柵極,核心柵極,半導體,半導體元件類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8120-0165-0001] 藥液處理裝置、藥液處理方法及電路基板的制造方法
[摘要] 本發明涉及藥液處理裝置、藥液處理方法及電路基板的制造方法。其中，將蓋子(3)漂浮配置在被藥液槽(1)貯存的藥液(5)上，使帶狀基板(7)穿過開口部(4a、4b)，通過蓋子(3)將帶狀基板(7)浸泡在藥液(5)中，在將帶狀基板(7)浸泡在藥液(5)中的狀態下，一邊通過滾軸(6a～6d)輸送帶狀基板(7)，一邊對帶狀基板(7)進行藥液處理。從而既可防止藥液的液面暴露在空氣中，又可以進行藥液處理。
[8120-0083-0002] 半導體器件和半導體存儲器件
[摘要] 一種半導體存儲器件，包括：在圍繞以陣列方式設置的多個存儲單元的區域中設置的多個N溝道MOS晶體管，設置間隔取決于所述多個存儲單元的間隔，所述多個N溝道MOS晶體管用于驅動所述多個存儲單元；和多個虛設晶體管32-j，每個都形成在多個N溝道MOS晶體管30-k中的兩個相鄰晶體管之間，以便與相鄰的N溝道MOS晶體管30共享擴散層，并且每個都具有提供電壓的柵電極，用于電絕緣這些相鄰的晶體管30-k。
[8120-0110-0003] 基于區熔硅單晶的雙極光晶體管及其探測方法
本發明基于區熔硅單晶的雙極光晶體管采用區熔硅單晶片來制作。由于區熔硅單晶的生長不需要坩堝，在制備過程中硅單晶除了與保護氣體接觸外不與其它任何材料直接接觸，因此區熔硅單晶比直拉硅單晶或其它半導體單晶材料有更高的純度、更少的雜質缺陷。采用區熔硅單晶制作的雙極器件，缺陷(包括重金屬雜質)少，因而產生復合中心少，少子的壽命長，能夠極大地提高雙極光晶體管小信號增益特性，提高探測微弱光信號的靈敏度。本發明采用器件背面接受光入射來探測光信號的方法，能夠克服正面金屬電極的遮光作用以及發射區硅材料的吸光效應，有利于提高雙極光晶體管的性能。
[8120-0191-0004] 半導體封裝及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種能提高外部連接用的電極和布線的電連接的可靠性的半導體封裝及其制造方法。所謂CSP的半導體結構體(2)通過粘接層(3)而粘接在基片(1)的上面中央部上。在基片(1)的上面由樹脂構成的矩形框狀的絕緣層(14)被設置成其上面與半導體結構體(2)的上面大致在同一面上。在半導體結構體(2)和絕緣膜(14)的上面，使預浸材料完全固化而形成的絕緣膜(15)設置成使其上面形成平坦狀態。在絕緣膜(15)的上面，設置了把金屬片制作成圖形而構成的上層再布線(16)。在此情況下，與上層再布線(16)的下面形成一體的尖頭向下圓錐形狀的凸起電極(17)，在進入到絕緣膜(15)內的狀態下與柱狀電極(12)的上面中央部相連接。
[8120-0063-0005] 連接裝置
[摘要] 本發明提供一種可以穩定檢查裝置一側的螺旋觸頭與電子部件一側的球狀觸頭之間的電連接的連接裝置。在螺旋觸頭(20A)的卷曲開始的端部(23)的附近形成向漩渦的中心方向突出的不連續接點部(24)。將球狀觸頭壓入該螺旋觸頭(20A)時，上述不連續接點部分(24)的前端角部優先與球狀觸頭(1a)的表面接觸從而形成接點(P)。由此，螺旋觸頭與球狀觸頭之間的接觸電阻等電特性一定，因此可以安定其間的連接。
[8120-0020-0006] 多晶硅薄膜的制造方法
[摘要] 一種多晶硅薄膜的制造方法，其是在基底上形成非晶硅層，再在非晶硅層上形成光學層，其中光學層具有不同厚度的第一厚度區域與第二厚度區域，且第一厚度區域對于準分子激光光的反射率大于第二厚度區域的反射率。然后，進行激光退火制程，在激光退火制程中，第一厚度區域下方的非晶硅層的溫度小于第二厚度區域下方的非晶硅層的溫度，并使第一厚度區域下方的非晶硅層未完全熔融，由于橫向溫度梯度的影響，其后以未完全熔融的非晶硅層為晶種進行結晶成長的步驟，以形成多晶硅層。其藉提高非晶硅層之間的橫向溫度梯度以誘導晶粒橫向長晶，而能形成具有較大尺寸的晶粒；另能依據電子組件形狀，在適當位置形成具有較大尺寸晶粒，甚至達到單一組件單晶化的功效。
[8120-0153-0007] 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關器件
[摘要] 一種制造多晶硅的方法，包括：在具有第一區域和圍繞該第一區域的第二區域的基板上形成非晶硅半導體層；使用第一掩模在第二區域中形成多個平對準鍵；通過刻蝕第二區域中的半導體層而形成多個凸對準鍵，該多個凸對準鍵具有相對于基板的臺階；和參照這多個凸對準鍵對準第二掩模，以使第一區域中的半導體層結晶。
[8120-0132-0008] 含多個部件傳送器件的半導體裝置
[摘要] 本發明提供了一種部件傳送裝置，該裝置能夠在半導體工藝中從部件供應的拾取位置傳送部件到如芯片焊盤等接收器中的放置位置。其包含第一傳送器件和第二傳送器件以從拾取位置有效交替傳送部件到放置位置。第二傳送器件與第一傳送器件相對于拾取位置和放置位置之間的連線對應布置。
[8120-0135-0009] 圖案形成方法、器件及制造方法、電光學裝置和電子儀器
[摘要] 這種圖案形成方法是在基板上配置功能液形成所定圖案的方法，具有在所述基板上形成貯存格的工序；和在被所述貯存格區分的區域內配置所述功能液的工序；所述區域形成得寬度被部分加寬。
[8120-0106-0010] 薄膜電晶體及具有此種薄膜電晶體的畫素結構
[摘要] 一種薄膜電晶體及具有此種薄膜電晶體的畫素結構，該薄膜電晶體包括至少一凹口的一閘極、一閘介電層、一源極、一汲極以及一通道層。閘極配置在一基板上，閘介電層配置在基板上，并覆蓋閘極。源極配置在閘介電層上，位于凹口上方以外的區域，且源極與部分閘極重迭。汲極配置在源極所暴露出的閘介電層上，其中汲極位于凹口上方，且汲極與凹口旁的部分閘極重迭。信道層配置在閘極上方的閘介電層及源極與汲極之間。本發明借由不對稱的源極與汲極設計，可使上下兩金屬層在有重迭失誤時大幅降低電容變化，使得第一金屬層(閘極)與第二金屬層(源極與汲極)對準不佳時仍可大幅降低Cgd電容的變化值；另其源極/汲極設計結構也可應用于修補結構中，而可提升元件使用率。
[8120-0128-0011] 質量流控制流量檢定和校準的方法
[8120-0065-0012] 布線板及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[8120-0036-0013] 晶片加工方法
[8120-0067-0014] 無引線型半導體封裝及其制造方法
[8120-0196-0015] 器件測試設備和測試方法
[8120-0088-0016] NAND型雙位氮化物只讀存儲器及制造方法
[8120-0026-0017] 真空容器
[8120-0095-0018] 固態成像裝置的制造方法
[8120-0112-0019] 一種氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物發光二極管的制造方法
[8120-0123-0020] 一種制備大面積鐵電薄膜的方法
[8120-0086-0021] 半導體電容器結構及其制造方法
[8120-0193-0022] 半導體測試處理器中放置半導體器件的裝置
[8120-0096-0023] 一種氮化物器件倒裝的方法
[8120-0006-0024] 非易失存儲器,及其制造和編程方法
[8120-0160-0025] 用于真空處理裝置的真空室
[8120-0143-0026] 控制存儲器電阻性質的氧含量系統及方法
[8120-0091-0027] 固態圖像傳感器件及其制造方法
[8120-0180-0028] 制備場效應晶體管橫向溝道的方法及場效應晶體管
[8120-0140-0029] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0099-0030] 縱型半導體器件及其制造方法
[8120-0159-0031] 半導體集成電路器件的制造方法
[8120-0203-0032] 半導體器件及其制造方法和半導體器件制造工藝評價方法
[8120-0127-0033] 高密度等離子體加工設備
[8120-0125-0034] 用于晶片烘焙盤的冷卻裝置
[8120-0069-0035] 無孔隙金屬互連結構及其形成方法
[8120-0014-0036] 取代并五苯半導體
[8120-0131-0037] 從一基底移除殘余物的方法
[8120-0005-0038] 浪涌保護半導體裝置
[8120-0054-0039] 電容器的制造方法
[8120-0139-0040] 更換等離子體反應室的電極組合的方法
[8120-0053-0041] 靜電卡盤裝置用電極片、靜電卡盤裝置及吸附方法
[8120-0134-0042] 一種用于半導體裝置的設備
[8120-0070-0043] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0085-0044] 具納米晶體或納米點之存儲單元
[8120-0201-0045] 襯底定位的方法和裝置
[8120-0152-0046] 薄膜涂布單元和薄膜涂布方法
[8120-0142-0047] 用于制造電子器件的基于熔化的圖案化工藝
[8120-0109-0048] 太陽能模件的連接器
[8120-0190-0049] 集成電路器件和布線板
[8120-0178-0050] 半導體模塊及其制造方法、電子設備、電子儀器
[8120-0047-0051] 用于改良晶片可靠性的密封針腳結構
[8120-0149-0052] 液體供給裝置及基板處理裝置
[8120-0028-0053] 用于RRAM的旋轉涂布Pr1-xCax<...
[8120-0049-0054] 用于記憶體積體電路的晶圓等級燒錄
[8120-0035-0055] 半導體裝置的制造方法
[8120-0082-0056] 集成電路、存儲單元及制造方法、存儲單元的程序化方法
[8120-0101-0057] 半導體元件及其制造方法
[8120-0169-0058] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置制造系統
[8120-0031-0059] 多晶硅薄膜的制造方法
[8120-0039-0060] 高介電常數膜的精確圖案化
[8120-0077-0061] 半導體器件
[8120-0121-0062] 具有超晶格半導體層的半導體器件及其制造方法
[8120-0100-0063] 半導體裝置
[8120-0004-0064] 低成本微電子電路封裝
[8120-0068-0065] 布線結構
[8120-0158-0066] 一種用于半導體裝置的設備
[8120-0015-0067] 使用IR和/或NIR輻射干燥有機半導體層、導體層或濾色器層的方法
[8120-0098-0068] 減少漏損的半導體二極管
[8120-0072-0069] 半導體器件
[8120-0025-0070] 加工方法和半導體器件的制造方法
[8120-0171-0071] 蝕刻量檢測方法、蝕刻方法和蝕刻裝置
[8120-0205-0072] 用聚硅氮烷基材料填充高深寬比隔離結構
[8120-0207-0073] 半導體裝置
[8120-0198-0074] 處理設備、處理方法、壓力控制方法、傳送方法以及傳送設備
[8120-0051-0075] 基板支承用槽棒及使用該槽棒的基板載具
[8120-0213-0076] 使用于雙鑲嵌蝕刻方法的雙層金屬硬屏蔽
[8120-0184-0077] 用于安裝半導體的裝置
[8120-0214-0078] 切割芯片焊接薄膜,固定碎片工件的方法及半導體器件
[8120-0119-0079] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0176-0080] 制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
[8120-0174-0081] 不需要單獨溶劑沖冼步驟的脫除側壁聚合物和蝕刻劑殘余物的組合物
[8120-0018-0082] 蝕刻中止層的重作方法
[8120-0034-0083] 用來將多個錫球黏著于芯片的植球裝置
[8120-0045-0084] 覆晶封裝制程
[8120-0011-0085] 包括輔助支架鍵合修正的發光二極管及其制造方法
[8120-0118-0086] 發光半導體器件及其制造方法
[8120-0185-0087] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0155-0088] 硅絕緣體晶片及其制造方法
[8120-0080-0089] 半導體元件
[8120-0008-0090] 具有改良的漏極觸點的溝槽雙擴散金屬氧化半導體器件
[8120-0019-0091] 多晶硅層的結晶方法
[8120-0107-0092] 柵體短路的薄膜晶體管、其制造方法及相關顯示器
[8120-0003-0093] 導線結合結構和連接到微電子電路小片的方法
[8120-0027-0094] 設計圖形、光掩模、光刻膠圖形及半導體器件的制造方法
[8120-0084-0095] 半導體存儲裝置及其制造方法
[8120-0133-0096] 有機膜的化學機械拋光及制造半導體器件的方法
[8120-0216-0097] 不對稱晶體結構存儲單元
[8120-0055-0098] 不同隔離溝槽深度的存儲器制法及裝置
[8120-0218-0099] 制造半導體元件的方法
[8120-0164-0100] 半導體裝置的制造方法
[8120-0057-0101] 利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
[8120-0154-0102] 形成絕緣體上硅鍺襯底材料的方法、襯底材料及異質結構
[8120-0148-0103] 圖案形成方法
[8120-0044-0104] 制造半導體器件的方法
[8120-0188-0105] 半導體裝置的制造方法
[8120-0041-0106] 在腐蝕過程中保護微機械器件金屬連線的密封方法
[8120-0200-0107] 基板輸送裝置和基板輸送方法及真空處理裝置
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[8120-0212-0110] 復合低介電常數的介電結構
[8120-0046-0111] 半導體器件及其制造方法
[8120-0021-0112] 半導體裝置及其制造方法
[8120-0002-0113] 在導熱散熱器上具有潤濕層的電子組件
[8120-0208-0114] 內連線錯誤的改善圖案
[8120-0090-0115] 采用晶片鍵合和SIMOX工藝的不同晶體取向自對準SOI
[8120-0179-0116] 基板的蝕刻處理方法及蝕刻處理裝置
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[8120-0033-0118] 半導體器件制造方法以及激光輻照設備
[8120-0016-0119] 多區域垂直配向薄膜晶體管陣列基板的制造方法
[8120-0071-0120] 半導體集成電路裝置
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[8120-0195-0122] 半導體組件測試方法及測試半導體組件之系統
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[8120-0010-0138] 受光或發光用半導體裝置
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[8120-0144-0140] 形成結晶半導體層的方法和裝置，以及制造半導體裝置的方法
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