半導體,半導體元件,半導體晶片,制造半導體器件類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8176-0106-0001] 光電箔的制造方法
[摘要] 本發明涉及到制造光電箔的方法，該光電箔由載體（14）支承并包含多個合起來具有從入射光產生電流的能力的光電層（16）、在光電層的一側上并與之鄰接和平行的背面電極層（10）、以及在光電層的另一側上并與之鄰接和平行的透明導體層（21），該方法包含下列連續步驟：提供臨時襯底、施加透明電極層（2）、施加光電層（6）、施加背面電極層（10）、施加載體（14）、去除臨時襯底、以及最好在透明導體層側上施加頂部涂層。本發明使得能夠滾卷制造韌性光電箔或器件，同時使得有可能使用任何所希望的透明導體材料和淀積工藝而不危害PV層的產生電流的作用。
[8176-0019-0002] 高性能芯片封裝及方法
[摘要] 這里公開了一種包括借可回流鍵合材料搭接于加強板上的蓋板的芯片封裝。另外，在蓋板和芯片自身之間可以包括導熱導電的鍵合材料。另外，還公開了一種包括幫助在加強板上適當對準蓋板的對準裝置的芯片封裝。另外，還公開了一種封裝芯片的方法，包括以下步驟：在蓋板和加強板之間提供將蓋板搭接到加強板上的可回流材料，將蓋板搭接到加強板上，同時將載體搭接到電子電路板上。
[8176-0121-0003] 驅動固態圖象傳感器的方法
驅動固態圖像傳感器的方法，包括步驟（ａ）將光變成電荷，（ｂ）按預定的垂直象素線數（４）選擇地讀出變換的電荷至垂直電荷耦合器件（５），（ｃ）重復步驟（ｂ）、（ｄ）向水平電荷耦合器件（２）傳遞讀出的電荷，（ｅ）經水平電荷耦合器件水平傳遞相加的電荷，并讀出電荷，還包括（ｆ），在水平消隱周期內在電荷耦合器件（２）中按預定垂直象素線的數（４）傳遞電荷，將在步驟（ｂ）讀出的一電荷加至在步驟（ｃ）中讀出的一相關電荷。
[8176-0195-0004] 形成溝槽隔離結構的方法
[摘要] 提供形成溝槽隔離結構的方法，可防止如形成在隔離溝槽上的隔離介質的空隙、裂縫和凹部的缺陷產生而沒有如隔離區擴大、隔離能力降低和漏電增加的問題。該方法包括：在半導體襯底中形成隔離溝槽以從襯底主表面暴露溝槽頂部；用過氫化硅氮烷聚合物溶液通過旋涂法覆蓋襯底的整個主表面，從而形成覆蓋襯底的整個主表面的溶液膜，溝槽完全被溶液膜填充；通過化學反應將溶液膜轉變成硅氧化物膜；有選擇地去除覆蓋襯底的主表面的硅氧化物膜，留下部分氧化物膜充當溝槽隔離結構的隔離介質。
[8176-0028-0005] 由摻雜的玻璃形成源/漏
[摘要] 一種制造源和漏區的工藝，該源和漏區包括與柵相鄰的較輕摻雜的源和漏接點區和與柵隔開的較重摻雜的源和漏區的主要部分。玻璃（２％ＢＳＧ）的第一層（１６）可作為接點區的摻雜源，玻璃（６％ＢＳＧ）的第二層（３５）為更重摻雜的源和漏區的主要部分的摻雜源。在玻璃層之間形成間隔層（３１）以限定接點區與源和漏區主要部分。
[8176-0097-0006] 半導體集成電路裝置的制造方法
[摘要] 提供一種在一次ＰＲ中完成為形成三溝道的埋入擴散層離子注入和為在一個芯片內形成兩種不同膜厚的門極氧化膜的氧化膜蝕刻的制造方法，可以降低成本，并使電路高速化。在形成門極的區域在硅氧化膜上在給定寬度內形成抗蝕劑掩膜，隔著上述抗蝕劑掩膜以給定的注入能量進行離子注入，形成埋入Ｎ型層，在給定范圍內的抗蝕劑掩膜的正下方也形成埋入Ｎ型層。抗蝕劑掩膜作為掩膜，蝕刻除去氧化膜，并在其上形成門極氧化膜。
[8176-0086-0007] 多階快閃存儲器結構及其制造方法
[摘要] 公開一種多階快閃存儲單元及其制造方法，該存儲單元包括：一p型硅基底；一深n井，位于該p型硅基底中；一p井，位于該深n井中；一第一絕緣層，位于該p井表面上；三個浮置柵極，彼此鄰近但隔絕，且位于該第一絕緣層上；一源極區和一漏極區，位于該p井中，且分別位于該三個浮置柵極的兩側；一第二絕緣介電層，位于該三個浮置柵極、該源極區、以及該漏極區上；以及一控制柵極，位于該第二絕緣介電層表面上。
[8176-0061-0008] 帶有豎直晶體管和掩埋字線的半導體器件
[摘要] 把字線掩埋在豎直半導體器件的旁邊。把該字線埋入靠近豎直半導體器件的地方，以使該字線的外形大體上是平面。該掩埋字線的平面特性使得能在掩埋字線和豎直晶體管上面進行進一步處理。在另一個實施例中，半導體器件是具有豎直取向的柵的晶體管。把字線掩埋在豎直取向的柵的旁邊，以使該字線的外形大體上是平面。
[8176-0140-0009] 具有線性電流電壓特性的半導體元件
[摘要] 公開了一種半導體器件，得到穿過坐標原點的線性電流電壓特性及雙向結構。通常器件含有P－摻雜的襯底（10）頂上的氧化層（20）。在所述氧化層的頂上為形成縱向n漂移區的n型漂移區（30）。n漂移區包括在每端的輕摻雜的P型阱（32），P型阱（32）有重摻雜的P＋半導體材料、接觸源或漏電極（35）的部分（31）。每個P型阱（32）附加地含有n+區（33）和附加在所述p型阱頂上的柵電極（34）。由此n+摻雜區（33）分別定位在柵和漏電極或柵和源電極之間的P阱（32）內。由此形成具有共用漂移區的雙向雙DMOS結構。
[8176-0127-0010] 雙冠狀電容器的制造方法
[摘要] 一種形成雙冠狀電容器的制造方法包括：形成第一介電層；構圖和蝕刻以形成接觸窗開口；在第一介電層上形成第一導電層，并填入接觸窗開口；在第一導電層上形成第二介電層；構圖和蝕刻第二介電層和第一導電層，以在接觸窗開口上形成中間結構；形成第二導電層；構圖和蝕刻之，形成多個間隙壁，并移除位于第二介電層上方的至少部分第二導電層；移除第二介電層；沉積第三介電層；及在第三介電層上形成第三導電層。
[8176-0002-0011] 在集成電路中形成溝槽式電容器的改進技術
[8176-0155-0012] 避免碟形凹陷的淺溝槽隔離方法
[8176-0198-0013] 焊料球載帶及其制造方法
[8176-0005-0014] 陽極氧化方法和裝置以及半導體襯底制造方法
[8176-0207-0015] 處理裝置、處理方法及機械手裝置
[8176-0038-0016] 半導體裝置及其制造方法
[8176-0109-0017] 矩陣結構的LED-陳列
[8176-0113-0018] 特別用于置入芯片卡體的芯片模塊
[8176-0202-0019] 氧化物電介質元件的制造方法、采用該元件的存儲器及半導體裝置
[8176-0209-0020] 一種小功率晶閘管的結構及其制造工藝
[8176-0031-0021] 等離子體腐蝕反應器和方法
[8176-0083-0022] 固態圖象傳感器
[8176-0006-0023] 半導體裝置的制造方法
[8176-0131-0024] 集成電路芯片、集成電路結構體、液晶裝置和電子裝置
[8176-0192-0025] 具有饋孔連接的多個器件集成電路塊
[8176-0114-0026] 封裝半導體芯片的環氧樹脂包封料及其制造方法
[8176-0141-0027] 薄膜器件的轉移方法、薄膜器件、薄膜集成電路裝置、有源矩陣襯底、液晶顯示裝...
[8176-0001-0028] 與半導體上絕緣通孔中的銅金屬化層接觸的方法和結構
[8176-0039-0029] 扣合裝置
[8176-0211-0030] 半導體器件中的電容器結構及其形成方法
[8176-0125-0031] 半導體器件和設計方法及該方法的記錄介質和支持系統
[8176-0102-0032] 半導體晶片退火用的燈管退火爐及方法
[8176-0105-0033] 分立基板的制造方法
[8176-0096-0034] 半導體元件及其制造方法
[8176-0123-0035] 高電阻負載靜態型RAM及其制造方法
[8176-0057-0036] 絕緣柵型半導體器件及其制造方法
[8176-0030-0037] 清洗電子元件構件或類似零件的方法和裝置
[8176-0060-0038] 半導體存儲器件
[8176-0184-0039] 半導體器件及其制造方法
[8176-0079-0040] 分子污染控制系統
[8176-0020-0041] 用于半導體的密封樹脂構件及半導體元件
[8176-0087-0042] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0103-0043] 半導體器件制造方法
[8176-0118-0044] 高-ε-介電層或鐵電層的制造方法
[8176-0077-0045] 具有新型觸點接通的壓電執行元件及其制造方法
[8176-0183-0046] 電子控制裝置
[8176-0088-0047] 具有高介電常數介質層的半導體器件電容器的制造方法
[8176-0216-0048] 在集成電路中形成接觸芯柱且同時平面化襯底表面的方法
[8176-0153-0049] 半導體基片中的小型接頭及其制作方法
[8176-0137-0050] 半導體器件及其制造方法
[8176-0080-0051] 一種金屬－絕緣體－金屬開關器件的制法
[8176-0171-0052] 紅外探測器
[8176-0134-0053] 半導體器件及其制造方法
[8176-0089-0054] 半導體裝置和半導體裝置用的引線框
[8176-0154-0055] 銅互連結構及其制作方法
[8176-0190-0056] 襯底觸發式靜電放電保護的半導體器件及其方法
[8176-0122-0057] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[8176-0119-0058] 發光二極管的制造方法
[8176-0059-0059] 采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
[8176-0044-0060] 制造半導體器件的方法
[8176-0163-0061] 半導體存儲器及其制造方法
[8176-0034-0062] 半導體器件及其制造方法
[8176-0084-0063] 用于絕緣體上硅集成電路的掩埋圖形的導體層
[8176-0152-0064] 安裝電子部件的結構和方法
[8176-0066-0065] 存儲單元陣列的制造方法
[8176-0148-0066] 光半導體裝置及其裝配的光半導體模塊
[8176-0078-0067] 具有雙地線的射頻功率封裝
[8176-0100-0068] 管芯接合裝置
[8176-0210-0069] 場效應晶體管及其控制方法和混頻器裝置
[8176-0165-0070] 采用干法和濕法腐蝕制造鐵電集成電路的方法
[8176-0156-0071] 最小接觸的晶片載架
[8176-0128-0072] 去除氮化硅保護層針孔的方法
[8176-0200-0073] 制造半導體器件的方法
[8176-0187-0074] 光學組件
[8176-0056-0075] 半導體薄膜及其制造方法以及使用該薄膜的太陽能電池
[8176-0161-0076] 制造分析儀的方法
[8176-0037-0077] 透光窗戶層發光二極管
[8176-0062-0078] 動態隨機存取存儲器單元及其形成方法
[8176-0046-0079] 動態隨機存取存儲器及金屬連線的制造方法
[8176-0095-0080] 集成電路及其制造方法
[8176-0112-0081] 帶多層電容器的半導體存儲器裝置
[8176-0070-0082] 利用多晶硅半球的晶粒回蝕刻來形成電容器的方法
[8176-0172-0083] 形成配線結構的方法
[8176-0176-0084] 半導體器件的測試及半導體器件制造方法
[8176-0213-0085] 金－合金細導線及其制造方法和應用
[8176-0027-0086] 復合部件及其分離方法和半導體襯底的制備方法
[8176-0012-0087] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0142-0088] 半導體器件及其制造方法
[8176-0203-0089] 襯底表面平整化的方法
[8176-0054-0090] 光電池的批量制造方法
[8176-0150-0091] 非易失半導體器件以及其制造方法
[8176-0010-0092] 以氮化鋁為絕緣埋層的絕緣體上的硅材料制備方法
[8176-0204-0093] 半導體封裝用芯片支持基片、半導體裝置及其制造方法
[8176-0164-0094] 集成電路器件中的互連
[8176-0069-0095] 用易處理的硬掩模制作溝槽式電容器
[8176-0111-0096] 具有“埋置的極板式電極”的集成半導體存儲器裝置
[8176-0115-0097] 半導體只讀存儲器及其制造方法
[8176-0104-0098] 用于半導體器件的清洗/干燥臺和生產線
[8176-0133-0099] 半導體裝置的制造方法以及制造裝置
[8176-0055-0100] 帶氧化鋅層的基片、氧化鋅層的制造方法、光電器件以及光電器件的制造方法、
[8176-0032-0101] 半導體裝置和液晶顯示裝置以及含有它們的電子機器
[8176-0063-0102] 半導體器件
[8176-0193-0103] 在動態隨機存取存儲器中制作半導體存儲單元的方法
[8176-0024-0104] 自校準內埋板
[8176-0022-0105] 半導體器件制造方法
[8176-0092-0106] 改進的多晶硅－硅化物
[8176-0116-0107] 制造集成半導體存儲裝置的方法
[8176-0130-0108] 半導體貯存夾具、操作方法及生產系統
[8176-0081-0109] 一種薄膜晶體管開關器件的制作方法
[8176-0191-0110] 一種半導體器件及其制造方法
[8176-0035-0111] 具有多層布線的半導體器件的制造方法
[8176-0007-0112] 半導體器件的制造方法
[8176-0167-0113] 半導體器件及其制造方法
[8176-0074-0114] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0091-0115] 圓柱形疊式電極的制造方法
[8176-0180-0116] 半導體元件避免鎢插塞損失阻擋層的制造方法
[8176-0072-0117] 半導體器件制造設備和半導體器件制造方法
[8176-0048-0118] 半導體裝置及其制造方法
[8176-0124-0119] 半導體存儲器件
[8176-0166-0120] 對氫暴露具有低敏感度的鐵電集成電路及其制造方法
[8176-0021-0121] 芯片載體
[8176-0076-0122] 壓電變壓器裝置
[8176-0025-0123] 平面化腐蝕半導體器件的方法
[8176-0194-0124] 集成電路的制造方法
[8176-0085-0125] 具有高耦合比的快閃存儲單元及其制造方法
[8176-0182-0126] 球狀半導體器件及其制造方法和球狀半導體器件材料
[8176-0178-0127] 形成光刻膠圖形的方法
[8176-0067-0128] 淺溝槽隔離方法
[8176-0217-0129] 形成金屬互連的方法
[8176-0058-0130] 垂直型金屬絕緣體半導體場效應晶體管及其制造方法
[8176-0009-0131] 單片線性光耦合器及其制造方法
[8176-0023-0132] 三重阱結構的半導體集成電路的制造方法
[8176-0146-0133] 半導體器件
[8176-0026-0134] 用于腐蝕的保護單元
[8176-0073-0135] 半導體晶片的化學機械平面化的改進的方法和裝置
[8176-0047-0136] 介層窗的制造方法
[8176-0143-0137] 使用六甲基乙硅氮烷的液體源薄膜的形成
[8176-0132-0138] 高速和低寄生電容的半導體器件及其制造方法
[8176-0212-0139] 半導體存儲器件及其制造方法
[8176-0090-0140] 耐熱性優異的固態傳感器件及其制造方法
[8176-0188-0141] 一種提高熱釋電紅外探測器響應的方法
[8176-0160-0142] 熱電半導體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
[8176-0147-0143] 圖象傳感器
[8176-0186-0144] 太陽能電池組件和其生產工藝、安裝方法及發電系統
[8176-0036-0145] 平版印刷用清潔劑
[8176-0107-0146] 具有供疊層件使用備有被保護阻擋層的半導體構件
[8176-0196-0147] 用于制造BEOL布線的小接觸通孔的高生產率Al-Cu薄膜濺射工藝
[8176-0149-0148] 靜態半導體存儲器
[8176-0189-0149] P溝道槽型金屬氧化物半導體場效應晶體管結構
[8176-0053-0150] 防止因工藝條件規范改變使半導體制造工藝失效的方法
[8176-0042-0151] 動態隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
[8176-0174-0152] 超薄單相金屬導體擴散阻擋層
[8176-0179-0153] 圖形曝光裝置用的試樣臺
[8176-0098-0154] 測定用于最佳靜電吸盤箝位電壓的晶片翹曲的方法和裝置
[8176-0181-0155] 控制容性執行機構的方法和裝置
[8176-0206-0156] 氧化鈰研磨劑以及基板的研磨方法
[8176-0014-0157] 具有發光變換元件的發光半導體器件
[8176-0199-0158] 研磨方法以及用于研磨方法中的研磨顆粒的制造方法
[8176-0108-0159] 高壓半導體元件
[8176-0145-0160] 半導體器件和制作方法
[8176-0151-0161] 具有改進的鐵電電容特性的鐵電存儲器件
[8176-0139-0162] 減少半導體制造中的黑硅
[8176-0162-0163] 熱電偶檢測器及其制造方法
[8176-0033-0164] 半導體封裝及其制造方法
[8176-0052-0165] 半導體器件的制造工藝
[8176-0094-0166] 制造動態隨機存取存儲器單元電容器的方法
[8176-0008-0167] 阻擋層及其制造方法
[8176-0051-0168] 劃片座及利用它來切割無帶襯底的方法和設備
[8176-0050-0169] 金屬層間介電層及其制造方法
[8176-0135-0170] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8176-0157-0171] 對探頭端部進行表面處理的片材
[8176-0168-0172] 檢測未完全腐蝕的通孔的方法
[8176-0120-0173] 半導體元件及其制造方法
[8176-0004-0174] 半導體器件及其制造方法
[8176-0065-0175] 半導體器件及其制造方法
[8176-0029-0176] 制造帶有MOVPE層序列的半導體本體的方法
[8176-0201-0177] SOI襯底的回收方法和再生的襯底
[8176-0117-0178] 具有自對準的非集成電容器排布的存儲器裝置
[8176-0136-0179] 在半導體晶片上均勻生長薄膜的生長系統及其工藝
[8176-0215-0180] 半導體器件的制造方法
[8176-0101-0181] 能夠抑制晶體管特性退化的制造雙極晶體管的方法
[8176-0138-0182] 半導體器件的生產工藝和其中使用的清洗裝置
[8176-0197-0183] 半導體器件其制造方法
[8176-0175-0184] 溝槽隔離的形成方法
[8176-0082-0185] 具有導線插頭的半導體器件及其生產方法
[8176-0169-0186] 一種半導體器件及其制造方法
[8176-0129-0187] 單片線性光耦合器及其制造方法
[8176-0126-0188] 金屬氧化物半導體晶體管對裝置
[8176-0016-0189] 全彩色有機發光二極管及其制造方法
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[8176-0099-0191] 管芯接合裝置
[8176-0013-0192] 控制至少一個容性執行機構的裝置和方法
[8176-0075-0193] 產生直接繪圖數據的方法以及直接繪圖的方法和裝置
[8176-0015-0194] 熱油脂的引入和保留
[8176-0144-0195] 制造無勢壘半導體存儲器裝置的方法
[8176-0208-0196] 基片處理裝置
[8176-0064-0197] 帶有保護電路的半導體器件
[8176-0205-0198] 電子元件裝置
[8176-0017-0199] 光電導薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
[8176-0218-0200] 小片接合設備
[8176-0049-0201] 基板的操作方法與裝置及其所使用的吸附檢查方法與裝置
[8176-0003-0202] 制作雙電壓金屬氧化物半導體晶體管的方法
[8176-0093-0203] 半導體器件及其制造方法
[8176-0040-0204] 半導體器件及其制作方法
[8176-0068-0205] 半導體器件的布線方法和布線裝置
[8176-0158-0206] 半導體器件制造方法
[8176-0071-0207] 避免摻雜介電層內發生摻雜擴散的接觸窗回火的方法
[8176-0170-0208] 引入了金屬籽晶層的銅互連結構
[8176-0214-0209] 半導體芯片的安裝結構體、液晶裝置和電子裝置
[8176-0041-0210] 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8176-0043-0211] 動態隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
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