半導體,半導體元件,半導體集成電路裝置,半導體存儲類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8101-0061-0001] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，具有第一層電極和平板狀第二層電極的雙極晶體管減少了引線接合的固定位置的限制，提高了組裝時的通用性。另外，由于第二層基極電極6和發射極電極僅以各自矩形的一個邊相鄰，故掩模的對位偏差或用于得到要求的抗蝕劑圖案的間隔距離僅考慮該部分即可。但是，由于外部端子的配置，而不能實現發射極電阻的降低或芯片的薄型化。將第一層基極電極形成梯狀的圖案，并在其間并行配置第一層發射極電極。另外，將第二層電極層構成平板狀，將第一層并行的發射極電極及基極電極和第二層電極鄰接的邊并行配置。由此，即使在梯狀匯接第一層基極電極的端部附近的第二電極上固定接合引線，也可以降低發射極電阻，使芯片薄型化。
[8101-0069-0002] 全彩可撓性發光燈條裝置
[摘要] 一種“全彩可撓性發光燈條裝置”，該裝置是以R.G.B.三色一體式C.O.B.LED作為主要的發光體單元，包括一內層固定座、一LED燈串組、一設于內層固定座之四根主線、及一外層固定體等構成。其特征在于：該裝置是由一「預先成型」的內層固定座，將焊接串聯后的LED燈串組，設置于內層固定座的凹槽內，并可由該固定座的兩凸條所夾固，且LED燈串組是與內層固定座所埋設的四根主線相銜接導電，再經由「押出成型加工」，而包覆一外層固定體；可經由一控制器的控制，而使R.G.B.三色一體式C.O.B.LED的R.G.B.光源穩定地轉變，且可產生循序漸近式一致性全彩變色光的發光燈條裝置。
[8101-0205-0003] 半導體裝置的制造方法
一種半導體裝置具有多層配線結構，該多層配線結構具有：第1層間絕緣膜；形成在上述第1層間絕緣膜上、具有比上述第1層間絕緣膜大的硬度以及彈性率的第2層間絕緣膜，其通過如下工序制造：在上述第2層間絕緣膜上通過反射防止膜形成抗蝕膜的工序；對上述抗蝕膜進行曝光以及顯影而形成抗蝕圖形的工序；將上述抗蝕圖形作為掩膜，圖形成型上述反射防止膜以及上述多層配線結構的工序，此時，作為上述反射防止膜，使用無應力或者積蓄壓縮應力的膜。
[8101-0013-0004] 帶有差分信號測量的測試系統
[摘要] 本發明是有關于一種帶有差分信號測量的測試系統，是一種具有易于制造硬件的用于對差分信號進行測量的測試系統。差分信號的兩條分支施加到比較器。在比較操作中引入可變偏置。通過對不同偏置電平進行多生測量，可確定差分信號的電平。相對于信號起始的測量時間可以被改變，從而能夠繪制信號的曲線。可以通過收集在同一相對時間具有相同偏置電平的數據點集測量由噪聲造成的信號的可變性。公開了一種向比較中引入偏置的電路，這樣就允許使用預封裝的、市場上可以獲得的高速比較器進行測量。
[8101-0095-0005] 晶片級無電鍍銅法和凸塊制備方法,以及用于半導體晶片和微芯片的渡液
[摘要] 本發明涉及一種在包括多個半導體器件的半導體晶片上生成銅凸塊的方法。所述芯片或晶片具有包括多個半導體器件的層和具有開口的鈍化層。在所述開口內的傳導襯墊與所述半導體器件相接觸。在所述方法中，將一種傳導性粘著材料沉積到所述傳導襯墊上來形成粘著層。將一種傳導性金屬沉積到所述粘著層上來形成阻擋層，并使用酸浸溶液從所述鈍化層上除去可能粘著的傳導性粘著材料顆粒。然后，將銅沉積到所述阻擋層上來形成所述銅凸塊。所述沉積步驟的每一步均以無電鍍方式進行。而且，本發明還提供了用于上述處理的鍍液和由此制得的晶片和微芯片。
[8101-0129-0006] 電子束描繪系統、方法、程序及直接描繪制造半導體器件方法
[摘要] 本發明提供一種電子束描繪系統，它具備：根據決定的處理順序使用多個孔徑掩模對多個批次按順序描繪的描繪工具；管理所述多個孔徑掩模的孔徑管理工具；取得所述多個批次的處理請求的請求取得模塊；存儲分別與所述多個批次有關的處理步驟的處理步驟存儲部；處理時間計算模塊，其分別計算出根據所述處理步驟、使用分別與所述批次對應的所述孔徑掩模來分別處理所述多個批次的處理時間；和根據所述處理時間決定所述多個批次的處理順序的處理順序決定模塊。
[8101-0085-0007] 溝槽分割的發光二極管及其制造方法
[摘要] 提供了一種用來制作半導體器件的方法，此方法采用具有面對的第一和第二側的半導體襯底以及襯底第二側上的至少一個器件層，此至少一個器件層包括第一和第二器件部分。第一溝槽被形成在第一與第二器件部分之間的襯底第一側中。第二溝槽被形成在第一與第二器件部分之間的襯底第二側中。
[8101-0133-0008] 半導體器件及其制備方法
[摘要] 一種方法包括以下步驟：將硼注入硅襯底中的表面區域，以形成p+擴散區域；在p+擴散區域的表面注入銦，以形成銦注入層；在銦注入層上形成接觸金屬層；和使包括銦注入層的硅襯底中的硅與接觸金屬層中的金屬反應，以形成硅化鈦層。
[8101-0112-0009] TFT陣列基板、液晶顯示器件、TFT陣列基板和液晶顯示器件的制造方法以及...
[摘要] 一種TFT陣列基板包括薄膜晶體管部件，其中柵極形成在基板上，半導體層經柵極絕緣層形成在柵極上。這種TFT陣列基板的半導體層具有通過滴落液滴形成的形狀。因而，可以通過滴落液滴直接形成半導體層或用于形成半導體層的抗蝕劑層。由此，本發明允許使用噴墨法，因而減少了制造工藝的成本和數量。
[8101-0115-0010] 用于光電電池的電極、光電電池和光電模塊
[摘要] 描述了一種電極，用于接觸電傳導性表面，具體而言用于接觸光電元件晶片3的至少一個表面，該電極包括：電絕緣光學透明膜10；粘合劑層11，其被提供在所述膜10的一個表面上；以及第一多個基本上平行的、電傳導性線5’，其被嵌入到粘合劑層11，所述線5’的表面的一部分從粘合劑層11突出并且至少在從粘合劑層11突出的表面上覆蓋了由具有低熔點的合金構成的敷層2，其中所述第一多個線5’被電連接于第一終端棒20。多個所述電極可被形成為無端的連續條，其可被切割至一個長度，該長度對應于待連接以便于形成PV模塊的相鄰光電元件3的陣列的長度，其中在所述條的縱向方向上行進的線5’以對應于PV電池的距離的距離被切割。包括如上所述的至少一個電極16或一個電極條16的PV電池或PV模塊可包括一個或多個光電電池3，其具有至少一個其表面上的電傳導性、抗反射、光學透明敷層4，第一多個線5’借助于合金2而焊接到所述敷層4上和相應的終端棒20或終端框架17上。
[8101-0107-0011] 快閃存儲單元及造成分離側壁氧化的方法
[8101-0130-0012] 抗蝕劑圖案形成法及裝置、圖案基板制法和顯示裝置制法
[8101-0063-0013] 有受防護發射極-基極結的雙極結晶體管的半導體器件
[8101-0093-0014] 圖案形成基體材料及圖案形成方法
[8101-0126-0015] 帶擴展設備
[8101-0194-0016] 有機硅氧烷共聚物膜、其制造方法以及生長裝置和使用該共聚物膜的半導體裝置
[8101-0086-0017] 半導體集成電路用絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法
[8101-0082-0018] 維修系統、基板處理裝置、遠程操作裝置和通信方法
[8101-0155-0019] 散熱裝置及其制備方法
[8101-0110-0020] 半導體器件及其制造方法
[8101-0123-0021] 用于前段工藝制造的原地干洗腔
[8101-0083-0022] 通過大氣輝光放電產生屏蔽涂層
[8101-0191-0023] 去除材料的系統和方法
[8101-0092-0024] 半導體裝置和半導體裝置的制造方法
[8101-0005-0025] 具有RFID標簽或者放大電極的RFID芯片
[8101-0215-0026] 照相裝置、制造照相裝置的方法以及晶片尺度的封裝
[8101-0143-0027] 使用無鉛焊料并具有反應阻擋層用于倒裝芯片的互連結構
[8101-0088-0028] 用于硅表面和層的蝕刻糊
[8101-0178-0029] 氮化鎵基肖特基結構紫外探測器及制作方法
[8101-0140-0030] 晶片埋入式模組化電路板
[8101-0048-0031] 非易失性半導體存儲器件
[8101-0113-0032] 有機半導體器件及其制造方法
[8101-0159-0033] 應用于電子裝置的散熱裝置
[8101-0076-0034] 氮化物基發光器件及其制造方法
[8101-0075-0035] 發光二極管
[8101-0025-0036] 元件搭載基板以及使用該基板的半導體裝置
[8101-0027-0037] 散熱模塊
[8101-0148-0038] 具有鎢插塞的穩定金屬結構
[8101-0181-0039] 發光氮化物半導體器件及其制造方法
[8101-0012-0040] 測量占空比的方法
[8101-0136-0041] 等離子體處理方法和等離子體處理裝置
[8101-0213-0042] 固態攝像器件及其制作方法
[8101-0128-0043] 在一種材料和用該材料加工的半導體結構中產生圖形的方法
[8101-0008-0044] 半導體裝置的制造方法及其制造裝置
[8101-0079-0045] 傳感元件的隔離方法和裝置
[8101-0141-0046] 半導體芯片安裝體的制造方法和半導體芯片安裝體
[8101-0080-0047] 電荷控制部件
[8101-0067-0048] 氮化鎵紫外探測器
[8101-0044-0049] 集成電路器件
[8101-0131-0050] 一種制造半導體器件的方法及用該方法制造的半導體器件
[8101-0116-0051] 發光元件及其制造方法
[8101-0209-0052] 鐵電電容器及其制造方法
[8101-0149-0053] 一種實現芯片復位的方法和芯片
[8101-0187-0054] 一種制備納米晶材料的快速循環晶化裝置和方法
[8101-0210-0055] 鰭形場效晶體管半導體存儲器的字線和位線排列
[8101-0195-0056] 形成半導體基體上的絕緣膜的方法
[8101-0022-0057] 具保護晶粒功用的半導體元件
[8101-0096-0058] 在制造過程中預測裝置的電氣參數的方法及系統
[8101-0099-0059] 從其上移去層之后的包括緩沖層的晶片的機械再循環
[8101-0190-0060] 電化學處理半導體基片的方法和形成電容器結構的方法
[8101-0197-0061] 半導體器件及其制造方法
[8101-0017-0062] 低介電常數半導體器件及其制造方法
[8101-0118-0063] 具有多個發光元件的發光裝置
[8101-0034-0064] 具有用以改善表面平整度的空置圖案的多層布線結構
[8101-0164-0065] 靜電放電保護電路及消散靜電電荷的方法
[8101-0007-0066] 半導體裝置及其制造方法
[8101-0151-0067] 集成電路晶體管與其形成方法
[8101-0173-0068] 影像擷取裝置及其制造方法
[8101-0052-0069] 半導體存儲器件
[8101-0089-0070] 等離子體處理方法及等離子體處理裝置
[8101-0042-0071] 積體電路裝置與其制造及資料和程式儲存方法
[8101-0180-0072] 發光二極管封裝結構
[8101-0163-0073] IC裝置及其制造方法
[8101-0166-0074] 具有間隙結構的高壓靜電放電保護裝置
[8101-0158-0075] 散熱模組
[8101-0177-0076] 半導體攝像元件
[8101-0108-0077] 圖像傳感器、包括圖像傳感器的照相機系統及其制造方法
[8101-0072-0078] 具有歐姆金屬凸塊的有機粘結發光元件
[8101-0109-0079] 表面安裝電源的發光晶粒封裝
[8101-0021-0080] 非揮發存儲器的結構與制造方法
[8101-0138-0081] 改善半導體裝置殘留物及熱特性的方法
[8101-0064-0082] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8101-0146-0083] 半導體器件中隔離層或層間介質層的平整方法
[8101-0162-0084] 半導體裝置及其制造方法
[8101-0172-0085] 具有增強的編程和擦除連接的閃速存儲器及其制造方法
[8101-0134-0086] 改善基底階梯高度的方法
[8101-0019-0087] 半導體裝置、靜電放電防護裝置及其制造方法
[8101-0145-0088] 測試裝置的探測頭
[8101-0046-0089] 存儲器及其制造方法
[8101-0206-0090] 半導體器件的制造方法及通過該方法得到的半導體器件
[8101-0189-0091] 半導體基片保護裝置
[8101-0137-0092] 制備具有W/WN/多晶硅分層薄膜的半導體器件的方法
[8101-0004-0093] 引線結合裝置以及引線結合方法
[8101-0186-0094] 隧道磁阻器件
[8101-0147-0095] 形成有掩埋氧化物圖形的半導體器件的方法及其相關器件
[8101-0204-0096] 防止快速熱處理期間對準標記移動的方法
[8101-0029-0097] 半導體器件及該半導體器件的制造方法
[8101-0175-0098] 固體攝像元件及其設計支持方法及攝像裝置
[8101-0174-0099] 具有嵌入式晶體管的有源像素
[8101-0106-0100] 評估核基片上系統的方法
[8101-0053-0101] 非易失性半導體存儲器及其驅動方法
[8101-0179-0102] 氮化鎵基肖特基勢壘高度增強型紫外探測器及制作方法
[8101-0043-0103] 集成電路器件及其制造方法以及形成釩氧化物膜的方法
[8101-0097-0104] 具有不變的晶片浸入角度的傾斜電化學電鍍槽
[8101-0167-0105] 集成電路
[8101-0037-0106] 靜電放電保護器件及其制造方法
[8101-0104-0107] 具有涂層引線的封裝半導體器件及其方法
[8101-0049-0108] 半導體器件
[8101-0062-0109] 半導體裝置
[8101-0188-0110] 利用固定溫度的卡盤以可變溫度的工藝加熱襯底的方法
[8101-0124-0111] 利用超臨界流體制造微電子器件的方法
[8101-0114-0112] 柵電極及其制造方法
[8101-0081-0113] 犧牲層腐蝕用的導電防腐
[8101-0176-0114] 可變電容器與差動式可變電容器
[8101-0160-0115] 半導體裝置
[8101-0032-0116] 穿通電極、設有穿通電極的隔片及其制造方法
[8101-0121-0117] 一種納米結的制備方法
[8101-0011-0118] 用于檢測半導體器件缺陷部分的方法和設備
[8101-0035-0119] 高壓組件的靜電放電保護裝置及其制造方法
[8101-0020-0120] 非揮發性存儲元件及其制造方法
[8101-0060-0121] 半導體裝置及其制造方法
[8101-0074-0122] 發光元件及其制造方法
[8101-0152-0123] 具有硅襯底的電子電路器件
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[8101-0026-0125] 散熱器
[8101-0057-0126] 光半導體集成電路裝置
[8101-0101-0127] 在開口中形成導電材料的方法和與其相關的結構
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[8101-0212-0129] SOI基片上的N-P對接
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[8101-0073-0133] 發光元件及其制造方法
[8101-0054-0134] 絕緣層上覆硅（SOI）組件的聯機結構
[8101-0014-0135] 位置測量技術
[8101-0156-0136] 熱管式散熱器
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[8101-0058-0155] 光半導體集成電路裝置
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