8180-0083-0140] 用極化輻照和背面輻照方法清除物質
[8180-0154-0141] 太陽能電池組件及其制造方法
[8180-0162-0142] 具有不對稱通道摻雜劑輪廓的器件
[8180-0022-0143] 測試模式的檢測裝置與方法
[8180-0030-0144] 隧道效應器件及其制造方法
[8180-0081-0145] 用于粘合電子器件的可變形基片部件
[8180-0176-0146] 半導體結構及其形成方法
[8180-0102-0147] 數據線與電源線平行的靜態半導體存儲器件
[8180-0211-0148] 提升式干燥方法以及干燥裝置
[8180-0066-0149] 半導體器件及其制造方法
[8180-0198-0150] 半導體元件的制造方法
[8180-0217-0151] 半導體集成電路裝置
[8180-0093-0152] 半導體器件的制備方法及用該方法形成的多層布線結構
[8180-0127-0153] 多重量子阱結構的光電子器件
[8180-0085-0154] 非易失性半導體存儲器件的擦除方法
[8180-0203-0155] 離子注入過程模擬裝置和模擬方法
[8180-0188-0156] 光電池
[8180-0189-0157] 半導體量子振蕩器件
[8180-0180-0158] 半導體集成電路
[8180-0201-0159] 歐姆電極的形成方法及半導體裝置
[8180-0141-0160] 半導體器件檢測裝置
[8180-0116-0161] 半導體裝置及其制造方法
[8180-0144-0162] 半導體器件的制造方法
[8180-0045-0163] 半導體器件中的互連系統
[8180-0166-0164] 抗反射膜材料以及利用所述材料制造半導體器件的方法
[8180-0109-0165] 部分一次射束電子束曝光的掩摸與方法
[8180-0170-0166] 薄膜晶體管及其制造方法和使用該薄膜晶體管的電路和液晶顯示裝置
[8180-0183-0167] 槽型元件分離結構的制造方法以及槽型元件
[8180-0195-0168] 自動對準硅化物的制造方法
[8180-0153-0169] 帶有晶圓片表面保護裝置的半導體處理設備
[8180-0040-0170] 具有改進結構并減小所占面積的半導體器件及其制造方法
[8180-0167-0171] 在冰上粉碎超純硅
[8180-0080-0172] 具有極化兼容緩沖層的金屬絕緣體半導體結構
[8180-0206-0173] 半導體波導型感光元件及其制造方法
[8180-0177-0174] 改進的固態圖像傳感元件,其制造方法和含其的傳感器件
[8180-0128-0175] 制造半導體構件的方法和制造太陽電池的方法
[8180-0218-0176] 含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
[8180-0171-0177] 用于制造快速電可擦可編只讀存儲器的存儲單元陣列的源區的方法
[8180-0125-0178] 固體攝象裝置及其制造方法
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[8180-0019-0180] 雙層多晶cmos數模混合集成電路及其制造方法
[8180-0148-0181] 樹脂封裝型半導體裝置及其制造方法
[8180-0147-0182] 光電二極管及其制造方法
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[8180-0054-0184] 半導體發光器件及其制造方法
[8180-0165-0185] 雙重模式微波/毫米波集成電路封裝
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[8180-0090-0187] 半導體器件及其制造方法
[8180-0139-0188] 薄膜半導體集成電路及其制造方法
[8180-0075-0189] 晶片接合方法與裝置
[8180-0137-0190] 引線框、半導體器件及該半導體器件的制造工藝
[8180-0082-0191] 電子元件及其制造方法
[8180-0110-0192] 半導體異質結構及其制造方法以及半導體裝置
[8180-0216-0193] 非易失存儲器件及其制造方法
[8180-0175-0194] 半導體裝置
[8180-0130-0195] 金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
[8180-0114-0196] 太陽能電池組件
[8180-0215-0197] 有相互接觸的n型和p型導電區的半導體集成電路器件
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[8180-0027-0201] 半導體存儲器件
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[8180-0219-0219] 半導體器件的金屬化
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