半導體,制造半導體器件,半導體功率,半導體芯片最新技術匯編(168元/全套)
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[8178-0153-0001] 干膠片拉伸裝置
[摘要] 一種干膠片拉伸裝置，具有：由在中央部有孔且在該孔外周部突出形成的圓環部上支承干膠片的支承圈、與該支承圈相對并配合圓環部對保持在晶片圈上的干膠片進行拉伸的拉伸圈及使支承圈與拉伸圈在接離方向上相對移動的接離移動機構構成的拉伸機構；以與支承在圓環部上的干膠片表面正交的軸為中心旋轉自如地支承拉伸機構的旋轉機構，其特點是將接離移動機構和旋轉機構通過動力轉換機構與單一的驅動裝置連接，可使裝置整體小型化和輕量化。
[8178-0202-0002] 超淺半導體結的制作
[摘要] 提供了一種采用高能同時注入步驟、低能摻雜劑注入步驟以及快速等溫退火步驟的超淺半導體結的制造方法。還提供了諸如含有所述超淺半導體結的ｆｅｔ和ｃｍｏｓ器件之類的微電子器件。
[8178-0055-0003] 形成沒有凹陷的溝槽隔離的方法
提供一種形成嵌埋于半導體襯底中的溝槽隔離的方法，其中采用干法腐蝕去掉氮化物溝槽掩模，以抑制氮化物溝槽襯里的凹菹窒蟆８煞ǜ匆韻嗤母此俾矢垂擋堊諛：凸擋鄢睦鎩
[8178-0117-0004] 半導體器件及其生產方法
[摘要] 一個半導體器件具有一個器件隔離氧化膜，一個層間絕緣膜，幾個氫氣隔離膜，一個下部電極，一個電容器件絕緣膜，一個上部電極，一個層間絕緣膜和一個連線層，形成在硅基片上。一個柵極形成在硅基片上雜質擴散區之間的柵極氧化膜上。而且，一個電容器部件，包括下部電極，電容器絕緣膜和上部電極，被幾個氫氣隔離膜完全覆蓋。
[8178-0149-0005] 帶半球形晶粒的電容器的制造方法
[摘要] 本發明提供一種控制ｈｓｇ的均勻形成和防止雜質耗盡的大容量電容器的制造方法，其步驟是：形成連接到半導體襯底上的下電極形成區域的第一非晶硅層；在第一非晶硅層上形成第二非晶硅層；在第二非晶硅層上形成第三非晶硅層；腐蝕部分第一非晶硅層和部分第三非晶硅層并露出它們；在第一非晶硅層和第三非晶硅層的表面上形成微小的半球形晶粒（ｈｓｇ）；以及通過退火將雜質擴散到ｈｓｇ內由此形成下電極。
[8178-0156-0006] 熱電組件及其制作方法
[摘要] 本發明公開了一種熱電組件及其制作方法。該熱電組件含有在第一和第二接觸器之間的設置成矩陣的多個ｐ型和ｎ型熱芯片，這些芯片組成一個串聯電路，芯片給出至少三個芯片陣列。在芯片的一側提供一個第一載體來承載第一接觸器并包括第一橋，第一橋把兩個相鄰第接觸器整體連接起來，確定芯片電連接所需的分立對，在芯片的一側提供第一載體，在另一側形成多個第二橋，該組件可以有效地避免熱應力對器件的損壞。
[8178-0195-0007] 利用有選擇的外延生長方法的半導體器件制造方法
[摘要] 一種制造帶有ｉｇｆｅｔ的半導體器件的制造方法，它可以降低由于柵電極與ｉｇｆｅｔ的源／漏區之間通過淀積在其電介側壁上的導電顆粒引起的電流泄露。在形成ｉｇｆｅｔ的基本結構后，分別在第一和第二源／漏區上形成第一和第二單晶硅外延層。接著，使第一和第二單晶硅外延層的表面區域氧化，并且通過腐蝕除去。如果，有多余的多晶硅顆粒生長在第一和第二電介側壁上。則該多余的顆粒被氧化并除去，從而防止短路的發生。
[8178-0160-0008] 半導體裝置
[摘要] 一種具有場效應晶體管的半導體裝置，在硅襯底１０上依次沉積第１硅層１２（ｓi層）、含碳的第２硅層１３（ｓil-yｃy層）和不含碳的第３硅層１４。由于ｓil-yｃy層的晶格常數比ｓi層的小，第２硅層１３的導帶和價帶受到拉伸應變而被分離。被施加給柵極電極１６的電場激發了的有效質量小的電子被關在第２硅層１３中，在溝道方向上移動。這樣，能得到移動速度極高的n－ｍｏｓｆｅｔ。如果由ｓi1-x-yｇexｃy構成第２硅層１３，就成為適應于高性能ｃｍｏｓ器件的結構。
[8178-0135-0009] 提高長期穩定性的有機電場致發光器件
[摘要] 本發明公開了一種改善長期穩定性的有機電場致發光器件，在ｅｌ多層和陰極之間包括有層ⅰ和層ⅱ的雙層或這兩層的混合層，層ⅰ由至少一種堿金屬、堿土金屬或其化合物組成，層ⅱ由至少一種選自具有下列化學式ⅰ的材料組成。
[8178-0042-0010] 快閃電性可抹除只讀存儲器
[摘要] 一種快閃電性可抹除只讀存儲器，其特色為以熱載子注射執行編碼，并且以負柵極電壓執行通道抹除。此存儲器的結構特征為具有用以在存儲器抹除操作時形成一獨立絕緣井的三井結構，其包括一ｐ井與一ｎ井位于一ｐ基底內，以及以ｎ井隔離ｐ井與ｐ基底。
[8178-0050-0011] 快閃存儲器分離柵極結構的制造方法
[8178-0188-0012] 具有偽鍵合線的半導體集成電路器件
[8178-0215-0013] 半導體器件及其制造方法
[8178-0076-0014] 用于半導體裝置中的絕緣膜和半導體裝置
[8178-0108-0015] 可減小漂移擴散電容的電荷轉移器件和電荷轉移方法
[8178-0066-0016] 超快速相變的有機電雙穩器件
[8178-0199-0017] 從氧化硅膜選擇蝕刻氮化硅膜的方法
[8178-0178-0018] 限流器
[8178-0180-0019] 高速/高性能金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
[8178-0172-0020] 半導體器件生產裝置及生產方法
[8178-0194-0021] 集成電路布線工藝
[8178-0127-0022] 電荷耗散場發射器件
[8178-0129-0023] 半導體器件及其使用的多層引線框架
[8178-0161-0024] 半導體器件及其制造方法
[8178-0014-0025] 半導體器件和半導體器件的制作方法
[8178-0122-0026] 用銅布線膜生產半導體器件的方法
[8178-0118-0027] 低噪聲的球柵陣列封裝
[8178-0191-0028] 集成電路中阻止深結注入和硅化物形成的間隔物
[8178-0144-0029] 半導體圖象傳感器及其制造方法
[8178-0157-0030] 制備多個半導體的方法
[8178-0119-0031] 制造多電平掩模只讀存儲器的方法
[8178-0012-0032] 半導體器件及其制造方法
[8178-0130-0033] 電子部件和半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子設備
[8178-0041-0034] 電子電路
[8178-0034-0035] 可再制的熱塑性封裝材料
[8178-0177-0036] 半導體芯片用的載體元件
[8178-0124-0037] 光掩膜及其曝光方法
[8178-0218-0038] 具有亞芯片規模封裝構造的半導體器件及其制造方法
[8178-0174-0039] 半導體裝置及其制造方法
[8178-0132-0040] 微芯片準確定位設備
[8178-0197-0041] 用于集成電路器件制造的先進介電材料和工藝
[8178-0020-0042] 半導體裝置、半導體芯片裝載用基板、它們的制造方法、粘合劑和雙面粘合膜
[8178-0164-0043] 簡化三維溝道電容器動態隨機存取存儲器的方法
[8178-0162-0044] 半導體集成電路的襯底和半導體集成電路的制造方法
[8178-0100-0045] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[8178-0101-0046] 半導體裝置的制造方法
[8178-0008-0047] 半導體器件
[8178-0043-0048] 具有高耦合率永久性存儲器及其制造方法
[8178-0089-0049] 電平變換電路
[8178-0216-0050] 具有晶片預行預燒的半導體元件與方法
[8178-0073-0051] 采用條紋圖形的覆蓋測定技術
[8178-0068-0052] 熱沉及帶熱沉的存儲器模塊
[8178-0171-0053] 用于準確地轉換非均勻厚度光刻膠層中的潛像的工藝
[8178-0029-0054] 絕緣柵晶體管、其制造方法和半導體集成電路器件
[8178-0078-0055] 具有缺陷祛除區的半導體
[8178-0030-0056] 異質結雙極型晶體管
[8178-0021-0057] 制造半導體薄膜的方法及其所用設備
[8178-0213-0058] 用于傳熱增強連接件的方法和裝置
[8178-0070-0059] 半導體器件的制造方法
[8178-0058-0060] 降低在蝕刻氮化物時產生微負載的方法
[8178-0150-0061] 在化學敏感型光刻膠上形成圖形的方法
[8178-0084-0062] 半導體器件及其制造方法
[8178-0126-0063] 一種熱電材料制成的鑄板
[8178-0152-0064] 制造半導體器件的方法
[8178-0137-0065] 光電轉換裝置和圖象傳感器
[8178-0189-0066] 半導體器件
[8178-0039-0067] 在鋁/銅金屬線路上除去活性離子蝕刻后的聚合物
[8178-0046-0068] 帶有用于焊料塊的基底阻擋膜的半導體器件及其制造方法
[8178-0133-0069] 通過采用光滑底電極結構具有改進的存儲保持的薄膜鐵電電容器
[8178-0139-0070] 互補金屬氧化物半導體器件
[8178-0183-0071] 減小半導體器件中的寄生漏電
[8178-0060-0072] 制造半導體存儲器件的電容器的方法
[8178-0205-0073] 固態成像裝置
[8178-0098-0074] 半導體器件及其制作方法
[8178-0170-0075] 濺射裝置及用其制造半導體器件的方法
[8178-0086-0076] 高壓cmos結構的半導體器件及其制造方法
[8178-0107-0077] 在阱區間無臺階的半導體器件
[8178-0201-0078] 制造半導體器件的方法
[8178-0013-0079] 用于對物體進行視覺檢測的方法和裝置
[8178-0187-0080] 半導體器件
[8178-0094-0081] 半導體器件布線布局方法及存儲所用程序的介質
[8178-0077-0082] 層間介電層平坦化制造方法
[8178-0080-0083] 半導體裝置的制造方法
[8178-0071-0084] 半導體器件
[8178-0093-0085] 半導體裝置
[8178-0032-0086] 半導體存儲器電路
[8178-0006-0087] 電容元件及其制造方法
[8178-0010-0088] 皇冠型電容結構的制造方法
[8178-0134-0089] 壓電元件
[8178-0028-0090] 具光檢測電路的光電集成電路及其制造方法
[8178-0190-0091] 半導體器件及其制造方法
[8178-0037-0092] 超密集動態隨機存取存儲單元及其制造方法
[8178-0052-0093] 具有分離柵極與源極注射的快閃存儲器及其制造方法
[8178-0063-0094] 集成電路封裝用的芯片級球形格柵陣列
[8178-0027-0095] 半導體光電探測器及其制造方法
[8178-0136-0096] 半導體器件及其制造方法
[8178-0038-0097] 半導體器件及其形成方法
[8178-0167-0098] 在半導體基片上形成溝槽絕緣的方法
[8178-0099-0099] 制造具有多層布線層的半導體裝置的方法
[8178-0083-0100] 具有阻擋層的斷路閘流管
[8178-0033-0101] 半導體裝置
[8178-0115-0102] 對準鍵合機或拾放機的焊頭的方法和裝置
[8178-0081-0103] 發光二極管裝置及其制造方法
[8178-0044-0104] 只讀存儲器及其制造方法
[8178-0103-0105] 壓電諧振器和包括它的電子元件
[8178-0146-0106] 清潔盒
[8178-0069-0107] 帶有減少的線連接的存儲器
[8178-0067-0108] 半導體器件及其制造方法
[8178-0015-0109] 用半球形晶粒制造電容的方法
[8178-0182-0110] 介質分隔式半導體器件
[8178-0074-0111] 用于半導體器件中的接觸故障檢測的裝置和方法
[8178-0169-0112] 梯形多晶硅插塞及其制造方法
[8178-0002-0113] 半導體器件及其制作方法
[8178-0061-0114] 形成半導體器件中的自對準接觸的方法
[8178-0207-0115] 具有選擇性生長接觸焊盤的半導體器件
[8178-0056-0116] 形成集成電路的方法
[8178-0217-0117] 制備層間絕緣層的工藝和其中使用的汽相淀積系統
[8178-0016-0118] 晶片拋光設備及晶片拋光用襯墊
[8178-0123-0119] 一種用于生產具有雙重波紋結構的半導體器件的方法
[8178-0082-0120] 亞四分之一微米級硅－絕緣體的mos場效應晶體管
[8178-0062-0121] 熱平衡射頻功率晶體管的均勻鎮流電阻
[8178-0120-0122] 具有摻雜多晶硅層構成的互連的半導體器件的制造方法
[8178-0200-0123] 通過電子束輻射制作絕緣膜線路圖形的方法
[8178-0185-0124] 電容器及其制造方法
[8178-0057-0125] 制造具有不同柵氧化物層的半導體器件的方法
[8178-0154-0126] 硅基片及其制造方法
[8178-0035-0127] 半導體器件的制造方法
[8178-0064-0128] 帶有通孔從焊球鍵合位置側向偏移的tab帶球柵陣列封裝
[8178-0047-0129] 使用保護夾具固定脆性導電引線的方法和裝置
[8178-0104-0130] 太陽能電池組件及系統,帶太陽能電池的外罩及安裝方法
[8178-0112-0131] 半導體存儲器
[8178-0175-0132] 耐腐蝕及耐氣候的分層結構
[8178-0040-0133] 制造半導體器件的方法
[8178-0049-0134] 快閃存儲單元的制造方法
[8178-0096-0135] 半導體器件及其制造方法
[8178-0140-0136] 半導體器件、靜電放電保護元件及防護絕緣擊穿的方法
[8178-0111-0137] 半導體存儲器件及其制造方法
[8178-0009-0138] 形成隨機存取存儲器單元陣列的埋藏式電容陣列的方法
[8178-0090-0139] 壓裝在印刷電路板孔內從集成電路到散熱器傳熱的導熱基片
[8178-0165-0140] 金屬化系統
[8178-0019-0141] 接觸窗及接觸窗蝕刻方法
[8178-0113-0142] 互補型金屬氧化物晶體管半導體器件及其制造方法
[8178-0091-0143] 模壓球柵陣列型半導體器件及其制造方法
[8178-0026-0144] 芯片模塊及制造芯片模塊的方法
[8178-0179-0145] 半導體器件及其制造方法
[8178-0210-0146] 半導體器件及其制造方法
[8178-0211-0147] 結合薄膜和體si晶體管的合并邏輯和存儲器
[8178-0206-0148] 金屬絕緣體半導體類型的半導體器件及其制造方法
[8178-0003-0149] 形成微晶硅系列薄膜的工藝和適于實施所述工藝的裝置
[8178-0163-0150] 用于改善層厚控制的緩沖層
[8178-0141-0151] 電路板平面化方法和制造半導體器件的方法
[8178-0159-0152] 光電元件以及由其組成的組件
[8178-0075-0153] 選擇性金屬層的形成方法及其應用
[8178-0128-0154] 圖象傳感器芯片及圖象傳感器
[8178-0121-0155] 制造卡產品的方法及制造裝置
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[8178-0208-0157] 千瓦功率管
[8178-0192-0158] 半導體器件及其制造方法
[8178-0148-0159] 用于布線的鋁膜形成方法
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