半導體,制造半導體器件,半導體元件,半導體處理類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8108-0194-0001] 散熱器固定結構
[摘要] 本發明是一種散熱器固定結構，用于將散熱器固定于發熱單元上以令發熱單元散熱，至少包含承置固定散熱器的固置部，該固置部設有接固部，該接固部施以熱處理制程，使之具有剛性之外亦賦予彈性，以令接固部藉由固定組件固定時產生調整壓力的特性。
[8108-0075-0002] 晶片邊緣檢測器
[摘要] 一種晶片邊緣檢測器，該檢測器檢測晶片平邊偏移的方法，晶片平邊確認設備500具有二傳感器506a與傳感器506b，其中傳感器506a與傳感器506b位于晶片制造裝置的具電力供應器的控制電路600中，傳感器506a與傳感器506b檢測晶片平邊位置從所需位置的偏移，并中斷晶片制造裝置。
[8108-0053-0003] 無線設備和半導體器件
提供一種使用收發電路一體型的半導體器件的小型化且抑制接收特性劣化的無線設備。該設備包括配置連接天線端子的天線共用器、分別連接天線共用器的接收放大部和發送放大部、具有分別在接收放大部和發送放大部的延伸區連接接收放大部和發送放大部的接收處理部和發送處理部的半導體器件、以及連接半導體器件的基帶處理部的安裝襯底； 覆蓋接收放大部、發送放大部和半導體器件的屏蔽盒；配置成從屏蔽盒到達安裝襯底表面，從屏蔽盒內部的的一端開始，使接收放大部與發送放大部之間隔離的第1隔板；從配置在屏蔽盒的切口延伸到屏蔽盒的另一端，形成從第1隔板延伸并跨越半導體器件的第2隔板。
[8108-0176-0004] 一種形成翅片場效應晶體管的方法
[摘要] 在一種FinFET集成電路工藝中，翅片在體區以體厚度形成，然后在體外面的源/漏區加厚以改進導電性。加厚通過外延淀積完成而柵覆蓋一層復合物柵覆蓋層，以阻止柵的加厚，可以縮短柵到源/漏。
[8108-0184-0005] 檢測裝置及其制造方法、制造電光裝置和半導體裝置的方法
[摘要] 一種檢測裝置，包括：襯底；設置在襯底上的應力釋放層；設置在應力釋放層上的接觸件；以及電連接到接觸件的布線圖案。此外，本發明的用于制造檢測裝置的方法包括以下步驟：提供襯底；在襯底的表面上形成應力釋放層；形成在襯底表面上的應力釋放層上延伸的布線圖案；以及在應力釋放層以上的區域中的布線圖案上形成接觸件。
[8108-0103-0006] 半導體器件
[摘要] 本發明提供了一種電路，該電路可以在具有非接觸ID芯片的半導體器件包括需要比邏輯電路所需的電壓更高電壓的電路情況下實現穩定升壓。通過將從天線輸入的交流信號直接輸入或通過邏輯電路輸入到電荷泵，該電荷泵可以以穩定頻率工作，該頻率不會受到元件變化和環境溫度的影響，從而實現穩定升壓。
[8108-0129-0007] 半導體發光元件、其制造方法以及半導體裝置
[摘要] 本發明公開一種具有半導體壓層的半導體發光元件，該壓層包括有源層以及階梯，其中，該有源層發射出預定發射波長的光，該階梯位于超過該有源層的深度位置處。該元件還具有相對發射波長透明的襯底，位于該半導體壓層的一個表面上的第一電極，以及位于該階梯上的第二電極。相對發射波長透明的襯底提高了外發射效率。該第一和第二電極的位置基本阻止了電流流過半導體壓層和襯底之間的直接連接介面。即使在該直接連接介面中由于小丘等而產生不完全連接的情況下，該元件也展現了良好的電特性。
[8108-0179-0008] 用來提高晶體管溝道中的應變效應的方法和設備
[摘要] 本發明公開了一種用來提高晶體管溝道中的應變效應的方法和設備，并提供了一種具有增大應力的晶體管溝道的半導體器件。為了得到增大了應力的晶體管溝道，氮化物膜被擇優地形成在器件襯底上，而在柵疊層部分上很少有或沒有氮化物。氮化物膜可以被擇優地僅僅淀積在硅襯底上成為不共形層，其中，很少或沒有氮化物被淀積在柵疊層的上部上。氮化物膜也可以被均勻地淀積在硅襯底和柵疊層上成為共形層，而在稍后的步驟中擇優地清除柵疊層上部附近的氮化物膜。在某些實施方案中，借助于清除柵疊層的上部而清除柵疊層頂部附近的氮化物。在任何方法中，借助于最小化淀積在柵疊層上的氮化物，同時保留淀積在襯底上的氮化物，增大了晶體管溝道中的應力。
[8108-0214-0009] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[摘要] 公開了一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中在活性區與場效應區之間的邊界未被離子注入損壞。制造CMOS圖像傳感器的方法包括在第一導電型半導體襯底中形成溝槽，在溝槽兩側的半導體襯底中形成第一導電型重摻雜雜質離子區，通過在溝槽與器件隔離之間插入絕緣膜形成器件隔離膜，在半導體襯底上依次形成柵絕緣膜和柵電極，在柵電極和器件隔離膜之間的半導體襯底中形成光電二極管的第二導電型雜質離子區。
[8108-0166-0010] 高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
[摘要] 本發明涉及高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法，根據本發明，在襯底上形成由電介質材料或金屬材料制成的掩模材料膜圖案，在制作氮化物半導體薄膜時在形成聚并之前去除該掩模材料膜圖案，并且氮化物半導體薄膜再側向制作。因此，本發明的優勢在于能夠制作具有空隙和較少缺陷的平面氮化物半導體薄膜。
[8108-0082-0011] 半導體集成電路的制備方法
[8108-0062-0012] 一種金屬配線的多步干法刻蝕方法
[8108-0065-0013] 用于去除阻擋層的組合物和方法
[8108-0057-0014] 一種半導體材料橫向周期攙雜的方法及其裝置
[8108-0080-0015] 銅內連線的制作方法
[8108-0016-0016] 半導體器件和半導體器件的組裝方法
[8108-0044-0017] 半導體器件及其制造方法
[8108-0077-0018] 插座/或轉接器裝置及將對應半導體組件加載插座/或轉接器裝置的裝置及方法
[8108-0145-0019] 產生電感耦合等離子體的設備及其方法
[8108-0037-0020] 發光二極管及其制造方法
[8108-0034-0021] 向手持裝置提供電能的太陽能裝置
[8108-0107-0022] 具有通過層疊模板層的局部非晶化和再結晶而形成的選定半導體晶向的平坦襯底
[8108-0061-0023] 處理裝置部件的裝配機構及其裝配方法、鎖定機構及其鎖定方法
[8108-0076-0024] 表面檢查裝置
[8108-0036-0025] 光發射器件及使用其的照明器
[8108-0146-0026] 具有凸起的非本征基極的自對準NPN晶體管
[8108-0167-0027] 提供連續運動順序橫向固化的方法和系統
[8108-0083-0028] 選擇性去除半球狀硅晶粒層的方法及深溝槽電容器的制法
[8108-0070-0029] 半導體裝置的制造方法
[8108-0210-0030] 非易失性半導體存儲器件
[8108-0162-0031] 半導體裝置的制造方法
[8108-0027-0032] 堆疊單元片半引線器件
[8108-0208-0033] IC、IC上的隨機存取存儲器和保持IC中性能的方法
[8108-0170-0034] 晶片保護裝置
[8108-0008-0035] 在襯底上形成圖案層的方法
[8108-0051-0036] 半導體器件用的圖形制作方法
[8108-0199-0037] 發熱電子元件的熱管散熱器
[8108-0197-0038] 遮蔽模塊及其電子裝置
[8108-0142-0039] 采用UHV-CVD制作的應變SI基底層以及其中的器件
[8108-0143-0040] 制造半導體器件的設備和方法及上述設備中用的清潔方法
[8108-0039-0041] 用于壓電陶瓷設備的驅動電路
[8108-0081-0042] 在半導體裝置中形成金屬接點的方法
[8108-0128-0043] 發光二極管元件與其形成方法
[8108-0025-0044] 電子器件及其制造方法
[8108-0114-0045] 多重柵極晶體管與其形成方法及形成一半導體組件的方法
[8108-0021-0046] 半導體器件及其制造方法
[8108-0126-0047] 發光元件的電極結構
[8108-0201-0048] 具有鋁配線的半導體器件
[8108-0031-0049] 有分級基極層的雙極晶體管
[8108-0202-0050] 集成電路組件與其制造方法以及三維集成電路組件
[8108-0189-0051] 增大硅片單位面積金屬-電介質-金屬電容容量的方法
[8108-0161-0052] 一種顯示面板的制作方法
[8108-0020-0053] 電子器件的制造方法以及電子器件
[8108-0009-0054] 用于可調靜電夾盤的可變溫度處理
[8108-0109-0055] 一種用于降低暗電流信號之影像傳感器及其制造方法
[8108-0041-0056] 用于在響應電啟動以移動一對相對表面的裝置
[8108-0090-0057] 半導體裝置制造用粘結膜
[8108-0112-0058] 具有表面橫向3D-RESURF層的新型功率器件
[8108-0096-0059] 電路組件
[8108-0141-0060] 受熱基板支撐器
[8108-0213-0061] 半導體器件中的節點接觸結構及其制造方法
[8108-0217-0062] 具有一分開井結構的隔離的高電壓LDMOS晶體管
[8108-0092-0063] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子機器
[8108-0098-0064] 半導體器件
[8108-0156-0065] 電信號傳輸線
[8108-0038-0066] 熱電變換材料及其制造方法
[8108-0175-0067] 制備多晶系膜層的激光退火裝置及形成多晶系膜層的方法
[8108-0086-0068] 高布線能力的微過孔基板
[8108-0149-0069] 偏振分析方法
[8108-0066-0070] 制造凸出源漏MOSFET的方法以及由此制造的器件
[8108-0097-0071] 半導體器件結構及其制造工藝
[8108-0173-0072] 一種形成導電栓柱的方法
[8108-0206-0073] 多芯片封裝體
[8108-0160-0074] 改良的聚合物緩沖層及其在發光二極管中的應用
[8108-0078-0075] 具有自對準柵導電層的非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8108-0055-0076] 圖形形成方法
[8108-0058-0077] 蝕刻液及應用該蝕刻液選擇性去除阻障層的導電凸塊制造方法
[8108-0050-0078] 等離子體處理裝置及半導體制造裝置
[8108-0074-0079] 半導體裝置測試裝置、測試系統及測試方法
[8108-0007-0080] 除去光刻膠和蝕刻殘渣的方法
[8108-0198-0081] 復合式多流向散熱器
[8108-0011-0082] 用于連結基片的處理和復合元件
[8108-0138-0083] 低成本的半橋驅動器集成電路
[8108-0030-0084] 位線結構及其制造方法
[8108-0188-0085] 銅金屬化工藝
[8108-0042-0086] 用于電阻可變存儲器的硒化銀/硫族化物玻璃疊層
[8108-0059-0087] 選擇性電鍍半導體器件的輸入/輸出焊盤的方法
[8108-0072-0088] 一種驗證代碼覆蓋率分析的簡單方法
[8108-0028-0089] 形成非易失可變電阻器件的方法以及形成包含硒化銀的結構的方法
[8108-0137-0090] 壓電體薄膜裝置和壓電體薄膜裝置的驅動方法
[8108-0043-0091] 一種半導體熱工藝的水冷裝置
[8108-0171-0092] 晶片保護裝置
[8108-0113-0093] 內置功率MOS場效應晶體管和驅動電路的半導體裝置
[8108-0095-0094] 熱傳導性復合片材
[8108-0033-0095] 半導體設備
[8108-0130-0096] 氮化物半導體發光器件
[8108-0093-0097] 芯片球柵陣列封裝結構
[8108-0047-0098] 結晶用掩模、結晶方法及包括該結晶方法的制造薄膜晶體管陣列面板的方法
[8108-0115-0099] 半導體器件及其制造方法
[8108-0152-0100] 半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8108-0085-0101] 形成具有自行對準接觸窗的記憶元件的方法和所形成裝置
[8108-0022-0102] 用于模制電壓差分器設計的動態電壓標定方案
[8108-0192-0103] 將電子編程到非易失性存儲單元浮柵上的改進方法
[8108-0139-0104] 襯底傳送容器
[8108-0024-0105] 包含集成格狀電容器結構的半導體組件
[8108-0132-0106] GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物發光二極管及其制造方法
[8108-0181-0107] 對球柵陣列封裝的集成電路的重新植球方法
[8108-0014-0108] 制造具低電阻的含金屬層之方法
[8108-0164-0109] 膜形成方法和基板處理裝置
[8108-0010-0110] 用于輸入/輸出位置的共用球型限制冶金
[8108-0178-0111] 半導體器件及制造半導體器件的方法
[8108-0193-0112] 芯片封裝結構
[8108-0094-0113] 半導體元件熱輻射結構及散熱器
[8108-0029-0114] 非易失性觸發器
[8108-0017-0115] 電路基板及其制造方法、以及功率模塊
[8108-0215-0116] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器及其制造方法
[8108-0087-0117] 布線電路板
[8108-0068-0118] 半導體封裝件模制系統的多余物等分離裝置
[8108-0157-0119] 有機半導體結構物、其制造方法和有機半導體裝置
[8108-0026-0120] 用于為電子電路制作復制保護的方法以及相應元件
[8108-0135-0121] 多層雙軸取向隔離層結構及高溫超導涂層導體和制備方法
[8108-0159-0122] 有機電子器件及其生產方法
[8108-0147-0123] 半導體器件及形成圖形方法
[8108-0191-0124] 制造層順序方法及制造集成電路方法
[8108-0204-0125] 多芯片封裝、其中使用的半導體器件及其制造方法
[8108-0052-0126] 設計圖形校正方法、掩模制造方法及半導體器件制造方法
[8108-0136-0127] 壓電泵
[8108-0148-0128] 用壓電微涂布法形成印刷電路板的結構
[8108-0183-0129] 電子封裝測試結果的標記方法
[8108-0002-0130] 窗型探針、等離子體監視裝置及等離子體處理裝置
[8108-0205-0131] 多芯片封裝
[8108-0116-0132] 具有改善閉鎖電壓和導通電阻性能的橫向FET結構及方法
[8108-0172-0133] 等離子體處理方法和等離子體裝置
[8108-0035-0134] 制造串聯型薄膜光電轉換器件的方法
[8108-0121-0135] 新結構肖特基毫米波混頻二極管
[8108-0200-0136] 打線接合封裝體
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[8108-0125-0138] 太陽能電池組件
[8108-0049-0139] 半導體器件及其制造方法
[8108-0091-0140] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備
[8108-0218-0141] 半導體器件
[8108-0211-0142] 非易失性半導體存儲器件的制造方法
[8108-0006-0143] 等離子體處理裝置及其隔板
[8108-0163-0144] 半導體器件及其制造方法
[8108-0133-0145] 半導體發光器件
[8108-0165-0146] 改善半導體組件不同圖案間關鍵尺寸的一致性的方法及裝置
[8108-0084-0147] 埋入式溝槽電容器及其制造方法
[8108-0124-0148] 真空層壓裝置及真空層壓方法
[8108-0122-0149] 制造可變電容二極管的方法及可變電容二極管
[8108-0195-0150] 可攜式電腦集成電路的散熱組件
[8108-0212-0151] RRAM存儲器單元電極
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[8108-0106-0156] 半導體集成電路器件
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[8108-0180-0158] 扁平塑封球柵陣列封裝所用的載板的制造方法及其載板
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[8108-0219-0219] 光電器件
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